Многократное изменение электрон-фононного взаимодействия в квантовых ямах с диэлектрически различными барьерами
Маслов А.Ю.1, Прошина О.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: maslov.ton@mail.ioffe.ru, proshina.ton@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 1 июля 2021 г.
В окончательной редакции: 2 августа 2021 г.
Принята к печати: 9 сентября 2021 г.
Выставление онлайн: 18 октября 2021 г.
Теоретически исследованы особенности взаимодействия заряженных частиц с полярными оптическими фононами для квантовых ям с несимметричными по своим диэлектрическим свойствам барьерами. Показано, что в узких квантовых ямах наибольший вклад дает взаимодействие с интерфейсными фононными модами. Найдены параметры электрон-фононного взаимодействия при различных значениях фононных частот в материалах барьеров. Показано, что в подобных структурах возможно значительное (почти на порядок) изменение параметров электрон-фононного взаимодействия, что в принципе позволяет проследить переход от слабого взаимодействия к сильному в однотипных квантовых ямах с различным составом материалов барьеров. Найдены условия, при которых в несимметричной структуре возможно усиление электрон-фононного взаимодействия по сравнению с симметричной структурой, в которой в качестве барьеров использованы те же материалы. Ключевые слова: квантовая яма, электрон-фононное взаимодействие, полярон, асимметричные барьеры.
- Z. Wang, K. Reinhardt, M. Dutta, M.A. Stroscio. Phonons in bulk and low-dimensional systems --- in Length-Scale Dependent Phonon Interactions; eds by S.L. Shinde and G.P. Srivastava (Springer, 2014)
- B.K. Ridley. Hybrid Phonons in Nanostructures (Oxford University Press, UK, 2017)
- A.Yu. Maslov, O.V. Proshina. In: Phonons in Low Dimensional Structures, ed. by V.N. Stavrou (IntechOpen Limited, London, UK, 2018) chap. 1, p. 3
- L.V. Asryan, F.I. Zubov, N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov, A.E. Zhukov. J. Phys.: Conf. Ser., 741, 012111 (2016)
- S. Das, R.K. Nayak, T. Sahu, A.K. Panda. IETE Techn. Rev., 33 (1), 17 (2016)
- W. Wang, W. Xie, Z. Deng, M. Liao. Micromachines, 10 (12), 875 (2019)
- А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, Д.А. Малевский, С.А. Минтаиров, А.М. Надточий, М.В. Нахимович, Ф.Ю. Солдатенков, М.З. Шварц, В.М. Андреев. ФТП, 55 (8), 699 (2021)
- А.В. Чекалин, А.В. Андреева, Н.Ю. Давидюк, Н.С. Потапович, Н.А. Садчиков, В.М. Андреев, Д.А. Малевский. ЖТФ, 91 (6), 913 (2021)
- F. Dimroth. Phys. Status Solidi C, 3 (3), 373 (2006)
- Zh.I. Alferov, V.M. Andreev, M.Z. Shvarts. High-Efficient Low-Cost Photovoltaics. Recent Developments (Switzerland AG, Springer Nature, 2020) chap. 8, p. 133
- F. Dimroth, T.N.D. Tibbits, M. Niemeyer, F. Predan, P. Beutel, C. Karcher, E. Oliva, G. Siefer, D. Lackner, P. Fub-Kailuweit, A.W. Bett, R. Krause, C. Drazek, E. Guiot, J. Wasselin, A. Tauzin, T. Signamarcheix. IEEE J. Photovoltaics, 6 (1), 343 (2016)
- M. Mori, T. Ando. Phys. Rev. B, 40, 6175 (1989)
- A.Yu. Maslov, O.V. Proshina. Semiconductors, 53 (12), 1617 (2019)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
