Вышедшие номера
Исследование параметров двумерного электронного газа в квантовых ямах InGaN/GaN методом терагерцового плазмонного резонанса
Бурмистров Е.Р. 1, Авакянц Л.П.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Email: eugeni.conovaloff@yandex.ru
Поступила в редакцию: 26 мая 2021 г.
В окончательной редакции: 17 июня 2021 г.
Принята к печати: 22 июня 2021 г.
Выставление онлайн: 7 августа 2021 г.

Предложен новый подход к определению параметров двумерного электронного газа в квантовых ямах InGaN/GaN. В основе лежит метод терагерцовой спектроскопии с временным разрешением, в рамках которого проводилась регистрация терагерцовых частот двумерных плазмонных резонансов, возбуждаемых в исследуемых образцах гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN фемтосекундными лазерными импульсами на длине волны 797 нм. Показано осциллирующее поведение мощности выходного терагерцового излучения с минимумами в диапазоне частот 1-5 ТГц, что связано с возбуждением плазмонных колебаний в двумерном электронном газе, локализованном в квантовой яме InGaN/GaN. В процессе обработки терагерцовых спектров обнаружен эффект перенормировки эффективной массы двумерного электронного газа, а также модуляции фазы вблизи частот плазмонных резонансов с увеличением температуры образца от 90 до 170 K. Предложенный метод является бесконтактным и может быть использован в широком диапазоне температур. Ключевые слова: гетероструктура, плазмонный резонанс, квантовая яма, время релаксации, спектроскопия.