"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Ия Павловна Ипатова
Выставление онлайн: 19 марта 2004 г.
9.911.5 [!t] 10 ноября 2003 года трагически погибла Ия Павловна Ипатова, выдающийся российский ученый, крупный специалист в области теории твердого тела, доктор физико-математических наук, главный научный сотрудник Физико-технического института (ФТИ) им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, профессор Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. И. П. Ипатова внесла значительный вклад в теорию комбинационного рассеяния света носителями тока в полупроводниках. Она показала, что сложная структура зонного спектра полупроводника (многодолинный спектр, вырождение валентной зоны) приводит к новым механизмам рассеяния света одноэлектронными возбуждениями. Ею был предсказан новый механизм <<гигантского>> комбинационного рассеяния флуктуациями спиновой плотности дырок, подтвержденный впоследствии экспериментально. Ия Павловна опубликовала цикл работ по оптическим свойствам неупорядоченных систем. Следует выделить работы по одноосным твердым растворам полупроводников, в которых оптические свойства определяются специфическими локальными колебаниями. Развитые в этих работах представления существенно расширили возможности определения параметров новых материалов методами поглощения и рассеяния света. В этой области И. П. Ипатова получила шесть авторских свидетельств на изобретения. Выдающимся вкладом в науку следует считать ее работы по проблемам неустойчивости полупроводниковых твердых растворов, являющихся основой полупроводниковой опто- и микроэлектроники. Предсказанный И. П. Ипатовой и ее учениками новый механизм спонтанного формирования полупроводниковых сверхрешеток был использован в ФТИ им. А. Ф. Иоффе при создании нового типа лазерных диодов. Научные труды И. П. Ипатовой всегда пользовались непререкаемым авторитетом среди российских и зарубежных коллег. И. П. Ипатова является автором более трехсот печатных работ, включающих всемирно известную монографию <<Динамика решетки в гармоническом приближении>>, написанную совместно с американскими физиками А. А. Марадудиным, Е. Монтроллом и Дж. Вейсом. Много сил и энергии отдала И. П. Ипатова воспитанию научных кадров в Санкт-Петербургском государственном политехническом университете. Со свойственными ей темпераментом и решительностью она сумела изменить традиционный подход к преподаванию классической физики, создав новый оригинальный курс лекций. Итогом этой деятельности стал двухтомный <<Курс физики>>, опубликованный издательством университета в 2003 г., а также учебник <<Квантовая теория твердых тел>>, изданный в США (1996 г.) и в России (1999 г.). Ия Павловна Ипатова была душой и организатором многочисленных российских и зарубежных конференций и школ, видным членом российского и международного сообщества физиков. В течение шести лет она была членом комиссии Международного союза чистой и прикладной физики (IUPAP), входила в бюро Совета по физике конденсированного состояния Европейского физического общества. Пройдя сложный и местами тернистый путь в науке, И. П. Ипатова уделяла большое внимание поддержке женщин--ученых, участвовала в создании и была сопредседателем общественной организации <<Женщины в фундаментальной науке>>, созданной в стенах ФТИ им. А. Ф. Иоффе. Яркий, талантливый ученый, она собрала вокруг себя плеяду молодых научных сотрудников, активно работающих в области теории физики полупроводников. Ее бескомпромиссность, принципиальность и научная добросовестность снискали ей глубокое уважение коллег и учеников. И. П. Ипатова является примером страстного и бескорыстного служения науке. И. П. Ипатова была отмечена несколькоми государственными наградами, в том числе медалью ордена <<За заслуги перед Отечеством>> II степени. Светлая память об Ие Павловне Ипатовой навсегда останется в наших сердцах. Коллеги, ученики, друзья и редколлегия журнала "Физика и техника полупроводников"
  1. А.А. Лебедев, В.Е. Челноков. ФТП, 33, 1096 (1999)
  2. E.A. Burgemteister, W. von Muench, E. Pettenpaul. J. Appl. Phys., 50, 5790 (1979)
  3. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, BN, SiC, SiGe (John Wiley \& Sons, Inc, 2001) Chap. 5, p. 93
  4. А.Л. Захаров, Е.И. Асвадурова. Расчет тепловых параметров полупроводниковых приборов (М., Радио и связь, 1983)
  5. K.V. Vassilevskii, K. Zekentes, A.V. Zorenko, L.P. Romanov. Mater. Res. Soc. Symp. 622, T 1.8.1. (2000).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.