1 января 2004 г. исполнилось 75 лет со дня рождения и 50 лет научной, преподавательской и организационной деятельности известного ученого, профессора, доктора физико-математических наук, заслуженного деятеля науки и техники РФ, лауреата Государственных премий СССР и Государственной премии РФ Виталия Ивановича Стафеева. В. И. Стафеев внес большой вклад в развитие физики полупроводников, полупроводниковой электроники, микро- и фотоэлектроники. В. И. Стафеев родился 1 января 1929 г.. После окончания в 1952 г. физико-математического факультета Казахского государственного университета г. Алма-Ата он был распределен в Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Академии наук СССР, где проработал до 1964 г. В 1964 г.. В. И. Стафеев был назначен директором Научно-исследовательского института (НИИ) физических проблем. В 1969 г. перешел работать в НИИ прикладной физики (ныне Государственный научный центр "НПО Орион"), где и работает по настоящее время. В. И. Стафеев - глава научной школы. Среди его учеников более 20 докторов и несколько десятков кандидатов наук. Он автор более 10 монографий и нескольких сотен научных статей и изобретений. Среди наиболее важных работ: - теоретические и экспериментальные исследования "длинных" диодов, приведшие к открытию механизмов внутреннего усиления сигналов и к созданию получивших мировое признание новых приборов - магнитодиодов, инжекционных фотоприемников, S-диодов и др.; - исследования свойств "горячих носителей" в полупроводниках, приведшие к созданию лазеров дальнего инфракрасного диапазона спектра и быстродействующих модуляторов инфракрасного излучения; - разработка и исследование фотоприемников, в том числе инжекционных фотодиодов ультрафиолетового диапазона спектра на основе соединений A^IIIB^V; - разработка и исследование полупроводниковых аналогов нейронов, схемо- и системотехники на их основе, проведенные раньше зарубежных работ по нейронным сетям; - исследование молекулярных пленок (пленок Лэнгмюра) и возможности создания на их базе микроэлектронных приборов; - исследования в области фазовых переходов, зародышей конденсированных фаз, в том числе биологических; - предсказание и открытие нового физического явления - инжекционного переноса тепла в структурах с p-n-переходами, его использование для нового класса полупроводниковых охлаждающих устройств; - организация разработок и исследований узкозонных полупроводников в СССР: проведение научно-исследовательских работ и осуществление опытно-конструкторских разработок, организация всесоюзных симпозиумов, семинаров и школ, создание филиала НИИ прикладной физики в г. Баку (ныне Институт фотоэлектроники). Государственными премиями отмечены работы В. И. Стафеева: - Разработка технологии и организация производства нового для микрофотоэлектроники полупроводникового материала CdHgTe и на его основе фотопремников, в том числе матричных, на область спектра 3-5 и 8-12 мкм для современных систем тепловидения (2000 г.). - Разработка научных основ, технологии и организация серийного производства магниточувствительных сенсоров (1982 г.). - Обнаружение и исследование нового класса материалов - бесщелевых полупроводников (1976 г.). В. И. Стафеев за работы для первой атомной подводной лодки (1958-1959 г.г.), положившие начало силовой полупроводниковой техники в СССР, награжден медалью "За трудовую доблесть". В. И. Стафеев "за выдающиеся достижения в области прикладной физической оптики" награжден медалью А. А. Лебедева. В. И. Стафеев внес большой вклад в создание Научного центра микроэлектроники (г. Зеленоград); он - организатор и первый директор НИИ физических проблем, председатель Межведомственного координационного совета по микроэлектронике, организатор издания научно-технического сборника "Микроэлектроника", организатор и главный редактор 22-й серии журнала "Вопросы оборонной техники" "Микроэлектроника", организатор и заведующий базовой кафедрой микроэлектроники Московского физико-технического института, председатель секции "Микроэлектроника" Совета по физике полупроводников при Президиуме Академии наук СССР. В. И. Стафеев входил в состав экспертного совета Комитета по Ленинским и Государственным премиям СССР, экспертного совета Высшей аттестационной комиссии, редакционных коллекий журналов "Физика и техника полупроводников", "Радиотехника и электроника ". Академик     Ж. И. Алфёров Профессор      Л. Е. Воробьев Редколлегия журнала "Физика и техника полупроводников"

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.