Вышедшие номера
Изучение влияния кислорода на интенсивность фотолюминесценции эрбия в пленках a-SiOx : H< Er>, полученных магнетронным способом
Ундалов Ю.К.1, Теруков Е.И.1, Гусев О.Б.1, Кудоярова В.Х.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 декабря 2002 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2003 г.

Изучалось влияние кислорода на интенсивность фотолюминесценции эрбия при lambda=1.54 мкм в пленках a-SiOx : H< Er>, полученных методом магнетронного напыления. Концентрация кислорода в газовой фазе плазмы изменялась в диапазоне 0.1-12 мол% при неизменности других параметров процесса напыления. Анализ системы a-Si : H-Er-O показал, что реально область гомогенности аморфной матрицы a-SiOx : H< Er> носит ретроградный характер (T=const). Область гомогенности условно можно разбить на две части, каждая из которых должна содержать один из двух разнозаряженных [Er-O]n-- и [Er-O-Si-O]m--кластеров (m>n). Это обстоятельство подтверждается экспериментом: в области концентрации кислорода в плазме 5.5-8 мол%, в последней, вероятно, непосредственно перед растущей поверхностью пленки происходят "необычные" ассоциативные процессы, обусловленные появлением в плазме и в пленке [Er-O-Si-O]m--кластеров. Именно им приписывается эффект увеличения фотолюминесценции эрбия при росте концентрации кислорода более 5.5 мол%.