Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Характеристики многоостровковых одноэлектронных цепочек в зависимости от различных факторов

Абрамов И.И.¹, Игнатенко С.А.¹, Новик Е.Г.¹

¹Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Поступила в редакцию: 6 февраля 2003 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведен теоретический анализ характеристик многоостровковых одноэлектронных цепочек в зависимости от параметров конструкции, материалов, фонового заряда и температуры окружающей среды с помощью разработанной модели, основанной на решении уравнения Пуассона и использовании метода Монте-Карло. Показано, что основным параметром, определяющим температурную стабильность эффекта кулоновской блокады, является высота потенциального барьера туннельных переходов. Исследования трех систем материалов (Co-Al-O; Au-Al₂O₃; Cr-Cr₂O₃) показало, что наиболее предпочтительны по рабочей температуре многоостровковые одноэлектронные цепочки на Co-Al-O, а наименее - на Cr-Cr₂O₃.

Single charge tunneling: Coulomb blocade phenomena in nanostructures, ed. by H. Grabert, M.H. Devoret. [NATO ASI Series B: Physics (N.Y., Plenum, 1992) v. 294]
И.И. Абрамов, Е.Г. Новик. ФТП, 33 (11), 1388 (1999)
И.И. Абрамов, Е.Г. Новик. Численное моделирование металлических одноэлектронных транзисторов (Минск, Бестпринт, 2000)
Technology Roadmap for Nanoelectronics, ed. by R. Compano (European Commission, IST programme, Future and Emerging Technologies, 2000)
И.И. Абрамов, С.А. Игнатенко, Е.Г. Новик. ФТП, 36 (10), 1272 (2002)
И.И. Абрамов, С.А. Игнатенко, Е.Г. Новик. ФТП, 37, 583 (2003)
H. Ahmed. J. Vac. Sci. Technol. B, 15 (6), 2101 (1997)
E. Bar-Sadeh, Y. Goldstein, M. Wolovelsky, D. Porath, C. Zhang, H. Deng, B. Abeles, O. Millo. J. Vac. Sci. Technol. B, 13 (3), 1084 (1995)
H. Imamura, J. Chiba, S. Mitani, K. Takanashi, S. Takahashi, S. Maekawa, H. Fujimori. Phys. Rev. B, 61 (1), 46 (2000)
L.S. Kuzmin, Yu.A. Pashkin, A.N. Tavkhelidze, F.-J. Ahlers, T. Weimann, D. Quenter, J. Niemeyer. Appl. Phys. Lett., 68 (20), 2902 (1996)
A. Bezryadin, R.M. Westervelt, M. Tinkham. Appl. Phys. Phys. Lett., 74 (18), 2699 (1999)
A.S. Cordan, Y. Leroy, A. Goltzene, A. Pepin, C. Vieu, M. Mejias, H. Launois. J. Appl. Phys., 87 (1), 345 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель