"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Высокотемпературная люминесценция в светодиодной гетероструктуре n-GaSb/n-InGaAsSb/p-AlGaAsSb с высоким потенциальным барьером
Петухов А.А.1, Журтанов Б.Е.1, Калинина К.В.1, Стоянов Н.Д.1, Салихов Х.М.1, Михайлова М.П.1, Яков лев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 февраля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2013 г.

Исследованы электролюминесцентные свойства гетероструктуры n-GaSb/n-InGaAsSb/p-AlGaAsSb с высоким потенциальным барьером в зоне проводимости на гетерогранице II типа n-GaSb/n-InGaAsSb (Delta Ec=0.79 эВ). В спектре электролюминесценции наблюдалось две полосы с энергиями максимумов 0.28 и 0.64 эВ при 300 K, связанные с излучательной рекомбинацией в n-InGaAsSb и n-GaSb соответственно. Во всем исследованном диапазоне температур T=290-480 K в активной области n-InGaAsSb вследствие ударной ионизации горячими электронами, разогретыми за счет скачка потенциала в зоне проводимости, происходит образование дополнительных электронно-дырочных пар, дающих вклад в излучательную рекомбинацию, что приводит к нелинейному возрастанию интенсивности электролюминесценции и выходной оптической мощности с увеличением тока накачки. При нагреве в интервале температур T=290-345 K наблюдалось сверхлинейное, а при T>345 K линейное увеличение мощности излучения длинноволновой полосы. В данной работе впервые сообщается об увеличении мощности излучения светодиодной гетероструктуры с ростом температуры. Показано, что рост мощности излучения при увеличении температуры обусловлен уменьшением пороговой энергии ударной ионизации вследствие сужения запрещенной зоны активной области.
  1. Н.Д. Стоянов, Б.Е. Журтанов, А.П. Астахова, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37 (8), 996 (2003)
  2. А.А. Петухов, Б.Е. Журтанов, С.С. Молчанов, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. ЖТФ, 81 (4), 91 (2011)
  3. А.А. Петухов, С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. ЖТФ, 82 (1), 73 (2012)
  4. К.В. Калинина, М.П. Михайлова, Б.Е. Журтанов, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 47 (1), 75 (2013)
  5. М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 35 (5), 619 (2001)
  6. M. Levinshtein, S. Rumyntsev, M. Shur. Handbook series on semiconductor parameters (London, World Scientific Publishing Co. Pre. Ltd., 1999)
  7. A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya. Phys. Rev. B, 58 (7), 4039 (1998)
  8. Г.Г. Зегря, А.Д. Андреев. ЖЭТФ, 109 (2), 615 (1996)
  9. А.Н. Именков, Е.А. Гребенщикова, Б.Е. Журтанов, Т.Н. Данилова, М.А. Сиповская, Н.В. Власенко, Ю.П. Яковлев. ФТП, 38 (11), 1399 (2004)
  10. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во "Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова РАН", 1997)
  11. Б.Г. Гельмонт, З.Н. Соколова, И.Н. Яссиевич. ФТП, 16 (4), 592 (1982)
  12. C.C. Кижаев, С.С. Молчанов, Н.В. Зотова, Е.А. Гребенщикова, Ю.П. Яковлев, E. Hulicius, T. Simicek, K. Melichar, J. Pangrac. Письма ЖТФ, 27 (22), 66 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.