"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Структурно сложные двухдырочные и двухэлектронные медленные ловушки с бикинетическими свойствами в кристаллах p-ZnTe, n-ZnS
Ризаханов М.А.1, Зобов Е.М.1, Хамидов М.М.2
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
2Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 11 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Термо- и фотоактивационными методами установлено существование в кристаллах p-ZnTe и n-ZnS соответственно двухдырочных и двухэлектронных ловушек с множеством энергетических состояний, которые в каждом из этих соединений сгруппированы в две серии уровней EV+(0.46-0.66) эВ и EV+(0.06-0.26) эВ в p-ZnTe и EC-(0.6-0.65) эВ, EC-(0.14-0.18) эВ в n-ZnS. Как дырочные, так и электронные ловушки относятся к классу медленных ловушек с бикинетическими свойствами: они в состоянии с одним носителем заряда проявляют нормальные, а в состоянии с двумя носителями заряда --- аномальные кинетические свойства. Предложены многопараметровые модели, допускающие связь ловушек в p-ZnTe и n-ZnS с распределенными по межатомному расстоянию вакансионно-примесными парами, локализованными в области макронеоднородностей с отталкивающими основные носители заряда коллективными электрическими полями. В рамках моделей непротиворечиво объяснены основные особенности поведения электронных и дырочных ловушек.
  1. Ф. Крегер. Химия несовершенных кристаллов (М., Мир, 1969). [Пер. с англ.: F.A. Kroger. The chemistry of imperfect crystals (Amsterdam, 1964)]
  2. Ч.Б. Лущик. Исследование центров захвата в щелочно-галоидных кристаллофосфорах (Тарту, 1955)
  3. В.В. Антонов-Романовский. Изв. АН СССР. Сер. физ., 10, N 5, 6, 477 (1946)
  4. G.F.T. Garlic, A.F. Gibson. Proc. Phys. Soc. A, 60, 574 (1948)
  5. М.А. Ризаханов. Изв. вузов. Физика, N 1, 153 (1971)
  6. М.А. Ризаханов. Электронно-кислородные квазичастицы в белках. Электронно-атомные теории первичных фотобиологических явлений (Махачкала, Бари, 1998)
  7. W. Hoogenstraaten. Phil. Res. Rep., 13, 515 (1958)
  8. М.А. Ризаханов. ФТТ, 31, 193 (1989)
  9. А.Е. Цуркман, В.И. Берлан. В кн.: Новые полупроводниковые соединения и их свойства (Кишенев, Штиинца, 1975) С. 83
  10. T.L. Larsen, C.F. Varotto, D.A. Stevenson. J. Appl. Phys., 43, 172 (1972)
  11. M. Aven, B. Segall. Phys. Rev., 130, 81 (1963)
  12. И.К. Андроник, А.В. Бочкарев, П.Г. Михалаш, Е.С. Пахарьков, А.В. Симашкевич. В сб.: Электролюминесценция твердых тел и ее применение (Киев, Наук. Думка, 1972) С. 33
  13. D.I. Kennedy, M.J. Russ. J. Appl. Phys., 38, 4387 (1967)
  14. D.L. Larssen. Appl. Phys. Lett., 21, 54 (1972)
  15. J.B. Webb, D.E. Brodie. Canad. J. Phys., 53, 1415 (1975)
  16. П.Н. Ковальский, М.К. Шейнкман, А.Д. Шнейдер. ФТП, 5, 1653 (1971)
  17. М.А. Ризаханов, Ф.С. Габибов, Г.М. Гасанбеков, М.М. Хамидов, М.А. Магомедов, Р.П. Мейланов. Деп. ВИНИТИ N 7781-84, (1984)
  18. М.А. Ризаханов, М.М. Хамидов. ФТП, 27, 721 (1993)
  19. Е.М. Зобов, М.А. Ризаханов. ФТП, 35, 171 (2001)
  20. С.М. Рывкин. Фотоэлектриеские явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1962)
  21. Физика и химия соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=- (М., Мир, 1970). [Пер. с англ: Physics and Chemestry of II-VI Compounds, ed. by M. Aven, J.S. Prener (Amsterdam, 1967)]
  22. H. Reiss, C.S. Fuller, F.J. Morin. Bell Syst. Techn. J., 35, 535 (1956)
  23. В.Е. Лашкарев, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. Неравновесные процессы в фотопроводниках (Киев, Наук. думка, 1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.