Исследованы электролюминесцентные свойства гетероструктуры n-GaSb/n-InGaAsSb/p-AlGaAsSb с высоким потенциальным барьером в зоне проводимости на гетерогранице II типа n-GaSb/n-InGaAsSb (Delta E_c=0.79 эВ). В спектре электролюминесценции наблюдалось две полосы с энергиями максимумов 0.28 и 0.64 эВ при 300 K, связанные с излучательной рекомбинацией в n-InGaAsSb и n-GaSb соответственно. Во всем исследованном диапазоне температур T=290-480 K в активной области n-InGaAsSb вследствие ударной ионизации горячими электронами, разогретыми за счет скачка потенциала в зоне проводимости, происходит образование дополнительных электронно-дырочных пар, дающих вклад в излучательную рекомбинацию, что приводит к нелинейному возрастанию интенсивности электролюминесценции и выходной оптической мощности с увеличением тока накачки. При нагреве в интервале температур T=290-345 K наблюдалось сверхлинейное, а при T>345 K линейное увеличение мощности излучения длинноволновой полосы. В данной работе впервые сообщается об увеличении мощности излучения светодиодной гетероструктуры с ростом температуры. Показано, что рост мощности излучения при увеличении температуры обусловлен уменьшением пороговой энергии ударной ионизации вследствие сужения запрещенной зоны активной области.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.