Проведены исследования влияния подслоя сурьмы (10 нм) на структуру и гальваномагнитные свойства тонких пленок твердого раствора висмут-сурьма (3-12 ат% Sb) толщиной до 1 мкм, полученных дискретным термическим испарением в вакууме и зонной перекристаллизацией под покрытием на слюдяных подложках. У пленок на подслое сурьмы обнаружено увеличение разориентации плоскости (111) блоков относительно плоскости пленки, а также уменьшение их размеров. Использование подслоя сурьмы при перекристаллизации пленок не изменяет кристаллографическую ориентацию и увеличивает адгезию пленки к подложке. Изменение гальваномагнитных коэффициентов в пленках на подслое обусловлено классическим размерным эффектом и увеличением деформации плоскостного растяжения. Ключевые слова: висмут, сурьма, тонкая пленка, подслой сурьмы, монокристаллическая пленка, атомно-силовая микроскопия, явления переноса.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.