Вышедшие номера
Трансформация параметров фазового перехода полупроводник--металл при кристаллизации аморфных пленок диоксида ванадия
Климов В.А.1, Тимофеева И.О.1, Ханин С.Д.1, Шадрин Е.Б.1, Ильинский А.В.2, Сильва-Андраде Ф.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Автономный университет г. Пуэбла, Мексика
Поступила в редакцию: 22 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.

Исследованы петли температурного гистерезиса отражательной способности и емкости аморфных и поликристаллических пленок диоксида ванадия при фазовом переходе полупроводник-металл (ФППМ). С помощью атомно-силового микроскопа изучена морфология этих пленок. Установлено, что небольшое число (2-3) термоциклирований аморфной пленки приводит к исчезновению проявлений фазового перехода, что связывается с диффузией кислорода из кластеров, состоящих из VO2, в примыкающие к ним кластеры, состоящие из низших окислов ряда Магнели. Показано, что отжиг аморфной пленки диоксида ванадия в атмосфере кислорода приводит к доокислению низших окислов до VO2, поликристаллизации пленки и восстановлению проявлений ФППМ. По результатам этих исследований, а также по данным, полученным на атомно-силовом микроскопе, сделан вывод о высоком оптическом качестве поликристаллических пленок диоксида ванадия, полученных из аморфных пленок методом термокристаллизации, и установлена их пригодность для использования в окиснованадиевых интерферометрах и оптических ограничителях.