Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Эллипсометрический in situ контроль процессов роста буферных слоев ZnTe и CdTe в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии кадмий-ртуть-теллура
Mинистерства науки и высшего образования Российской Федерации , 075-15-2020-797 (13.1902.21.0024).
Швец В.А.
1,2, Марин Д.В.
1,2, Якушев М.В.
1, Рыхлицкий С.В.
1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: basil5353@mail.ru, marin@isp.nsc.ru, yakushev@isp.nsc.ru, rhl@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 15 июня 2023 г.
В окончательной редакции: 28 июля 2023 г.
Принята к печати: 3 августа 2023 г.
Выставление онлайн: 22 октября 2023 г.
Рассмотрены проблемы in situ эллипсометрического контроля при выращивании буферных слоев ZnTe и CdTe, предназначенных для эпитаксии кадмий-ртуть-теллура. Установлено, что для 20 нм слоев ZnTe спектральные зависимости оптических постоянных вблизи края поглощения носят размытый характер, что свидетельствует о наличии структурных дефектов в пленке. Показано, что микрорельеф поверхности роста CdTe является критерием структурного совершенства слоев и может быть измерен с помощью эллипсометра как на ранних стадиях, так и в процессе стационарного роста. Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, in situ эллипсометрический контроль, CdTe, микрорельеф, дефекты роста.
- Mercury Cadmium Telluride. Growth, Properties and Applications, ed. by P. Capper and J. Garland (Wiley, 2011)
- Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, И.В. Сабинина. ФТП, 35, 1092 (2001)
- J. Zhao, Y. Chang, G. Badano, S. Sivananthan, J. Markunas, S. Lewis, J.H. Dinan, P.S. Wijewarnasuriya, Y. Chen, G. Brill, N. Dhar. J. Electron. Mater., 33, 881 (2005)
- К.К. Свиташев, В.А. Швец, А.С. Мардежов, С.А. Дворецкий, Ю.Г. Сидоров, В.С. Варавин. ЖТФ, 65 (9), 110 (1995)
- Е.В. Спесивцев, С.В. Рыхлицкий, В.А. Швец. Автометрия, 47 (5), 5 (2011)
- S. Adachi. Optical constants of crystalline and amorphous semiconductors. Numerical data and graphical information (Kluwer Academic Publishers, 1999)
- Y. Chang, G. Badano, J. Zhao, Y.D. Zhou, R. Ashokan, C.H. Grein, V. Nathan. J. Electron. Mater., 33, 709 (2004)
- D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B, 27, 985 (1983)
- D. A. G. Bruggeman. Annalen der Physik, 416 (7), 636 (1935)
- В.А. Швец. Опт. и спектр., 107, 822 (2009)
- X. Xu, C.P. Grigoropoulus. Int. J. Heat Mass Transfer, 36, 4163 (1993)
- D.V. Marin, V.A. Shvets, I.A. Azarov, M.V. Yakushev, S.V. Rykhlitskii. Infr. Phys. Technol., 116, Article 103793 (2021)
- E.V. Spesivtsev, S.V. Rykhlitsky, V.A. Shvets, S.I. Chikichev, A.S. Mardezhov, N.I. Nazarov, V.A. Volodin. Thin Sol. Films, 455, 700 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
