Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Экситонная фотолюминесценция в легированных квази-1D структурах на основе кремния

Саченко А.В.¹, Корбутяк Д.В.¹, Крюченко Ю.В.¹, Сресели О.М.²

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 10 октября 2003 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Теоретически проанализированы зависимости концентрации носителей заряда в кремниевых квантовых нитях, находящихся в оболочке из двуокиси кремния, от диаметра нитей и местоположения атомов примеси относительно центра нитей. Показано, что по мере уменьшения диаметра нитей и нанокристаллов энергия залегания легирующей примеси увеличивается, соответственно концентрации носителей заряда уменьшается, и экранирование кулоновского притяжения становится неэффективным. В результате механизм фотолюминесценции определяется излучательной рекомбинацией экситонов даже в случае сильно легированного кремния. Экспериментальные исследования спектральных, люкс-ваттных и температурных зависимостей фотолюминесценции в структурах пористого кремния, полученных при использовании слабо и сильно легированных кремниевых подложек, подтверждают эти выводы.

A.V. Sachenko, Ju.V. Kryuchenko. Semicond. Phys. Quant. Electorn. Optoelectron 3, 150 (2000)
A. Shik. J. Appl. Phys., 74, 2951 (1993)
С.И. Губарев, И.В. Кукушкин, С.В. Товстоног, М.Ю. Акимов, И. Смет, К. Фон Клитцинг, В. Вегшайдер. Письма ЖЭТФ, 72, 469 (2000)
Д.В. Кулаковский, С.И. Губарев, Ю.Е. Лозовик. Письма ЖЭТФ, 74, 123 (2001)
М.Г. Лисаченко, Е.А. Константинова, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. ФТП, 36, 344 (2002)
Yu.V. Kryuchenko, A.V. Sachenko. Physica, E 14, 299 (2002)
J.D. Jackson. Classical Electrodynamics (John Wiley \& Sons Inc. N.Y.--London, 1962)
Е.А. Муляров, С.Г. Тиходеев. ЖЭТФ, 111, 274 (1997)
R. Loudon. Amer. J. Phys., 27, 649 (1959)
G. Polisski, G. Dollinger, A. Bergmeier, D. Kovalev, H. Heckler, F. Koch. Phys. St. Sol. (a), 168, R1 (1998)
G. Polisski, H. Heckler, D. Kovalev, M. Schwartzkopff, F. Koch. Appl. Phys. Lett., 73, 1107 (1998)
C. Delerue, G. Allan, M. Lannoo. J. Luminesc., 80, 65 (1999)
Д.Н. Горячев, Г. Полисский, О.М. Сресели. ФТП, 32, 1016 (1998); Л.В. Беляков, Т.Л. Макарова, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, О.М. Сресели. ФТП, 32, 1122 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель