Выставление онлайн: 19 марта 2004 г.
9.911.5 [!t] 10 ноября 2003 года трагически погибла Ия Павловна Ипатова, выдающийся российский ученый, крупный специалист в области теории твердого тела, доктор физико-математических наук, главный научный сотрудник Физико-технического института (ФТИ) им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, профессор Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. И. П. Ипатова внесла значительный вклад в теорию комбинационного рассеяния света носителями тока в полупроводниках. Она показала, что сложная структура зонного спектра полупроводника (многодолинный спектр, вырождение валентной зоны) приводит к новым механизмам рассеяния света одноэлектронными возбуждениями. Ею был предсказан новый механизм <<гигантского>> комбинационного рассеяния флуктуациями спиновой плотности дырок, подтвержденный впоследствии экспериментально. Ия Павловна опубликовала цикл работ по оптическим свойствам неупорядоченных систем. Следует выделить работы по одноосным твердым растворам полупроводников, в которых оптические свойства определяются специфическими локальными колебаниями. Развитые в этих работах представления существенно расширили возможности определения параметров новых материалов методами поглощения и рассеяния света. В этой области И. П. Ипатова получила шесть авторских свидетельств на изобретения. Выдающимся вкладом в науку следует считать ее работы по проблемам неустойчивости полупроводниковых твердых растворов, являющихся основой полупроводниковой опто- и микроэлектроники. Предсказанный И. П. Ипатовой и ее учениками новый механизм спонтанного формирования полупроводниковых сверхрешеток был использован в ФТИ им. А. Ф. Иоффе при создании нового типа лазерных диодов. Научные труды И. П. Ипатовой всегда пользовались непререкаемым авторитетом среди российских и зарубежных коллег. И. П. Ипатова является автором более трехсот печатных работ, включающих всемирно известную монографию <<Динамика решетки в гармоническом приближении>>, написанную совместно с американскими физиками А. А. Марадудиным, Е. Монтроллом и Дж. Вейсом. Много сил и энергии отдала И. П. Ипатова воспитанию научных кадров в Санкт-Петербургском государственном политехническом университете. Со свойственными ей темпераментом и решительностью она сумела изменить традиционный подход к преподаванию классической физики, создав новый оригинальный курс лекций. Итогом этой деятельности стал двухтомный <<Курс физики>>, опубликованный издательством университета в 2003 г., а также учебник <<Квантовая теория твердых тел>>, изданный в США (1996 г.) и в России (1999 г.). Ия Павловна Ипатова была душой и организатором многочисленных российских и зарубежных конференций и школ, видным членом российского и международного сообщества физиков. В течение шести лет она была членом комиссии Международного союза чистой и прикладной физики (IUPAP), входила в бюро Совета по физике конденсированного состояния Европейского физического общества. Пройдя сложный и местами тернистый путь в науке, И. П. Ипатова уделяла большое внимание поддержке женщин-ученых, участвовала в создании и была сопредседателем общественной организации <<Женщины в фундаментальной науке>>, созданной в стенах ФТИ им. А. Ф. Иоффе. Яркий, талантливый ученый, она собрала вокруг себя плеяду молодых научных сотрудников, активно работающих в области теории физики полупроводников. Ее бескомпромиссность, принципиальность и научная добросовестность снискали ей глубокое уважение коллег и учеников. И. П. Ипатова является примером страстного и бескорыстного служения науке. И. П. Ипатова была отмечена несколькоми государственными наградами, в том числе медалью ордена <<За заслуги перед Отечеством>> II степени. Светлая память об Ие Павловне Ипатовой навсегда останется в наших сердцах. Коллеги, ученики, друзья и редколлегия журнала "Физика и техника полупроводников"
- А.А. Лебедев, В.Е. Челноков. ФТП, 33, 1096 (1999)
- E.A. Burgemteister, W. von Muench, E. Pettenpaul. J. Appl. Phys., 50, 5790 (1979)
- M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, BN, SiC, SiGe (John Wiley \& Sons, Inc, 2001) Chap. 5, p. 93
- А.Л. Захаров, Е.И. Асвадурова. Расчет тепловых параметров полупроводниковых приборов (М., Радио и связь, 1983)
- K.V. Vassilevskii, K. Zekentes, A.V. Zorenko, L.P. Romanov. Mater. Res. Soc. Symp. 622, T 1.8.1. (2000).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.