Влияние условий оптического возбуждения на спектральные и временные характеристики излучения двумерных фотонных кристаллов с Ge(Si)-наноостровками
Российский научный фонд, Проведение исследований научными группами под руководством молодых ученых, 19-72-10011
Яблонский А.Н.1, Юрасов Д.В.1, Захаров В.Е.1, Перетокин А.В.1, Степихова М.В.1, Шалеев М.В.1, Шенгуров Д.В.1, Родякина Е.Е.2,3, Смагина Ж.В.2, Дьяков С.А.4, Новиков А.В.1,5
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
4Сколковский институт науки и технологий, Москва, Россия
5Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: yablonsk@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 5 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 19 июня 2023 г.
Принята к печати: 20 июня 2023 г.
Выставление онлайн: 14 июля 2023 г.
Исследовано влияние условий оптического возбуждения на спектральные и временные характеристики излучения двумерных фотонных кристаллов, полученных на основе структур с самоформирующимися Ge(Si)-наноостровками. Показано, что одними из основных факторов, оказывающих влияние на спектральное положение и форму линий фотолюминесценции, а также на кинетику фотолюминесценции фотонных кристаллов с Ge(Si)-наноостровками, наряду со структурой мод фотонного кристалла, являются локальный разогрев исследуемых образцов и концентрация неравновесных носителей заряда, создаваемых при поглощении возбуждающего излучения. Ключевые слова: самоформирующиеся Ge(Si)-наноостровки, двумерные фотонные кристаллы, спектроскопия микрофотолюминесценции, кинетика фотолюминесценции. DOI: 10.21883/FTP.2023.04.55894.08k
- J. Wang, Y. Long. Sci. Bulletin, 63, 1267 (2018)
- S. David, M. El kurdi, P. Boucaud, A. Chelnokov, V. Le Thanh, D. Bouchier, J.-M. Lourtioz. APL, 83, 2509 (2003)
- Y. Shiraki, X. Xu, J. Xia, T. Tsuboi, T. Maruizumi. ECS Transactions, 45 (5), 235 (2012)
- M. Schatzl, F. Hackl, M. Glaser, P. Rauter, M. Brehm, L. Spindlberger, A. Simbula, M. Galli, T. Fromherz, F. Schaffler. ACS Photon., 4, 665 (2017)
- V. Rutckaia, F. Heyroth, A. Novikov, M. Shaleev, M. Petrov, J. Schilling. Nano Lett., 17 (11), 6886 (2017)
- S. Saito, A. Al-Attili, K. Oda, Y. Ishikawa. Semicond. Sci. Technol., 31, 043002 (2016)
- V. Reboud, A. Gassenq, J. Hartmann, J. Widiez, L. Virot, J. Aubin, K. Guilloy, S. Tardif, J. Fedeli, N. Pauc, A. Chelnokov, V. Calvo. Progr. Cryst. Growth Charac. Mater., 63, 1 (2017)
- R. Apertz, L. Vescan, A. Hartmann, C. Dieker, H. Luth. APL, 66, 445 (1995)
- L. Vescan, T. Stoica, O. Chretien, M. Goryll, E. Mateeva, A. Muck. J. Appl. Phys., 87, 7275 (2000)
- Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, А.Н. Яблонский. Письма ЖЭТФ, 76 (6), 425 (2002)
- Yu.N. Drozdov, Z.F. Krasilnik, К.Е. Kudryavtsev, D.N. Lobanov, А.V. Novikov, М.V. Shaleev, D.V. Shengurov, V.B. Shmagin, А.N. Yablonskiy. Thin Sol. Films, 517, 398 (2008)
- Z.F. Krasilnik, A.V. Novikov, D.N. Lobanov, K.E. Kudryavtsev, A.V. Antonov, S.V. Obolenskiy, N.D. Zakharov, P. Werner. Semicond. Sci. Technol., 26, 014029 (2011)
- S. Fan, P.R. Villeneuve, J.D. Joannopoulos, E.F. Schubert. PRL, 78 (17), 3294 (1997)
- M. Boroditsky, R. Vrijen, T.F. Krauss, R. Coccioli, R. Bhat, E. Yablonovitch. J. Lightwave Technol., 17 (11), 2096 (1999)
- R. Jannesari, M. Schatzl, F. Hackl, M. Glaser, K. Hingerl, T. Fromherz, F. Schaffler. Opt. Express, 22, 25426 (2014)
- A. Mahdavi, G. Sarau, J. Xavier, T.K. Paraiso, S. Christiansen, F. Vollmer. Sci. Rep., 6, 25135 (2016)
- M.V. Stepikhova, A.V. Novikov, A.N. Yablonskiy, M.V. Shaleev, D.E. Utkin, V.V. Rutckaia, E.V. Skorokhodov, S.M. Sergeev, D.V. Yurasov, Z.F. Krasilnik. Semicond. Sci. Technol., 34, 024003 (2019)
- S.A. Dyakov, M.V. Stepikhova, A.A. Bogdanov, A.V. Novikov, D.V. Yurasov, M.V. Shaleev, Z.F. Krasilnik, S.G. Tikhodeev, N.A. Gippius. Laser Photonics Rev., 15, 2000242 (2021)
- E.M. Purcell. Phys. Rev., 69, 681 (1946)
- А.Н. Яблонский, А.В. Новиков, М.В. Степихова, С.М. Сергеев, Н.А. Байдакова, М.В. Шалеев, З.Ф. Красильник. ФТП, 54 (10), 1150 (2020)
- Д.В. Юрасов, А.Н. Яблонский, М.В. Шалеев, Д.В. Шенгуров, Е.Е. Родякина, Ж.В. Смагина, В.А. Вербус, А.В. Новиков. Письма ЖТФ, 49 (10), 29 (2023)
- A.V. Peretokin, D.V. Yurasov, M.V. Stepikhova, M.V. Shaleev, A.N. Yablonskiy, D.V. Shengurov, S.A. Dyakov, E.E. Rodyakina, Zh.V. Smagina, A.V. Novikov. Nanomaterials, 13 (10), 1678 (2023
- S.G. Tikhodeev, A.L. Yablonskii, E.A. Muljarov, N.A. Gippius, T. Ishihara. Phys. Rev. B, 66, 045102 (2002)
- J.R. Lowney. J. Appl. Phys., 66 (9), 4279 (1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
