"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Преобразование центров люминесценции CVD-ZnS при газостатировании
Морозова Н.К.1, Каретников И.А.1, Плотниченко В.Г.1, Гаврищук Е.М.1, Яшина Э.В.1, Иконников В.Б.1
1Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 15 апреля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

По спектрам катодолюминесценции и оптического пропускания выявлено влияние высоких давлений газостатирования (1500 атм при 1000oC) на равновесие собственных точечных дефектов сульфида цинка, выращенного CVD-технологией (химическим газофазным осаждением) с избытком цинка. Сняты спектры катодолюминесценции при 80-300 K и уровнях возбуждения 1022 и 1026 см-3·с-1, а также спектры пропускания в диапазоне длин волн 4-12 мкм при 300 K. Обнаружено, что газостатирование преобразует SA-свечение: возникает и усиливается на 1-3 порядка коротковолновая компонента 415 нм, и гаснет длинноволновая компонента 445 нм, наблюдавшаяся в исходных кристаллах. Одновременно при газостатировании исчезает полоса катодолюминесценции 850 нм, обусловленная вакансиями VS. Эти эффекты объясняются частичным выходом избыточного цинка (Zni) из кристаллов и дополнительным встраиванием кислорода в узлы решетки (OS). Обнаружена дублетная полоса I1 в области ~331-332 нм при 80 K, или ~342-343 нм при 300 K, обусловленная экситонами, связанными на акцепторных уровнях кислородных центров. Эта полоса доминирует в катодолюминесценции при уровне возбуждения 1026 см-3·с-1. После газостатирования проявляются следы фазы ZnO как в спектрах катодолюминесценции (730 и 370 нм), так и в спектрах пропускания (6-7 мкм).
  1. Н.К. Морозова, И.А. Каретников, В.В. Блинов, Е.М. Гаврищук. ФТП, 35 (1), 25 (2001)
  2. Ю.Н. Дмитриев, В.Д. Рыжиков, Л.П. Гальчинецкий. Термодинамика изовалентного легирования кристаллов полупроводниковых соединений типа A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=- (Харьков, ВНИИ монокристаллов, 1990, N ИМК-90-16)
  3. Э.Д. Алукер, Д.Ю. Лусис, С.А. Чернов. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов (Рига, Зинатне, 1979)
  4. Н.К. Морозова, Д.В. Жуков, В.Е. Мащенко, В.В. Блинов. Докл. XXXII Межд. научно-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (М., МЭИ, 2002) c. 234
  5. Н.К. Морозова, В.А. Кузнецов. Сульфид цинка. Получение и оптические свойства, под ред. М.В. Фока (М., Наука, 1987)
  6. Е.М. Гаврищук, Э.В. Яшина. Высокочистые вещества, N 5, 36, (1994)
  7. К. Руманс. Структурные исследования халькогенидов при высоких давлениях (М., Мир, 1969) с. 207
  8. В.М. Лисицын, В.И. Корепанов, В.И. Олешко, В.Ю. Яковлев. Изв. вузов. Физика, N 11, 5 (1996)
  9. Н.П. Голубева, М.В. Фок. ЖПС, 17 (2), 261 (1972)
  10. K. Leutwein, A. Rauber, J. Schneider. Sol. St. Commun., 5 (6), 783 (1967)
  11. Н.К. Морозова, И.А. Каретников, Е.М. Гаврищук, В.М. Лисицын, В.И. Олешко, В.И. Корепанов. Докл. XXXIII Межд. научно-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (М., МЭИ, 2003) с. 12
  12. Nam Sungun, Rhee Jongkwang, O. Byungsung, Ki-Seon Lee. J. Korean Phys., 32 (2), 156 (1998)
  13. N Lovergine, P. Prete, G. Leo, L. et al. Cryst. Res. Technol., 33 (2), 183 (1998)
  14. Физика и химия соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=-, под ред. М. Авена, Д.С. Пренера (М., Мир, 1970)
  15. K. Akimoto, T. Miyajima, Y. Mori. Phys. Rev. B, 39 (5), 3138 (1989)
  16. А.М. Ахекян, В.И. Козловский, Ю.В. Коростелин, Я.К. Скасырский. Кр. сообщ. по физике, N 3, 44 (1988)
  17. И.П. Кузьмина, В.А. Никитенко. Окись цинка (М., Наука, 1984) с. 165
  18. Н.К. Морозова, В.Г. Плотниченко, Е.М. Гаврищук, В.В. Блинов. Неорг. матер., 39 (8), 1105 (2003)
  19. R.J. Collins, D.A. Kleiman. J. Phys. Chem. Sol., 11, 190 (1959)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.