Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эллипсометрический in situ контроль процессов роста буферных слоев ZnTe и CdTe в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии кадмий-ртуть-теллура

DOI: 10.61011/FTP.2023.06.56476.5278

Mинистерства науки и высшего образования Российской Федерации , 075-15-2020-797 (13.1902.21.0024).

Швец В.А.

^1,2, Марин Д.В.

^1,2, Якушев М.В.

¹, Рыхлицкий С.В.

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

Email: basil5353@mail.ru, marin@isp.nsc.ru, yakushev@isp.nsc.ru, rhl@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 15 июня 2023 г.

В окончательной редакции: 28 июля 2023 г.

Принята к печати: 3 августа 2023 г.

Выставление онлайн: 22 октября 2023 г.

PDF версия

Рассмотрены проблемы in situ эллипсометрического контроля при выращивании буферных слоев ZnTe и CdTe, предназначенных для эпитаксии кадмий-ртуть-теллура. Установлено, что для 20 нм слоев ZnTe спектральные зависимости оптических постоянных вблизи края поглощения носят размытый характер, что свидетельствует о наличии структурных дефектов в пленке. Показано, что микрорельеф поверхности роста CdTe является критерием структурного совершенства слоев и может быть измерен с помощью эллипсометра как на ранних стадиях, так и в процессе стационарного роста. Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, in situ эллипсометрический контроль, CdTe, микрорельеф, дефекты роста.

Mercury Cadmium Telluride. Growth, Properties and Applications, ed. by P. Capper and J. Garland (Wiley, 2011)
Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, И.В. Сабинина. ФТП, 35, 1092 (2001)
J. Zhao, Y. Chang, G. Badano, S. Sivananthan, J. Markunas, S. Lewis, J.H. Dinan, P.S. Wijewarnasuriya, Y. Chen, G. Brill, N. Dhar. J. Electron. Mater., 33, 881 (2005)
К.К. Свиташев, В.А. Швец, А.С. Мардежов, С.А. Дворецкий, Ю.Г. Сидоров, В.С. Варавин. ЖТФ, 65 (9), 110 (1995)
Е.В. Спесивцев, С.В. Рыхлицкий, В.А. Швец. Автометрия, 47 (5), 5 (2011)
S. Adachi. Optical constants of crystalline and amorphous semiconductors. Numerical data and graphical information (Kluwer Academic Publishers, 1999)
Y. Chang, G. Badano, J. Zhao, Y.D. Zhou, R. Ashokan, C.H. Grein, V. Nathan. J. Electron. Mater., 33, 709 (2004)
D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B, 27, 985 (1983)
D. A. G. Bruggeman. Annalen der Physik, 416 (7), 636 (1935)
В.А. Швец. Опт. и спектр., 107, 822 (2009)
X. Xu, C.P. Grigoropoulus. Int. J. Heat Mass Transfer, 36, 4163 (1993)
D.V. Marin, V.A. Shvets, I.A. Azarov, M.V. Yakushev, S.V. Rykhlitskii. Infr. Phys. Technol., 116, Article 103793 (2021)
E.V. Spesivtsev, S.V. Rykhlitsky, V.A. Shvets, S.I. Chikichev, A.S. Mardezhov, N.I. Nazarov, V.A. Volodin. Thin Sol. Films, 455, 700 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель