Физика и техника полупроводников
Вышедшие номера
Устойчивость к электронному облучению высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур
Лебедев А.А.1, Козловский В.В.2, Левинштейн М.Е.1, Малевский Д.А.1, Кузьмин Р.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: melev@nimis.ioffe.ru, kuzminra@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 19 мая 2022 г.
В окончательной редакции: 30 мая 2022 г.
Принята к печати: 30 мая 2022 г.
Выставление онлайн: 17 июля 2022 г.

Впервые исследовано влияние облучения электронами с энергией 0.9 МэВ на параметры 4H-SiC диодов Шоттки с предельным блокирующим напряжением Ub=600 и 1700 В в диапазоне рабочих температур Ti (23 и 175oС). Диапазон флюенсов Phi составлял 1·1016-2·1016 см-2 для приборов c Ub=600 В и 5·1015-1.5·1016-2 для приборов c Ub=1700 В. Облучение при комнатной температуре значительно увеличивает дифференциальное сопротивление базы диодов. Облучение теми же дозами при Ti=175oС - предельной рабочей температуре приборов практически не сказывается на параметрах вольтамперных характеристик. Тем не менее DLTS-спектры демонстрируют значительное увеличение концентрации глубоких уровней в верхней половине запрещенной зоны не только после облучения при комнатной температуре, но и после облучения при Ti=175oС. Ключевые слова: карбид кремния, диоды Шоттки, электронное облучение, вольт-амперные характеристики, DLTS-спектры.
  1. R. Singh. Microelectronics Reliability, 46 (5-6), 713 (2006)
  2. T. Nakamura, M. Sasagawa, Y. Nakano, T. Otsuka, M. Miura. Int. Power Electronics Conf. (IPEC 2010), (Sapporo, Japan, June 21-24, 2010)
  3. Q. Zhang, R. Callanan, M.K. Das, S. Ryu, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. IEEE Trans. Power Electron., 25 (12), 2889 (2010)
  4. B.J. Baliga. 76th Device Research Conf. (DRC 2018), (Santa Barbara, California, USA, June 24-27, 2018) р. 31. doi: 10.1109/drc.2018.8442172
  5. А.А. Лебедев, П.А. Иванов, М.Е. Левинштейн, Е.Н. Мохов, С.С. Нагалюк, А.Н. Анисимов, П.Г. Баранов. УФН, 189 (8), 803 (2019)
  6. T. Dalibor, G. Pensl, H. Matsunami, T. Kimoto, W.J. Choyke, A. Schoner, N. Nordell. Phys. Status Solidi A, 162, 199 (1997)
  7. H. Kaneko, T. Kimoto. Appl. Phys. Lett., 98, 262106 (2011)
  8. A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava. Appl. Phys. Lett., 85, 3780 (2004)
  9. E. Omotoso, W.E. Meyer, F.D. Auret, A.T. Paradzah, M. Diale, S.M.M. Coelho, P.J. Janse van Rensburg. Mater. Sci. Semicond. Process., 39, 112 (2015)
  10. P. Hazdra, Jan Vobecky. Phys. Status Solidi A, 216, 1900312 (2019)
  11. A.A. Lebedev, V.V. Kozlovski, M.E. Levinshtein, A.E. Ivanov, K.S. Davydovskaya, V.S. Yuferev, A.V. Zubov. Radiation Phys. Chem., 185, 109514 (2021)
  12. A. A. Lebedev, V.V. Kozlovski, K.S. Davydovskaya, M.E. Levinshtein. Materials, 14, 4976 (2021). https://doi.org/10.3390/ma14174976
  13. А.А. Лебедев, В.В. Козловский, М.Е. Левинштейн, Д.А. Малевский, Г.А. Оганесян, А.М. Стрельчук, К.С. Давыдовская. ФТП, 56 (4), 441 (2022)
  14. https://datasheetspdf.com/datasheet/CPW3-0600S002.html
  15. https://datasheetspdf.com/datasheet/CPW3-1700S010.html
  16. P.A. Ivanov, M.E. Levinshtein. Microelectron. Reliab., 122, 114159 (2021)
  17. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur (еds). Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe (John Wiley \& Sons, Inc., N.Y., 2001)
  18. В.В. Козловский, А.А. Лебедев, В.Н. Ломасов, Е.В. Богданова, Н.В. Середова. ФТП, 48 (8), 1033 (2014)
  19. V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, E.V. Bogdanova. J. Appl. Phys., 117, 155702 (2015)
  20. J. Vobecky, P. Hazdra, S. Popelka, R.K. Sharma. IEEE Trans. Electron Dev., 62 (6), 1964 (2015)
  21. K. Danno, T. Kimoto. J. Appl. Phys., 100, 113728 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.