Термо- и фотоактивационными методами установлено существование в кристаллах p-ZnTe и n-ZnS соответственно двухдырочных и двухэлектронных ловушек с множеством энергетических состояний, которые в каждом из этих соединений сгруппированы в две серии уровней E_V+(0.46-0.66) эВ и E_V+(0.06-0.26) эВ в p-ZnTe и E_C-(0.6-0.65) эВ, E_C-(0.14-0.18) эВ в n-ZnS. Как дырочные, так и электронные ловушки относятся к классу медленных ловушек с бикинетическими свойствами: они в состоянии с одним носителем заряда проявляют нормальные, а в состоянии с двумя носителями заряда - аномальные кинетические свойства. Предложены многопараметровые модели, допускающие связь ловушек в p-ZnTe и n-ZnS с распределенными по межатомному расстоянию вакансионно-примесными парами, локализованными в области макронеоднородностей с отталкивающими основные носители заряда коллективными электрическими полями. В рамках моделей непротиворечиво объяснены основные особенности поведения электронных и дырочных ловушек.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.