"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Виталий Иванович Стафеев (к семидесятипятилетию со дня рождения )
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.
1 января 2004 г. исполнилось 75 лет со дня рождения и 50 лет научной, преподавательской и организационной деятельности известного ученого, профессора, доктора физико-математических наук, заслуженного деятеля науки и техники РФ, лауреата Государственных премий СССР и Государственной премии РФ Виталия Ивановича Стафеева. В. И. Стафеев внес большой вклад в развитие физики полупроводников, полупроводниковой электроники, микро- и фотоэлектроники. В. И. Стафеев родился 1 января 1929 г.. После окончания в 1952 г. физико-математического факультета Казахского государственного университета г. Алма-Ата он был распределен в Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Академии наук СССР, где проработал до 1964 г. В 1964 г.. В. И. Стафеев был назначен директором Научно-исследовательского института (НИИ) физических проблем. В 1969 г. перешел работать в НИИ прикладной физики (ныне Государственный научный центр "НПО Орион"), где и работает по настоящее время. В. И. Стафеев --- глава научной школы. Среди его учеников более 20 докторов и несколько десятков кандидатов наук. Он автор более 10 монографий и нескольких сотен научных статей и изобретений. Среди наиболее важных работ: - теоретические и экспериментальные исследования "длинных" диодов, приведшие к открытию механизмов внутреннего усиления сигналов и к созданию получивших мировое признание новых приборов --- магнитодиодов, инжекционных фотоприемников, S-диодов и др.; - исследования свойств "горячих носителей" в полупроводниках, приведшие к созданию лазеров дальнего инфракрасного диапазона спектра и быстродействующих модуляторов инфракрасного излучения; - разработка и исследование фотоприемников, в том числе инжекционных фотодиодов ультрафиолетового диапазона спектра на основе соединений AIIIBV; - разработка и исследование полупроводниковых аналогов нейронов, схемо- и системотехники на их основе, проведенные раньше зарубежных работ по нейронным сетям; - исследование молекулярных пленок (пленок Лэнгмюра) и возможности создания на их базе микроэлектронных приборов; - исследования в области фазовых переходов, зародышей конденсированных фаз, в том числе биологических; - предсказание и открытие нового физического явления --- инжекционного переноса тепла в структурах с p-n-переходами, его использование для нового класса полупроводниковых охлаждающих устройств; - организация разработок и исследований узкозонных полупроводников в СССР: проведение научно-исследовательских работ и осуществление опытно-конструкторских разработок, организация всесоюзных симпозиумов, семинаров и школ, создание филиала НИИ прикладной физики в г. Баку (ныне Институт фотоэлектроники). Государственными премиями отмечены работы В. И. Стафеева: - Разработка технологии и организация производства нового для микрофотоэлектроники полупроводникового материала CdHgTe и на его основе фотопремников, в том числе матричных, на область спектра 3-5 и 8-12 мкм для современных систем тепловидения (2000 г.). - Разработка научных основ, технологии и организация серийного производства магниточувствительных сенсоров (1982 г.). - Обнаружение и исследование нового класса материалов --- бесщелевых полупроводников (1976 г.). В. И. Стафеев за работы для первой атомной подводной лодки (1958-1959 г.г.), положившие начало силовой полупроводниковой техники в СССР, награжден медалью "За трудовую доблесть". В. И. Стафеев "за выдающиеся достижения в области прикладной физической оптики" награжден медалью А. А. Лебедева. В. И. Стафеев внес большой вклад в создание Научного центра микроэлектроники (г. Зеленоград); он --- организатор и первый директор НИИ физических проблем, председатель Межведомственного координационного совета по микроэлектронике, организатор издания научно-технического сборника "Микроэлектроника", организатор и главный редактор 22-й серии журнала "Вопросы оборонной техники" "Микроэлектроника", организатор и заведующий базовой кафедрой микроэлектроники Московского физико-технического института, председатель секции "Микроэлектроника" Совета по физике полупроводников при Президиуме Академии наук СССР. В. И. Стафеев входил в состав экспертного совета Комитета по Ленинским и Государственным премиям СССР, экспертного совета Высшей аттестационной комиссии, редакционных коллекий журналов "Физика и техника полупроводников", "Радиотехника и электроника ". Академик     Ж. И. Алфёров Профессор      Л. Е. Воробьев Редколлегия журнала "Физика и техника полупроводников"
  1. F. Capasso, A. Tredicucci, C. Gmachl, D.L. Sivco, A.L. Hutchinson, A.Y. Cho, G. Scamarcio. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 5 (3), 792 (1999)
  2. M. Rochat, L. Ajili, H. Willenberg, J. Faist. Appl. Phys. Lett., 81 (8), 1381 (2002)
  3. A. Andronov, E. Gornik. Opt. Quant. Electron., 23 (2) (1991)
  4. И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А. Королев, В.П. Синис, Ф.А. Смирнов. ЖЭТФ, 74, 404 (1992)
  5. A.A. Belyanin, F. Capasso, V.V. Kocharovsky, Vl.V. Kocharovsky, M.O. Scully. Phys. Rev. A, 63 (5), 053 803 (2001)
  6. В.Я. Алешкин, А.А. Афоненко, Н.Б. Звонков. ФТП, 35 (10), 1256 (2001)
  7. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Электродинамика сплошных сред (М., Наука, 1989) гл. 10, с. 425
  8. J.S. Blackmore. J. Appl. Phys., 53, R123 (1982)
  9. H.R. Chandrasekhar, A.K. Ramdas. Phys. Rev. B, 21, 1511 (1980)
  10. W. Songprakob, R. Zallen, W.K. Liu, K.L. Bacher. Phys. Rev. B, 62 (7), 4501 (2000)
  11. A. Dargys, J. Kundrotas. Handbook on Physical Properties of Ge, Si, GaAs and InP (Vilnius, Science and Encyclopedia Publishers, 1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.