Структурно сложные двухдырочные и двухэлектронные медленные ловушки с бикинетическими свойствами в кристаллах p-ZnTe, n-ZnS
Ризаханов М.А.1, Зобов Е.М.1, Хамидов М.М.2
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
2Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 11 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.
Термо- и фотоактивационными методами установлено существование в кристаллах p-ZnTe и n-ZnS соответственно двухдырочных и двухэлектронных ловушек с множеством энергетических состояний, которые в каждом из этих соединений сгруппированы в две серии уровней EV+(0.46-0.66) эВ и EV+(0.06-0.26) эВ в p-ZnTe и EC-(0.6-0.65) эВ, EC-(0.14-0.18) эВ в n-ZnS. Как дырочные, так и электронные ловушки относятся к классу медленных ловушек с бикинетическими свойствами: они в состоянии с одним носителем заряда проявляют нормальные, а в состоянии с двумя носителями заряда - аномальные кинетические свойства. Предложены многопараметровые модели, допускающие связь ловушек в p-ZnTe и n-ZnS с распределенными по межатомному расстоянию вакансионно-примесными парами, локализованными в области макронеоднородностей с отталкивающими основные носители заряда коллективными электрическими полями. В рамках моделей непротиворечиво объяснены основные особенности поведения электронных и дырочных ловушек.
- Ф. Крегер. Химия несовершенных кристаллов (М., Мир, 1969). [Пер. с англ.: F.A. Kroger. The chemistry of imperfect crystals (Amsterdam, 1964)]
- Ч.Б. Лущик. Исследование центров захвата в щелочно-галоидных кристаллофосфорах (Тарту, 1955)
- В.В. Антонов-Романовский. Изв. АН СССР. Сер. физ., 10, N 5, 6, 477 (1946)
- G.F.T. Garlic, A.F. Gibson. Proc. Phys. Soc. A, 60, 574 (1948)
- М.А. Ризаханов. Изв. вузов. Физика, N 1, 153 (1971)
- М.А. Ризаханов. Электронно-кислородные квазичастицы в белках. Электронно-атомные теории первичных фотобиологических явлений (Махачкала, Бари, 1998)
- W. Hoogenstraaten. Phil. Res. Rep., 13, 515 (1958)
- М.А. Ризаханов. ФТТ, 31, 193 (1989)
- А.Е. Цуркман, В.И. Берлан. В кн.: Новые полупроводниковые соединения и их свойства (Кишенев, Штиинца, 1975) С. 83
- T.L. Larsen, C.F. Varotto, D.A. Stevenson. J. Appl. Phys., 43, 172 (1972)
- M. Aven, B. Segall. Phys. Rev., 130, 81 (1963)
- И.К. Андроник, А.В. Бочкарев, П.Г. Михалаш, Е.С. Пахарьков, А.В. Симашкевич. В сб.: Электролюминесценция твердых тел и ее применение (Киев, Наук. Думка, 1972) С. 33
- D.I. Kennedy, M.J. Russ. J. Appl. Phys., 38, 4387 (1967)
- D.L. Larssen. Appl. Phys. Lett., 21, 54 (1972)
- J.B. Webb, D.E. Brodie. Canad. J. Phys., 53, 1415 (1975)
- П.Н. Ковальский, М.К. Шейнкман, А.Д. Шнейдер. ФТП, 5, 1653 (1971)
- М.А. Ризаханов, Ф.С. Габибов, Г.М. Гасанбеков, М.М. Хамидов, М.А. Магомедов, Р.П. Мейланов. Деп. ВИНИТИ N 7781-84, (1984)
- М.А. Ризаханов, М.М. Хамидов. ФТП, 27, 721 (1993)
- Е.М. Зобов, М.А. Ризаханов. ФТП, 35, 171 (2001)
- С.М. Рывкин. Фотоэлектриеские явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1962)
- Физика и химия соединений AIIBVI (М., Мир, 1970). [Пер. с англ: Physics and Chemestry of II-VI Compounds, ed. by M. Aven, J.S. Prener (Amsterdam, 1967)]
- H. Reiss, C.S. Fuller, F.J. Morin. Bell Syst. Techn. J., 35, 535 (1956)
- В.Е. Лашкарев, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. Неравновесные процессы в фотопроводниках (Киев, Наук. думка, 1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.