"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Изучение влияния кислорода на интенсивность фотолюминесценции эрбия в пленках a-SiOx : H< Er>, полученных магнетронным способом
Ундалов Ю.К.1, Теруков Е.И.1, Гусев О.Б.1, Кудоярова В.Х.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 декабря 2002 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2003 г.

Изучалось влияние кислорода на интенсивность фотолюминесценции эрбия при lambda=1.54 мкм в пленках a-SiOx : H< Er>, полученных методом магнетронного напыления. Концентрация кислорода в газовой фазе плазмы изменялась в диапазоне 0.1-12 мол% при неизменности других параметров процесса напыления. Анализ системы a-Si : H-Er-O показал, что реально область гомогенности аморфной матрицы a-SiOx : H< Er> носит ретроградный характер (T=const). Область гомогенности условно можно разбить на две части, каждая из которых должна содержать один из двух разнозаряженных [Er-O]n-- и [Er-O-Si-O]m--кластеров (m>n). Это обстоятельство подтверждается экспериментом: в области концентрации кислорода в плазме 5.5-8 мол%, в последней, вероятно, непосредственно перед растущей поверхностью пленки происходят "необычные" ассоциативные процессы, обусловленные появлением в плазме и в пленке [Er-O-Si-O]m--кластеров. Именно им приписывается эффект увеличения фотолюминесценции эрбия при росте концентрации кислорода более 5.5 мол%.
  1. Б.И. Королев. Основы вакуумной техники (М.; Л., Энергия, 1964)
  2. В.М. Глазов, В.С. Земсков. Физико-химические основы легирования полупроводников (М., Наука, 1967)
  3. R. Sema, J.H. Shin, M. Lohmeier, E. Vlieg, A. Polman, P.F.A. Alkemade. J. Appl. Phys., 79, 35 (1966)
  4. A. Polman, J.S. Custer, E. Snoens, G.N. van den Hoven. Appl. Phys. Lett., 65, 507 (1993)
  5. V. Petrova-Koch, H.P. Zeinde, J. Herion, W. Beyer. J. Non-Cryst. Sol., 97/98, 807 (1997). pt. 2
  6. Г.Б. Бокий. Кристаллохимия (М., Наука, 1971)
  7. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1974). [Пер. с англ.: N.F. Mott, E.A. Davis. Electronic processes in non-crystalline materials (Clarendon Press, Oxford, 1971)]
  8. K. Koga, Y. Matsuoka, K. Tanaka, M. Shiratani. Appl. Phys. Lett., 77, 196 (2000)
  9. H. Fujishiro, S. Furukawa. Sol. St. Commun., 73, 835 (1990)
  10. И.П. Суздалев. Успехи химии, 70, 203 (2001)
  11. F.Y. Ren, J. Michel, Q. Sun-Paduano, B. Zheng, H. Kutagawa, D.C. Jacobson, J.M. Poate, L.C. Kimerling. MRS Symp. Proc., 301, 87 (1993)
  12. P.E. Freeland, K.A. Jackson, C.W. Lowe, J.R. Patel. Appl. Phys. Lett., 30, 31 (1997)
  13. D.L. Adler, D.C. Jacobson, D.J. Eaglesham, M.A. Marcus, J.L. Benton, J.M. Poate, P.H. Citrin. Appl. Phys. Lett., 61, 2181 (1992)
  14. J. Felsche. In: Rare earths (Berlin, 1973) 13, p. 99
  15. C. Piamonteze, A.C. Iniguez, L.R. Tessler, M.C. Martins Alves, H. Tolentino. Phys. Rev. Lett., 81, 4652 (1998)
  16. L.R. Tessler, A.C. Inigues. J. Non-Cryst. Sol., 266-269, 603 (2000)
  17. F.J. Kammpas. In: Semiconductors and semimetals, ed. by J.I. Pankove (N. Y., 1984) v. 21A, p. 153
  18. E.I. Terukov, Yu.K. Undalov, V.Kh. Kudoyarova, K.V. Koghia, J.P. Kleider, M.E. Gueunnier, R. Meaudre. J. Non-Cryst. Sol., 299-302, 699 (2002)
  19. Е.И. Теруков, В.Х. Кудоярова, Ю.К. Ундалов, О.Б. Гусев. Изв. АН. Сер. физ., 66, 268 (2002)
  20. G. Lucovsky, J. Yang, S.S. Chao, J.E. Tyler, W. Czubatyi. Phys. Rev. B, 28, 3225 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.