Вышедшие номера
Особенности спектров люминесценции ZnSе · О с привлечением теории антипересекающихся зон
Cтатья написана в рамках программы развития ТПУ, This research was supported by TPU development program
Олешко В.И. 1, Вильчинская С.С. 1, Морозова Н.К.2
1Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
2Национальный исследовательский университет "Московский энергетический институт", Москва, Россия
Email: oleshko@tpu.ru, svetvil@tpu.ru, morozovank@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 декабря 2020 г.
В окончательной редакции: 30 декабря 2020 г.
Принята к печати: 31 декабря 2020 г.
Выставление онлайн: 11 февраля 2021 г.

Представлены исследования на основе теории антипересекающихся зон влияния на спектры излучения структурных особенностей самоактивированного селенида цинка и кристаллов с активаторами. Разрозненность многочисленных литературных данных затрудняет понимание этого вопроса. Теория антипересекающихся зон, которая утвердилась в настоящее время, требует учитывать влияние изоэлектронной примеси кислорода, неизменно присутствующего в решетке ZnSе, на зонную структуру. Совершенствование методов расчета равновесия собственных точечных дефектов предполагает привлечение этих данных при анализе оптических свойств АIIВIV, в частности селенида цинка. Цель работы - исследование особенностей и природы полос люминесценции, широко используемых для получения информации о качестве кристаллов. Для этого были исследованы спектры фото-, катодо-, импульсной люминесценции и спектры возбуждения, а также спектры вынужденного свечения ZnSе в едином контексте с привлечением этих особенностей. Выявлены устойчивые состояния кристаллов с дефектами упаковки при введении активаторов или фоновой примеси меди. Результаты представляют интерес для диагностики кристаллов, пригодных для создания лазеров. Ключевые слова: изоэлектронные центры, активаторы, импульсная катодолюминесценция, вынужденное свечение, комплексы, связанный экситон, дефекты упаковки, мультизона.
  1. W. Walukiewicz, W. Shan, K.M. Yu, M.J. Seong, H. Alawadhi, A.K. Ramdas. Phys. Rev. Lett., 85 (7), 1552 (2000)
  2. Jingbo Li, Su-Huai Wei. Phys. Rev. B, 73, 041201 (2006)
  3. W. Shan, W. Walukiewicz, K.M. Yu, E.E. Haller, Y. Nabetani. Appl. Phys. Lett., 83 (2), 299 (2003)
  4. M.A. Mayer, Kin Man Yu, E.E. Haller, W. Walukiewicz. J. Appl. Phys., 111 (11), 113 (2012)
  5. K.M. Yu, W. Walukiewicz, J. Wu, W. Shan. Phys. Rev. Lett., 91 (24), 246403 (2003)
  6. Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос, Н.Д. Данилевич. (LAP, Saarbrucken Germany, 2013) с. 205
  7. Н.К. Морозова. Sciences of Europe, 1 (52), 28 (2020)
  8. Н.К. Морозова. Sciences of Europe, 1 (56), 21 (2020)
  9. Н.К. Морозова. Sciences of Europe, 1 (59), 57 (2020)
  10. М. Авен, Д.С. Пренер. Физика и химия соединений А2В6 (М., Мир, 1970) [пер. с англ. / под ред. С.А. Медведева]
  11. Д.А. Мидерос. Оптические свойства соединений А2В6 с изоэлектронной примесью кислорода с позиций теории антипересекающихсязон. Канд. дис. (М., МЭИ, 2008)
  12. J.D. Perkins, A. Mascarenhas, J.F. Geisz, D.J. Friedman. Phys. Rev. Lett., 82 (16), 3312 (1999)
  13. N.K. Morozova, I.N. Miroshnikova. Semiconductors, 54 (1), 102 (2020)
  14. В.И. Олешко. Пороговые процессы в твердых телах при взаимодействии с сильноточными электронными пучками. Докт. дис. (Томск, ТПУ, 2009)
  15. В.И. Олешко, В.Ф. Тарасенко, М.В. Ерофеев, С.С. Вильчинская. Изв. вузов. Физика. 63 (2), 117 (2020)
  16. Н.К. Морозова. Sciences of Europe, 2 (54), 28 (2020)
  17. В.В. Блинов. Оптика центров, обязанных присутствию кислорода и меди в соединениях A2B6 ( на примере ZnSe). Канд. дис. (М., МЭИ, 2003)
  18. N.K. Morozova, D.A. Mideros, E.M. Gavrishchuk, V.G. Galstyan. Semiconductors, 42 (2), 131 (2008).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.