"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптическая ориентация электронов в компенсированных полупроводниках
Кокурин И.А.1,2, Петров П.В.1, Аверкиев Н.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, Саранск, Россия
Поступила в редакцию: 14 февраля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2013 г.

Представлена теория оптической ориентации носителей заряда в компенсированных полупроводниках AIIIBV и квантовых ямах на их основе в случае возбуждения электронов из состояния заряженного акцептора Mn- в зону проводимости. Установлено, что в квантовой яме GaAs/AlGaAs степень спиновой ориентации электронов в зоне проводимости при такой схеме возбуждения может достигать 85%. При этом рост степени ориентации не связан с расщеплением уровней за счет размерного квантования, а происходит за счет увеличения вклада тяжелых дырок в состояние акцептора вблизи центра дефекта. Показано, что степень циркулярной поляризации фотолюминесценции при рекомбинации термализованных электронов со дна зоны и дырки в основном состоянии акцептора в квантовой яме может превышать 70%.
  1. Оптическая ориентация, под ред. Ф. Майера, Б.П. Захарчени (Л., Наука, 1989)
  2. Spin Physics in Semiconductors, ed. by M.I. Dyakonov (Springer, Berlin, 2008)
  3. Yu. Kusrayev, G. Landwehr (Guest eds). Semicond. Sci. Technol., 23 (11), 110300 (2008). Special issue on optical orientation
  4. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  5. D.M. Eagles. J. Phys. Chem. Solids, 16, 76 (1960)
  6. M. Berciu, R. Chakarvorty, Y.Y. Zhou, M.T. Alam, K. Traudt, R. Jakiela, A. Barcz, T. Wojtowicz, X. Liu, J.K. Furdyna, M. Dobrowolska. Phys. Rev. Lett., 102, 247 202 (2009)
  7. M. Bozkurt, V.A. Grant, J.M. Ulloa, R.P. Campion, C.T. Foxon, E. Marega, G.J. Salamo, P.M. Koenraad. Appl. Phys. Lett., 96, 042 108 (2010)
  8. М.И. Дьяконов, В.И. Перель. ЖЭТФ, 60, 1954 (1971)
  9. М.И. Дьяконов, В.И. Перель. ФТП, 7, 2335 (1973)
  10. Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков. ФТТ, 30, 765 (1988)
  11. V.F. Sapega, T. Ruf, M. Cardona. Phys. Status Solidi B, 226, 339 (2001)
  12. Ю.М. Демков, В.Н. Островский. Метод потенциалов нулевого радиуса в атомной физике (Л., Изд-во ЛГУ, 1975)
  13. G. Lucovsky. Solid State Commun., 3, 299 (1965)
  14. В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ, 82, 237 (1982)
  15. A.M. Monakhov, K.S. Romanov, I.E. Panaiotti, N.S. Averkiev. Solid State Commun., 140, 422 (2006)
  16. И.А. Меркулов, В.И. Перель, М.Е. Портной. ЖЭТФ, 99, 1202 (1991)
  17. Е.Л. Ивченко, Ю.Б. Лянда-Геллер, Г.Е. Пикус. ЖЭТФ, 98, 989 (1990)
  18. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безузлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во ПИЯФ РАН, 1997)
  19. М.И. Дьяконов, В.И. Перель. ФТТ, 13, 3581 (1971)
  20. М.И. Дьяконов, В.Ю. Качоровский. ФТП, 20, 178 (1986)
  21. G. Dresselhaus. Phys. Rev., 100, 580 (1955)
  22. Ю.А. Бычков, Э.И. Рашба. Письма ЖЭТФ, 39, 66 (1984)
  23. N.S. Averkiev, L.E. Golub, M. Willander. J. Phys.: Condens. Matter, 14, R271 (2002)
  24. E.L. Ivchenko, G.E. Pikus. Superlattices and Other Heterostructures. Symmetry and Optical Phynomena (Springer, Berlin, 1997)
  25. M.P. Walser, U. Siegenthaler, V. Lechner, D. Schuh, S.D. Ganichev, W. Wegscheider, G. Salis. Phys. Rev. B, 86, 195 309 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.