Устойчивые к полевым повреждениям структуры кремний-сверхтонкий окисел (42 нм)-поликремний
Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation , study was performed within the framework of the state task , 075-01028-20-01/FIRE
Russian Foundation for Basic Research, mk, 18-29-11029
Russian Foundation for Basic Research, a, 19-07-00271
Russian Foundation for Basic Research, mk, 19-29-03042
Белорусов Д.А.
1, Гольдман Е.И.
1, Нарышкина В.Г.
1, Чучева Г.В.
11Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Фрязино, Россия
Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Поступила в редакцию: 24 августа 2020 г.
В окончательной редакции: 2 сентября 2020 г.
Принята к печати: 2 сентября 2020 г.
Выставление онлайн: 12 октября 2020 г.
Приведены результаты исследований структур кремний-сверхтонкий окисел (42 Angstrem)-поликремний, устойчивых к полевым повреждениям. Выяснилось, что происходящая с изменением полевого напряжения суммарная перезарядка сконцентрированных у границы раздела подложка-изолятор локализованных электронных состояний и неосновных носителей заряда близка к аналогичной характеристике структур с толщиной окисла 37 Angstrem. Ток через SiО2 в состоянии обогащения полупроводника увеличивается с напряжением гораздо сильнее, чем в состоянии обеднения. Причем асимметрия вольт-амперных характеристик по отношению к полярности падающего на изоляторе напряжения у образцов с толщиной SiО2 42 Angstrem более резко выражена, чем у структур с окислом 37 Angstrem. Объяснение такой асимметрии возможно, если потенциальный рельеф в изоляторе имеет максимум, существенно смещенный к границе раздела окисел - поликремний, а потенциал на ветви со стороны полупроводника значительно спадает к контакту с подложкой. Ключевые слова: структуры металл-диэлектрик-полупроводник, сверхтонкий окисел, полевое повреждение, высокочастотные вольт-фарадные характеристики, вольт-амперные характеристики.
- J.S. Suehle. In: Defects in Microelectronic Materials and Devices, ed. by D.M. Fleetwood, S.T. Pantelides, R.D. Schrimpf (Boca Raton, CRC Press, 2008) chap. 15, p. 437
- J. Sune, Ern. Y. Wu. In: Defects in Microelectronic Materials and Devices, ed. by D.M. Fleetwood, S.T. Pantelides, R.D. Schrimpf (Boca Raton, CRC Press, 2008) chap. 16, p. 465
- Е.И. Гольдман, Н.Ф. Кухарская, В.Г. Нарышкина, Г.В. Чучева. ФТП, 45 (7), 974 (2011)
- Е.И. Гольдман, А.И. Левашова, С.А. Левашов, Г.В. Чучева. ФТП, 49 (4), 483 (2015)
- Е.И. Гольдман, С.А. Левашов, В.Г. Нарышкина, Г.В. Чучева. ФТП, 51 (9), 1185 (2017)
- Е.И. Гольдман, С.А. Левашов, Г.В. Чучева. ФТП, 53 (4), 481 (2019)
- Е.И. Гольдман, Н.Ф. Кухарская, С.А. Левашов, Г.В. Чучева. ФТП, 53 (1), 46 (2019)
- Е.И. Гольдман, Ю.В. Гуляев, Г.В. Чучева. Радиотехника, 8, 58 (2015)
- А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев на кремнии (Л., Изд-во ЛГУ, 1988)
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Н.Ф. Кухарская, М.В. Черняев. ФТП, 42 (1), 94 (2008)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
