Вышедшие номера
Образование акцепторных центров в CdHgTe под воздействием воды и термообработок
Сидоров Г.Ю.1, Сидоров Ю.Г.1, Швец В.А.1, Варавин В.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: sidorov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 25 ноября 2020 г.
В окончательной редакции: 7 декабря 2020 г.
Принята к печати: 16 декабря 2020 г.
Выставление онлайн: 10 января 2021 г.

Исследовано влияние деионизованной воды и прогрева образцов эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe на их холловские и эллипсометрические параметры. Обработка водой уменьшает показатель преломления естественного окисла CdxHg1-xTe с 2.1 до 1.2-1.4. Это означает, что происходит введение в окисел вещества с малым показателем преломления, таким как вода. Кипячение в воде приводит к образованию в CdxHg1-xTe акцепторов с концентрациями до 1019 см-3. Изменение кислотности среды от щелочной до кислой замедляет скорость образования акцепторов. Прогрев после выдержки в воде также приводит к образованию акцепторов. Сделано заключение, что вода, в том числе присутствующая в слое естественного окисла, приводит к образованию акцепторов в CdxHg1-xTe. Концентрация акцепторов растет с температурой обработки и количеством доступной воды. Ключевые слова: CdHgTe, естественный окисел, акцепторы, термообработка.