Вышедшие номера
Экситонная фотолюминесценция в легированных квази-1D структурах на основе кремния
Саченко А.В.1, Корбутяк Д.В.1, Крюченко Ю.В.1, Сресели О.М.2
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 октября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2004 г.

Теоретически проанализированы зависимости концентрации носителей заряда в кремниевых квантовых нитях, находящихся в оболочке из двуокиси кремния, от диаметра нитей и местоположения атомов примеси относительно центра нитей. Показано, что по мере уменьшения диаметра нитей и нанокристаллов энергия залегания легирующей примеси увеличивается, соответственно концентрации носителей заряда уменьшается, и экранирование кулоновского притяжения становится неэффективным. В результате механизм фотолюминесценции определяется излучательной рекомбинацией экситонов даже в случае сильно легированного кремния. Экспериментальные исследования спектральных, люкс-ваттных и температурных зависимостей фотолюминесценции в структурах пористого кремния, полученных при использовании слабо и сильно легированных кремниевых подложек, подтверждают эти выводы.