Преобразование центров люминесценции CVD-ZnS при газостатировании
Морозова Н.К.1, Каретников И.А.1, Плотниченко В.Г.1, Гаврищук Е.М.1, Яшина Э.В.1, Иконников В.Б.1
1Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 15 апреля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.
По спектрам катодолюминесценции и оптического пропускания выявлено влияние высоких давлений газостатирования (1500 атм при 1000oC) на равновесие собственных точечных дефектов сульфида цинка, выращенного CVD-технологией (химическим газофазным осаждением) с избытком цинка. Сняты спектры катодолюминесценции при 80-300 K и уровнях возбуждения 1022 и 1026 см-3·с-1, а также спектры пропускания в диапазоне длин волн 4-12 мкм при 300 K. Обнаружено, что газостатирование преобразует SA-свечение: возникает и усиливается на 1-3 порядка коротковолновая компонента 415 нм, и гаснет длинноволновая компонента 445 нм, наблюдавшаяся в исходных кристаллах. Одновременно при газостатировании исчезает полоса катодолюминесценции 850 нм, обусловленная вакансиями VS. Эти эффекты объясняются частичным выходом избыточного цинка (Zni) из кристаллов и дополнительным встраиванием кислорода в узлы решетки (OS). Обнаружена дублетная полоса I1 в области ~331-332 нм при 80 K, или ~342-343 нм при 300 K, обусловленная экситонами, связанными на акцепторных уровнях кислородных центров. Эта полоса доминирует в катодолюминесценции при уровне возбуждения 1026 см-3·с-1. После газостатирования проявляются следы фазы ZnO как в спектрах катодолюминесценции (730 и 370 нм), так и в спектрах пропускания (6-7 мкм).
- Н.К. Морозова, И.А. Каретников, В.В. Блинов, Е.М. Гаврищук. ФТП, 35 (1), 25 (2001)
- Ю.Н. Дмитриев, В.Д. Рыжиков, Л.П. Гальчинецкий. Термодинамика изовалентного легирования кристаллов полупроводниковых соединений типа AIIBVI (Харьков, ВНИИ монокристаллов, 1990, N ИМК-90-16)
- Э.Д. Алукер, Д.Ю. Лусис, С.А. Чернов. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов (Рига, Зинатне, 1979)
- Н.К. Морозова, Д.В. Жуков, В.Е. Мащенко, В.В. Блинов. Докл. XXXII Межд. научно-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (М., МЭИ, 2002) c. 234
- Н.К. Морозова, В.А. Кузнецов. Сульфид цинка. Получение и оптические свойства, под ред. М.В. Фока (М., Наука, 1987)
- Е.М. Гаврищук, Э.В. Яшина. Высокочистые вещества, N 5, 36, (1994)
- К. Руманс. Структурные исследования халькогенидов при высоких давлениях (М., Мир, 1969) с. 207
- В.М. Лисицын, В.И. Корепанов, В.И. Олешко, В.Ю. Яковлев. Изв. вузов. Физика, N 11, 5 (1996)
- Н.П. Голубева, М.В. Фок. ЖПС, 17 (2), 261 (1972)
- K. Leutwein, A. Rauber, J. Schneider. Sol. St. Commun., 5 (6), 783 (1967)
- Н.К. Морозова, И.А. Каретников, Е.М. Гаврищук, В.М. Лисицын, В.И. Олешко, В.И. Корепанов. Докл. XXXIII Межд. научно-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (М., МЭИ, 2003) с. 12
- Nam Sungun, Rhee Jongkwang, O. Byungsung, Ki-Seon Lee. J. Korean Phys., 32 (2), 156 (1998)
- N Lovergine, P. Prete, G. Leo, L. et al. Cryst. Res. Technol., 33 (2), 183 (1998)
- Физика и химия соединений AIIBVI, под ред. М. Авена, Д.С. Пренера (М., Мир, 1970)
- K. Akimoto, T. Miyajima, Y. Mori. Phys. Rev. B, 39 (5), 3138 (1989)
- А.М. Ахекян, В.И. Козловский, Ю.В. Коростелин, Я.К. Скасырский. Кр. сообщ. по физике, N 3, 44 (1988)
- И.П. Кузьмина, В.А. Никитенко. Окись цинка (М., Наука, 1984) с. 165
- Н.К. Морозова, В.Г. Плотниченко, Е.М. Гаврищук, В.В. Блинов. Неорг. матер., 39 (8), 1105 (2003)
- R.J. Collins, D.A. Kleiman. J. Phys. Chem. Sol., 11, 190 (1959)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.