Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности встраивания молекул Sb₂ и Sb₄ при молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов AlGaAsSb

Семенов А.Н.¹, Сорокин В.С.², Соловьев В.А.¹, Мельцер Б.Я.¹, Иванов С.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 14 июля 2003 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.

PDF версия

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaSb, InAs и GaAs выращены эпитаксиальные слои твердых растворов Al_xGa_1-xAs_ySb_1-y и GaAs_ySb_1-y различных составов с использованием как традиционного, так и крекингового источников сурьмы. Рассчитаны коэффициенты встраивания для двух- и четырехатомных молекул сурьмы, интегрально характеризующие кинетические процессы на поверхности роста. Показаны различия во встраивании двух- и четырехатомных молекул при молекулярно-пучковой эпитаксии GaAsSb. Исследовано влияние основных технологических параметров (температуры подложки и величины падающих потоков атомов III и V групп) на состав твердых растворов и величину коэффициента встраивания сурьмы. Показано, что для случая твердых растворов (Al,Ga)AsSb величина коэффициента встраивания четырех- и двухатомных молекул сурьмы может изменяться в значительных пределах в зависимости от температуры роста и соотношения скоростей поступления атомов III группы и молекул сурьмы на поверхность роста.

S.A. Barnet, I.T. Ferguson. Handbook of Thin Film Process Technology (1995) p. A2.0 : 1
X. Qianghua, J.E. Van Nostrand, R.L. Jones, J. Sizelove, D.C. Look. J. Cryst. Growth, 207, 255 (1999)
D. Effer, P.J. Etter. J. Phys. Chem. Sol., 25, 451 (1964); M. Ichimura, K. Higuchi, Y. Hattori, T. Wada. J. Appl. Phys., 68, 6153 (1990)
E. Hall, H. Kroemer, L.A. Coldren. J. Cryst. Growth, 203, 447 (1999)
S. Simanowski, M. Walther, J. Schmitz, R. Kiefer, N. Herres, F. Fuchs, M. Maier, C. Mermelstein, J. Wagner, G. Weimann. J. Cryst. Growth, 201/202, 849 (1999)
G. Almuneau, E. Hall, S. Mathis, L.A. Coldren. J. Cryst. Growth, 208, 113 (2000)
P. Gopaladasu, J.L. Cecchi, K.J. Malloy, R. Kaspi. J. Cryst. Growth, 225, 556 (2001)
E. Selvig, B.O. Fimland, T. Skauli, R. Haakenaasen. J. Cryst. Growth, 227, 562 (2001)
H.R. Blank, S. Mathis, E. Hall, S. Bhargava, A. Behres, M. Heuken, H. Kroemer. V. Narayanamurti. J. Cryst. Growth, 187, 18 (1998)
L.R. Dawson. J. Vac. Sci. Technol. B, 4, 598 (1986)
A. Bosacchi, S. Franchi, P. Allegri, V. Avanzini, A. Baraldi, R. Magnanini, M. Berti, D. De Salvador, S.K. Sinha. J. Cryst. Growth, 201/202, 858 (1999)
K.R. Evans, C.E. Stutz, P.W. Yu, C.R. Wie. J. Vac. Sci. Technol. B, 8, 271 (1990)
H. Zhao, A.Z. Li, J. Jeong, D. Wong, J.C. Lee, M.L. Millimaj, T.E. Schlesinger, A.G. Milnes. J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 627 (1988)
M. Yano, M. Ashida, A. Kawaguchi, Y. Iwai, M. Inoue. J. Vac. Sci. Technol. B, 7, 199 (1995)
C.T. Foxon, B.A. Joyce. Surf. Sci., 50, 434 (1975); J.R. Tsao, T.M. Brennan, J.F. Klem, B.E. Hammons. J. Vac. Sci. Technol. A, 7, 2138 (1989)
V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, O.P. Pchelyakov, B.R. Semyagin. J. Cryst. Growth, 201/202, 170 (1999)
J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 27, 118, (1974)
S. Ivanov, P. Kop'ev. In: Antimonide-related strained-layer heterostructures, ed. by M.O. Manasreh. Ser. Optoelectronic properties of semiconductors and superlattices, (Gordon \& Breach Science Publishers, 1997) v. 3, ch. 4, p. 95
D.A. Collins, M.W. Wang, R.W. Grant, T.C. McGill. J. Appl. Phys., 75, 259 (1994)
B.Z. Nosho, B.R. Bennett, L.J. Whitman, M. Goldenberg. J. Vac. Sci. Technol. B, 19, 1626 (2001)
Nikolai Georgiev, Teruo Mozume. J. Cryst. Growth, 209, 247 (2000)
Qianghua Xie, J.E. Van Nostrand, J.L. Brown, C.E. Stutz. J. Appl. Phys., 86, 329 (1999)
Brain R. Bennett, B.V. Shanabrook, M.E. Twigg. J. Appl. Phys., 85, 2157 (1999)
R. Kaspi. J. Cryst. Growth, 201, 864 (1999)
H. Seki, A. Koukitu. J. Cryst. Growth, 78, 342 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель