"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Трансформация параметров фазового перехода полупроводник--металл при кристаллизации аморфных пленок диоксида ванадия
Климов В.А.1, Тимофеева И.О.1, Ханин С.Д.1, Шадрин Е.Б.1, Ильинский А.В.2, Сильва-Андраде Ф.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Автономный университет г. Пуэбла, Мексика
Поступила в редакцию: 22 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.

Исследованы петли температурного гистерезиса отражательной способности и емкости аморфных и поликристаллических пленок диоксида ванадия при фазовом переходе полупроводник--металл (ФППМ). С помощью атомно-силового микроскопа изучена морфология этих пленок. Установлено, что небольшое число (2-3) термоциклирований аморфной пленки приводит к исчезновению проявлений фазового перехода, что связывается с диффузией кислорода из кластеров, состоящих из VO2, в примыкающие к ним кластеры, состоящие из низших окислов ряда Магнели. Показано, что отжиг аморфной пленки диоксида ванадия в атмосфере кислорода приводит к доокислению низших окислов до VO2, поликристаллизации пленки и восстановлению проявлений ФППМ. По результатам этих исследований, а также по данным, полученным на атомно-силовом микроскопе, сделан вывод о высоком оптическом качестве поликристаллических пленок диоксида ванадия, полученных из аморфных пленок методом термокристаллизации, и установлена их пригодность для использования в окиснованадиевых интерферометрах и оптических ограничителях.
  1. А.А. Бугаев, Б.П. Захарченя, Ф.А. Чудновский. Фазовый переход металл--полупроводник и его применение (Л., Наука, 1979) с. 183
  2. Н.Ф. Мотт. Переходы металл--изолятор (М., Наука, 1979) с. 342
  3. И.А. Хахаев, Ф.А. Чудновский, Е.Б. Шадрин. ФТТ, 36 (6), 1643 (1994)
  4. Е.Б. Шадрин. Автореф. докт. дис. (СПб, 1997)
  5. W. Bruckner, H. Opperman, W. Reichelt, E.I. Terukov, F.A. Tschudnovskii, E. Wolf. Vanadiumdioxide (Akademie -Verlag, Berlin, 1983) p. 252
  6. В.Ю. Зеров, Ю.В. Куликов, В.Н. Леонов. Оптический журнал, 66 (5), 8 (1999)
  7. V.P. Belousov, I.M. Belousova, O.B. Danilov. SPIE Proc., 3263, 124 (1998)
  8. Г.Б. Стефанович. Автореф. докт. дис. (Петрозаводск, 1998)
  9. В.А. Климов, И.О. Тимофеева, С.Д. Ханин, Е.Б. Шадрин, А.В. Ильинский, Ф. Сильва-Андраде. ЖТФ, 72 (9), 67 (2002)
  10. А.Л. Ройтбурд. УФН, 113, 69 (1974)
  11. A. Leone, A. Trione, F. Junga. IEEE Trans. Nucl. Sci., 37, 1739 (1990)
  12. T. Horlin, T. Niklevsky, M. Nygren. M.-Mater. Res. Bull., 8, 179 (1973)
  13. P. Wuz, A. Miyashita, S. Yamamato. J. Appl. Phys., 86, 5311 (1999)
  14. Н.А. Колобов, М.М. Самохвалов. Диффузия и окисление полупроводников (М., Металлургия, 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.