"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Многократное изменение электрон-фононного взаимодействия в квантовых ямах с диэлектрически различными барьерами
Маслов А.Ю.1, Прошина О.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: maslov.ton@mail.ioffe.ru, proshina.ton@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 1 июля 2021 г.
В окончательной редакции: 2 августа 2021 г.
Принята к печати: 9 сентября 2021 г.
Выставление онлайн: 18 октября 2021 г.

Теоретически исследованы особенности взаимодействия заряженных частиц с полярными оптическими фононами для квантовых ям с несимметричными по своим диэлектрическим свойствам барьерами. Показано, что в узких квантовых ямах наибольший вклад дает взаимодействие с интерфейсными фононными модами. Найдены параметры электрон-фононного взаимодействия при различных значениях фононных частот в материалах барьеров. Показано, что в подобных структурах возможно значительное (почти на порядок) изменение параметров электрон-фононного взаимодействия, что в принципе позволяет проследить переход от слабого взаимодействия к сильному в однотипных квантовых ямах с различным составом материалов барьеров. Найдены условия, при которых в несимметричной структуре возможно усиление электрон-фононного взаимодействия по сравнению с симметричной структурой, в которой в качестве барьеров использованы те же материалы. Ключевые слова: квантовая яма, электрон-фононное взаимодействие, полярон, асимметричные барьеры.
  1. Z. Wang, K. Reinhardt, M. Dutta, M.A. Stroscio. Phonons in bulk and low-dimensional systems --- in Length-Scale Dependent Phonon Interactions; eds by S.L. Shinde and G.P. Srivastava (Springer, 2014)
  2. B.K. Ridley. Hybrid Phonons in Nanostructures (Oxford University Press, UK, 2017)
  3. A.Yu. Maslov, O.V. Proshina. In: Phonons in Low Dimensional Structures, ed. by V.N. Stavrou (IntechOpen Limited, London, UK, 2018) chap. 1, p. 3
  4. L.V. Asryan, F.I. Zubov, N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov, A.E. Zhukov. J. Phys.: Conf. Ser., 741, 012111 (2016)
  5. S. Das, R.K. Nayak, T. Sahu, A.K. Panda. IETE Techn. Rev., 33 (1), 17 (2016)
  6. W. Wang, W. Xie, Z. Deng, M. Liao. Micromachines, 10 (12), 875 (2019)
  7. А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, Д.А. Малевский, С.А. Минтаиров, А.М. Надточий, М.В. Нахимович, Ф.Ю. Солдатенков, М.З. Шварц, В.М. Андреев. ФТП, 55 (8), 699 (2021)
  8. А.В. Чекалин, А.В. Андреева, Н.Ю. Давидюк, Н.С. Потапович, Н.А. Садчиков, В.М. Андреев, Д.А. Малевский. ЖТФ, 91 (6), 913 (2021)
  9. F. Dimroth. Phys. Status Solidi C, 3 (3), 373 (2006)
  10. Zh.I. Alferov, V.M. Andreev, M.Z. Shvarts. High-Efficient Low-Cost Photovoltaics. Recent Developments (Switzerland AG, Springer Nature, 2020) chap. 8, p. 133
  11. F. Dimroth, T.N.D. Tibbits, M. Niemeyer, F. Predan, P. Beutel, C. Karcher, E. Oliva, G. Siefer, D. Lackner, P. Fub-Kailuweit, A.W. Bett, R. Krause, C. Drazek, E. Guiot, J. Wasselin, A. Tauzin, T. Signamarcheix. IEEE J. Photovoltaics, 6 (1), 343 (2016)
  12. M. Mori, T. Ando. Phys. Rev. B, 40, 6175 (1989)
  13. A.Yu. Maslov, O.V. Proshina. Semiconductors, 53 (12), 1617 (2019)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.