Вышедшие номера
Александр Александрович Орликовский (к 75-летию со дня рождения) [3mm]
Выставление онлайн: 19 ноября 2013 г.

12 июня 2013 года исполнилось 75 лет академику Российской академии наук (РАН) Александру Александровичу Орликовскому. Александр Александрович родился в Москве, окончил Московский инженерно-физический институт, доктор технических наук (1982 г.), профессор (1984 г.). С 1961 по 1963 гг. работал в Союзном научно-исследовательском институте приборостроения. В 1963-1966 гг. обучался в аспирантуре Московского института электронного машиностроения. Работал над диссертацией в НИИ "Пульсар". После защиты кандидатской диссертации работал старшим преподавателем, доцентом Московского института электронной техники. С 1981 г. работал старшим научным сотрудником сектора микроэлектроники Физического института им. П. Н. Лебедева АН СССР, с 1985 г. - заведующим лабораторией микроструктурирования и субмикронных приборов Института общей физики АН, а с 1988 г. - Физико-технологического института, с 2001 г. - заместителем директора по научной работе, а с 2005 г. - директором Физико-технологического института РАН. Академик А. А. Орликовский является одним из основоположников научных исследований в области физических основ технологии и элементной базы кремниевой микро- и наноэлектроники в нашей стране. Ему принадлежит ряд пионерских работ в этой области. Под его руководством созданы основы новых технологий металлизации, плазменных процессов травления, осаждения и имплантации, выполнен цикл исследований эпитаксии арсенида галлия на кремнии и создана технология тонких буферных слоев арсенида галлия на кремнии с низкой плотностью дислокаций, разработаны методы мониторинга плазменных процессов, высокочувствительные детекторы, томограф низкотемпературной плазмы, оригинальные конструкции широкоапертурных источников плотной плазмы и полностью автоматизированные плазмохимические установки травления, осаждения и плазмо-иммерсионной ионной имплантации на их основе. Успешно развиваются теоретические и экспериментальные исследования с целью создания твердотельных квантовых компьютеров и транзисторов с длиной канала порядка 10 нм, в том числе построена модель и рассчитаны вольт-амперные характеристики полевого транзистора с графеновым каналом, предложены оригинальные конструкции туннельного транзистора с графеновым каналом и туннельного транзистора с барьерами Шоттки для СБИС с ультранизкой потребляемой мощностью. [!t] А. А. Орликовский был избран членом-корреспондентом РАН в 2000 г., а в 2006 г. - действительным членом РАН. Он является автором и соавтором свыше 350 научных трудов, в том числе 2 монографий, и учебных пособий, патентов на изобретения, лауреатом премии Правительства РФ 2009 г. в области науки и техники и премии им. С. А. Лебедева РАН, награжден медалью 850-летия г. Москвы и орденом Дружбы. Среди его учеников доктора и кандидаты наук, в том числе руководители микроэлектронных производств. Александр Александрович более 45 лет занимается преподавательской деятельностью. В настоящее время является заведующим базовых кафедр физических и технологических проблем микроэлектроники МФТИ на базе Физико-технологического института РАН и кафедры нанотехнологий в электронике Ярославского государственного университета им. П. Г. Демидова (ЯрГУ) на базе Ярославского филиала Физико-технологического института (ЯФ ФТИАН). При ЯрГУ и ЯФ ФТИАН под научным руководством А. А. Орликовского созданы Научно-образовательный центр нанотехнологий и инноваций и Центр коллективного пользования "Диагностика микро- и наноструктур". По существу А. А. Орликовским совместно с академиком К. А. Валиевым создана научная школа по направлению "Физика и технология элементной базы кремниевой микро- и наноэлектроники и твердотельных квантовых компьютеров". Талантливый организатор науки, он как человек, ученый и гражданин обладает даром увлекать людей во имя высоких целей, создавать благоприятную творческую обстановку. Александр Александрович - бессменный председатель оргкомитета международной конференции "Микро- и наноэлектроника" (ICMNE), член Азиатско-тихоокеанской академии наук о материалах, главный редактор журнала "Микроэлектроника", председатель Научного совета "Фундаментальные проблемы создания элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем" и член бюро Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, председатель специализированного совета по защитам диссертаций. Мы от всей души поздравляем Александра Александровича с днем рождения, желаем ему крепкого здоровья и новых творческих успехов на благо Отечества. Коллеги, друзья, ученики и редколлегия журнала "Физика и техника полупроводников"
  1. C.H. Henry. IEEE J. Quant. Electron., 18 (2), 259 (1982)
  2. A.L. Schawlow, C.H. Townes. Phys. Rev., 112 (6), 1940 (1958)
  3. А.Е. Жуков, М.В. Максимов, А.Р. Ковш. ФТП, 46 (10), 1249 (2012)
  4. S. Fathpour, Z. Mi, P. Bhattacharya. J. Phys. D: Appl. Phys., 38 (13), 2103 (2005)
  5. J. Muszalski, J. Houlihan, G. Huyet, B. Corbett. Electron. Lett., 40 (7), 428 (2004)
  6. D.-Y. Cong, A. Martinez, K. Merghem, G. Moreau, A. Lema\^i tre, J.-G. Provost, O. Le Gouezigou, M. Fischer, I. Krestnikov, A.R. Kovsh, A. Ramdane. Electron. Lett., 43 (4), 222 (2007)
  7. S. Melnik, G. Huyet, A. Uskov. Opt. Express, 14 (7), 2950 (2006)
  8. K.C. Kim, I.K. Han, J.I. Lee, T.G. Kim. Nanotechnology, 21 (13), 134 010 (2010)
  9. S. Ghosh, S. Pradhan, P. Bhattacharya. Appl. Phys. Lett., 81 (16), 3055 (2002)
  10. P.K. Kondratko, S.-L. Chuang, G. Walter, T. Chung, N. Holonyak. Appl. Phys. Lett., 83 (23), 4818 (2003)
  11. I.D. Henning, J.V. Collins. Electron. Lett., 19 (22), 927 (1983)
  12. C. Harder, K. Vahala, A. Yariv. Appl. Phys. Lett., 42 (4), 328 (1983)
  13. A. Villafranca, J.A. Lazaro, I. Salinas, I. Garces. IEEE Phot. Techn. Lett., 17 (11), 2268 (2005)
  14. F. Devaux, Y. Sorel, J.F. Kerdiles. J. Lightwave Technol., 11 (12), 1937 (1993)
  15. B.W. Hakki, T.L. Paoli. J. Appl. Phys., 44 (9), 4113 (1973)
  16. A.R. Kovsh, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, A.P. Vasil'ev, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, D.A. Livshits, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. J. Cryst. Growth, 251 (1--4), 729 (2003)
  17. D.-Y. Cong, A. Martinez, K. Merghem, A. Ramdane, J.-G. Provost, M. Fischer, I. Krestnikov, A. Kovsh. Appl. Phys. Lett., 92 (19), 191 109 (2008)
  18. А.Е. Жуков, А.В. Савельев, М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, Е.М. Аракчеева, Ф.И. Зубов, А.А. Красивичев, Н.В. Крыжановская. ФТП, 46 (2), 235 (2012)
  19. A.R. Kovsh, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, A.P. Vasil'ev, Yu.M. Shemyakov, M.V Maximov, D.A. Livshits, VM. Ustinov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Electron. Lett., 38 (19), 1104 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.