"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние нейтронного облучения на спектр дефектов с глубокими уровнями в GaAs, изготовленном методом жидкофазной эпитаксии в атмосфере водорода и аргона
Соболев М.М. 1, Солдатенков Ф.Ю. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: m.sobolev@mail.ioffe.ru, f.soldatenkov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 августа 2021 г.
В окончательной редакции: 27 августа 2021 г.
Принята к печати: 27 августа 2021 г.
Выставление онлайн: 18 октября 2021 г.

Представлены результаты экспериментальных исследований методами вольт-фарадных характеристик и нестационарной спектроскопии глубоких уровней плавных высоковольтных диодов p+-p0-i-n0-GaAs, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии при температурах начала кристаллизации 900oС из одного раствора-расплава за счет автолегирования фоновыми примесями, в атмосфере водорода или аргона, до облучения нейтронами и после. После облучения нейтронами в спектрах нестационарной спектроскопии глубоких уровней обнаружены широкие зоны кластера дефектов с акцептороподобными отрицательно заряженными ловушками в n0-слое, возникающие в результате эмиссии электронов из состояний, расположенных выше середины запрещенной зоны. Обнаружено, что различия вольт-фарадных характеристик структур, выращенных в атмосфере водорода и аргона, обусловлены разными дозами облучения p+-p0-i-n0-структур и разной степенью компенсации мелких донорных примесей глубокими ловушками в слоях. Ключевые слова: GaAs, нейтронное облучение, емкостная спектроскопия, p0-i-n0-переход, жидкофазная эпитаксия, водород, аргон.
  1. М.М. Соболев, Ф.Ю. Солдатенков, В.А. Козлов. ФТП, 50 (7), 941 (2016)
  2. М.М. Соболев, П.Н. Брунков, С.Г. Конников, М.Н. Степанова, В.Г. Никитин, В.П. Улин, А.Ш. Долбая, Т.Д. Камушадзе, Р.M. Майсурадзе. ФТП, 25 (6), 1058 (1989)
  3. П.Н. Брунков, С. Гайбуллаев, С.Г. Конников, В.Г. Никитин, М.И. Папенцев, М.М. Соболев. ФТП, 25 (2), 338 (1991)
  4. G.M. Martin, A. Mitonneau, A. Mircea. Electron. Lett., 13 (22), 666 (1977). http://dx.doi.org/10.1049/el:19770473
  5. G. Guiloiot. Rev. Phys. Appl., 23, 833 (1988). https://doi.org/10.1051/rphysap:01988002305083300
  6. Sh. Makram-Ebeid, P. Boher. Rev. Phys. Appl., 23, 847 (1988)
  7. C.E. Barnes, T.E. Zipperian, L.R. Dawson. J. Electron. Mater., 14 (2), 95, (1985). https://doi.org/10.1007/BF02656670
  8. R.M. Fleming, D.V. Lang, C.H. Seager, E. Bielejec, G.A. Patrizi, J.M. Campbell. J. Appl. Phys., 107, 123710 (2010). DOI: 10.1063/1.3448118
  9. D. Pons, J.C. Bourgoin. J. Phys. C: Solid State Phys., 18, 3839 (1985)
  10. В.Н. Брудный, В.В. Пешев. ФТП, 37 (2), 151 (2003)
  11. J.G. Williams, J.U. Patel, A.M. Ougouag, S.-Y. Yang. J. Appl. Phys., 70, 4931 (1991). https://doi.org/10.1063/1.349039
  12. Ф.Ю. Солдатенков, В.Г. Данильченко, В.И. Корольков. ФТП, 41 (2), 217 (2007)
  13. В.Г. Данильченко, В.И. Корольков, Ф.Ю. Солдатенков. ФТП, 43 (8), 1093 (2009)
  14. V.A. Kozlov, F.Y. Soldatenkov, V.G. Danil'chenko, V.I. Korol'kov, I.L. Shul'pina. Proc. 25th Adv. Semiconductor Manufacturing Conf. (Saratoga Springs, USA, 2014) p. 139. DOI: 10.1109/ASMC.2014.6847011
  15. Л.С. Берман, В.Г. Данильченко, В.И. Корольков, Ф.Ю. Солдатенков. ФТП, 34 (5), 558 (2000)
  16. M.M. Sobolev, F.Y. Soldatenkov, L. Shul'pina. J. Appl. Phys., 123, 161588 (2018). DOI: 10.1063/1.5011297
  17. М.М. Соболев, Ф.Ю. Солдатенков. ФТП, 54 (10), 177 (2018)
  18. М.М. Соболев, О.С. Кен, О.М. Сресели, Д.А. Явсин, С.А. Гуревич. Письма ЖТФ, 44 (7), 30 (2018)
  19. M.M. Sobolev, O.S. Ken, O.M. Sreseli, D.A. Yavsin, S.A. Gurevich. Semicond. Sci. Technol., 34, 085003 (2019). https://doi.org/10.1088/1361-6641/ab2c21
  20. М.М. Соболев, Ф.Ю. Солдатенков. ФТП, 52 (2), 1072 (2020)
  21. M.M. Sobolev, F.Y. Soldatenkov, V.G. Danil'chenko. J. Appl. Phys., 128, 095705 (2020). DOI: 10.1063/5.0018317
  22. A. Sharma, P. Kumar, B. Singh, S.R. Chaudhuri, S. Ghosh. Appl. Phys. Lett., 99, 023301 (2011). https://doi.org/10.1063/1.3607955
  23. М.М. Соболев, Д.А. Явсин, С.А. Гуревич. ФТП, 53 (10), 1431 (2019)
  24. H. Silva, H.L. Gomes, Yu.G. Pogorelov, P. Stallinga, D.M. de Leeuw, J.P. Araujo, J.B. Sousa, S.C.J. Meskers, G. Kakazei, S. Cardoso, P.P. Freitas. Appl. Phys. Lett., 94, 202107 (2009). DOI: 10.1063/1.3134484
  25. E.S. Yang. J. Appl. Phys., 45 (9), 3801 (1974)
  26. М.М. Соболев, А.В. Гитцович, М.И. Папенцев, И.В. Кочнев, Б.С. Явич. ФТП, 26 (10), 1760 (1992)
  27. Д.В. Давыдов, А.Л. Закгейм, Ф.М. Снегов, М.М. Соболев, А.Е. Черняков, А.С. Усиков, Н.М. Шмидт. Письма ЖТФ, 33 (4), 11 (2007)
  28. D. Stievenard, X. Boddaert, J.C. Bourgoin. Phys. Rev. B, 34, 4048 (1986). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.34.4048
  29. M.M. Sobolev, A.R. Kovsh, V.V. Ustinov, A.Y. Egorov, A.E. Zhukov, Y.G. Musikhin. J. Electron. Mater., 28, 491 (1999).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.