Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Образование акцепторных центров в CdHgTe под воздействием воды и термообработок
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Email: sidorov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 25 ноября 2020 г.
В окончательной редакции: 7 декабря 2020 г.
Принята к печати: 16 декабря 2020 г.
Выставление онлайн: 10 января 2021 г.
Исследовано влияние деионизованной воды и прогрева образцов эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe на их холловские и эллипсометрические параметры. Обработка водой уменьшает показатель преломления естественного окисла CdxHg1-xTe с 2.1 до 1.2-1.4. Это означает, что происходит введение в окисел вещества с малым показателем преломления, таким как вода. Кипячение в воде приводит к образованию в CdxHg1-xTe акцепторов с концентрациями до 1019 см-3. Изменение кислотности среды от щелочной до кислой замедляет скорость образования акцепторов. Прогрев после выдержки в воде также приводит к образованию акцепторов. Сделано заключение, что вода, в том числе присутствующая в слое естественного окисла, приводит к образованию акцепторов в CdxHg1-xTe. Концентрация акцепторов растет с температурой обработки и количеством доступной воды. Ключевые слова: CdHgTe, естественный окисел, акцепторы, термообработка.
- А.В. Филатов, Е.В. Сусов, А.В. Гусаров, Н.М. Акимова, В.В. Крапухин., В.В. Карпов, В.И. Шаевич. Оптич. журн., 76 (12), 49 (2009)
- W.M.C. Hughes, M.L. Swanson, J.C. Austin. J. Electron. Mater., 22 (8), 1011 (1993)
- P. Boieriu, C.H. Grein, J. Garland, S. Velicu, C. Fulk, A. Stoltz, L. Bubulac, J.H. Dinan, S. Sivananthan. J. Electron. Mater., 35 (6), 1885 (2006)
- G.Yu. Sidorov, Yu.G. Sidorov, V.S. Varavin. Phys. Status Solidi C, 7 (6), 1630 (2010)
- П.А. Бахтин, С.А. Дворецкий, С. Варавин, А.П. Коробкин, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров. ФТП, 38 (10), 1203 (2004)
- В.С. Варавин, Г.Ю. Сидоров, М.О. Гарифуллин, А.В. Вишняков, Ю.Г. Сидоров. ФТП, 45 (3), 408 (2011).
- М.В. Якушев, Д.В. Брунев, В.С. Варавин, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий, И.В. Марчишин, А.В. Предеин, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, А.В. Сорочкин. ФТП, 45 (3), 396 (2011)
- Zs. Rak, S.D. Mahanti, Krishna C. Mandal. J. Electron. Mater., 38 (8), 1539
- G.D. Davis, N.E. Byer, R.A. Riedel, R.R. Daniels, G. Margaritondo. J. Vac. Sci. Technol. A, 3 (1), 203 (1985).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
