Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Термоэлектрические свойства твердых растворов с катионным и анионным замещением на основе слоистого тетрадимитоподобного соединения GeSnSb₄Te₈

Гурбанов Г.Р.¹, Джафаров Т.А.², Адыгезалова М.Б.¹

¹Азербайджанский государственный университет нефти и промышленности, Баку, Азербайджан Azerbaijan State Oil and Industry University, Baku, Azerbaijan

Azerbaijan State Oil and Industry University, Baku, Azerbaijan

²Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан Azerbaijan State Pedagogical University, Baku, Azerbaijan

Azerbaijan State Pedagogical University, Baku, Azerbaijan

Email: ebikib@mail.ru, ceferovtapd75@gmail.com, mehpareadigozelova@yahoo.com

Поступила в редакцию: 18 января 2021 г.

В окончательной редакции: 21 января 2021 г.

Принята к печати: 21 января 2021 г.

Выставление онлайн: 11 февраля 2021 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Термоэлектрические свойства четвертного соединения GeSnSb₄Te₈ и твердых растворов GeSnSb_4-xBi_xTe_8-ySe_y исследованы в широком интервале температур 300-600 K. Замещение атомов Sb атомами Bi и атомов Te атомами Se в твердых растворах приводит к росту коэффициента термоэдс и уменьшению решеточной составляющей теплопроводности по сравнению с соответствующими характеристиками GeSnSb₄Te₈. Более низкие значения решеточной теплопроводности в сплавах с x=0.6, y=0.4 по сравнению c GeSnSb₄Te₈ связаны с искажениями из-за различия атомных масс и размеров атомов Sb и Bi, а также Te и Se. Показано, что с увеличением количества атомов, участвующих в замещениях в обеих подрешетках при образовании твердого раствора, максимум температурной зависимости термоэдс и минимум температурной зависимости теплопроводности сдвигаются в область более высоких температур, что обусловлено увеличением ширины запрещенной зоны. При увеличении содержания Bi и Se в твердых растворах уменьшается решеточная теплопроводность и соответственно увеличивается термоэлектрическая эффективность. Термоэлектрическая эффективность образца GeSnSb_4-xBi_xTe_8-ySe_y (x=0.6, y=0.4) имеет максимальное значение Z=3.34·10^-3 K^-1 при 300 K. Ключевые слова: GeSnSb₄Te₈, твердые растворы GeSnSb_4-xBi_xTe_8-ySe_y, коэффициент термоэдс, теплопроводность, электропроводность, термоэлектрическая эффективность.

M.G. Kanatzidis. Acc. Chem. Res., 38 (4), 361 (2005). https://doi.org/10.1021/ar040176w
Л.Е. Шелимова, О.Г. Карпинский, В.С. Земсков. Перспективные материалы, N 5, 23 (2000)
А.В. Шевелькова. Успехи химии, 77 (1), 3 (2008). https://doi.org/10.1070/RC2008v077n01ABEH003746
M.G. Kanatzidis. Semiconductors and Semimetals, ed. by T.M. Tritt (San Diego-San Francisco--N.Y.--Boston--London--Sydney--Tokyo, Academic Press, 2001) v. 69, p. 51. https://doi.org/10.1016/S0080-8784(01)80149-6
А.Ф. Иоффе. Полупроводниковые термоэлементы (М., АН СССР, 1960)
X. Zhang, L.-D. Zhao. J. Materiomics, 1, 92 (2015). https://doi.org/10.1016/j.jmat.2015.01.001
J.C. Zheng. Front. Phys. China, 3 (5), 269 (2008)
S. Twaha, J. Zhu, Y. Yan, B. Li. Renewable Sustainable Energy Rev., 65, 698 (2016). DOI: 10.1016/j.rser.2016.07.034
A. Sharma, J.H. Lee, K.H. Kim, J.P. Jung. J. Microelectron. Packag. Soc., 24 (1), 9 (2017). https://doi.org/10.6117/kmeps.2017.24.1.009
S. Patidar. Int. J. Res. Appl. Sci. Eng. Technol., 6 (5), 1992 (2018). DOI: 10.22214/ijraset.2018.5325
D. Champier. Energy Convers. Manage., 140, 167 (2017). DOI: 10.1016/j.enconman.2017.02.070
I. Petsagkourakis, K. Tybrandt, X. Crispin, I. Ohkubo, N. Satoh, T. Mori. Sci. Technol. Adv. Mater., 19 (1), 836 (2018). DOI: 10.1080/14686996.2018.1530938
Е. Kanimba, M. Pearson, J. Sharp, D. Stokes, S. Priya, Z. Tian. Energy, 142, 813 (2018). https://doi.org/10.1016/j.energy.2017.10.067
K. Gaurav, S.K. Pandey. J. Renewable Sustainable Energy, 9 (1), 014701-1-014701-13 (2017). https://doi.org/10.1063/1.4976125
H.S. Kim, K. Kikuchi, T. Itoh, T. Iida, M. Taya. Mater. Sci. Eng. B, 185, 45 (2014). https://doi.org/10.1016/j.mseb.2014.02.005
K. Huang, Y. Yan, B. Li, Y. Li, K. Li, J. Li. Automotive Innovation, 1, 54 (2018). https://doi.org/10.1007/s42154-018-0006-z
W. Liu, J. Hu, S. Zhang, M. Deng, C.-G. Han, Y. Liu. Materials Today Physics, 1, 50 (2017). https://doi.org/10.1016/j.mtphys.2017.06.001
J. Carmo, L. Goncalves, R. Wolffenbuttel, J. Correia. Sensors Actuators A, 161 (1-2), 199 (2010). 10.1016/j.sna.2010.05.010
B. Ramachandran, K.K. Wu, Y.K. Kuo, M.S. Ramachandra Rao. J. Phys. D: Appl. Phys., 48 (11), 115301 (2015)
М.Г. Мильвидский, В.Б. Уфимцев. Неорг. матер., 36 (3), 360 (2000)
Т.П. Сушкова, Г.В. Семенова, Е.В. Стрычина. Вестн. ВГУ, 1, 94 (2004)
A.A. Волыхов, Л.В. Яшина, В.И. Штанов. Неорг. матер., 72 (6), 662 (2006)
А.А. Волыхов, Л.В. Яшина, М.Е. Тамм, A.B. Рыженков. Неорг. матер., 45 (9), 1042 (2009)
A.R. West. Solid State Chemistry and its Applications, 2nd edn (N.Y., Wiley, 2014)
Л.Д.Иванова, Л.И. Петрова, Ю.В. Гранаткина. Неорг. матер., 52 (3), 289 (2016). https://doi.org/10.7868/S0002337X16030040
C.A. Асадов, A.H. Мамедов, C.A. Кулиева. Неорг. матер.. 52 (9), 942 (2016). DOI: https://doi.org/10.7868/S0002337X16090013
Л.И. Анатыкуч. Термоэлементы и термоэлектрические устройства (Киев, Наук. думка, 1940)
L.A. Kuznetsov, D.A. Rowe. J. Appl. Phys., 34 (5), 700 (2001)
M. Caputo, M. Panighel, S. Lisi, L. Khalil, G. Di Santo, E. Papalazarou, A. Hruban, M. Konczykowsky, L. Krusin-Elbaum, Z.S. Aliev. Nano Lett., 16, 3409 (2016). https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5b02635
M. Papagno, S.V. Еremeev, J. Fujii, Z.S. Aliev, M.B. Babanly, S.K. Mahatha, I. Vobornik, N.T. Mamedov, D. Pacile, E.V. Chulkov. ACS Nano, 10, 3518 (2016). https://doi.org/10.1021/acsnano.5b07750
C. Lamuta, D. Campi, A. Cupolillo, Z. Aliev, M. Babanly, E. Chulkov, A. Politano, L. Pagnotta. Scripta Mater., 121, 50 (2016). DOI: 10.1016/j.scriptamat.2016.04.036
L. Viti, D. Coquillat, A. Politano, K.A. Kokh et. al. Nano Lett., 16 (7), 80 (2016). https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5b02901
О.Г. Карпинский, Л.Е. Шелимова, М.А. Кретова, Е.С. Авилов, В.С. Земсков. Неорг. матер., 39 (3), 305 (2003)
Г.Р. Гурбанов, М.Б. Адыгезалова, А.Н. Мамедов, С.А. Гулиева. Moscow University Chem. Bull., 74 (3), 134 (2019). DOI: 10.3103/S0027131419030064

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель