"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Образование акцепторных центров в CdHgTe под воздействием воды и термообработок
Сидоров Г.Ю.1, Сидоров Ю.Г.1, Швец В.А.1, Варавин В.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: sidorov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 25 ноября 2020 г.
В окончательной редакции: 7 декабря 2020 г.
Принята к печати: 16 декабря 2020 г.
Выставление онлайн: 10 января 2021 г.

Исследовано влияние деионизованной воды и прогрева образцов эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe на их холловские и эллипсометрические параметры. Обработка водой уменьшает показатель преломления естественного окисла CdxHg1-xTe с 2.1 до 1.2-1.4. Это означает, что происходит введение в окисел вещества с малым показателем преломления, таким как вода. Кипячение в воде приводит к образованию в CdxHg1-xTe акцепторов с концентрациями до 1019 см-3. Изменение кислотности среды от щелочной до кислой замедляет скорость образования акцепторов. Прогрев после выдержки в воде также приводит к образованию акцепторов. Сделано заключение, что вода, в том числе присутствующая в слое естественного окисла, приводит к образованию акцепторов в CdxHg1-xTe. Концентрация акцепторов растет с температурой обработки и количеством доступной воды. Ключевые слова: CdHgTe, естественный окисел, акцепторы, термообработка.
  1. А.В. Филатов, Е.В. Сусов, А.В. Гусаров, Н.М. Акимова, В.В. Крапухин., В.В. Карпов, В.И. Шаевич. Оптич. журн., 76 (12), 49 (2009)
  2. W.M.C. Hughes, M.L. Swanson, J.C. Austin. J. Electron. Mater., 22 (8), 1011 (1993)
  3. P. Boieriu, C.H. Grein, J. Garland, S. Velicu, C. Fulk, A. Stoltz, L. Bubulac, J.H. Dinan, S. Sivananthan. J. Electron. Mater., 35 (6), 1885 (2006)
  4. G.Yu. Sidorov, Yu.G. Sidorov, V.S. Varavin. Phys. Status Solidi C, 7 (6), 1630 (2010)
  5. П.А. Бахтин, С.А. Дворецкий, С. Варавин, А.П. Коробкин, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров. ФТП, 38 (10), 1203 (2004)
  6. В.С. Варавин, Г.Ю. Сидоров, М.О. Гарифуллин, А.В. Вишняков, Ю.Г. Сидоров. ФТП, 45 (3), 408 (2011).
  7. М.В. Якушев, Д.В. Брунев, В.С. Варавин, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий, И.В. Марчишин, А.В. Предеин, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, А.В. Сорочкин. ФТП, 45 (3), 396 (2011)
  8. Zs. Rak, S.D. Mahanti, Krishna C. Mandal. J. Electron. Mater., 38 (8), 1539
  9. G.D. Davis, N.E. Byer, R.A. Riedel, R.R. Daniels, G. Margaritondo. J. Vac. Sci. Technol. A, 3 (1), 203 (1985).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.