"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Устойчивые к полевым повреждениям структуры кремний-сверхтонкий окисел (42 нм)-поликремний
Переводная версия: 10.1134/S1063782621010036
Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation , study was performed within the framework of the state task , 075-01028-20-01/FIRE
Russian Foundation for Basic Research, mk, 18-29-11029
Russian Foundation for Basic Research, a, 19-07-00271
Russian Foundation for Basic Research, mk, 19-29-03042
Белорусов Д.А.1, Гольдман Е.И. 1, Нарышкина В.Г. 1, Чучева Г.В. 1
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Фрязино, Россия
Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Поступила в редакцию: 24 августа 2020 г.
В окончательной редакции: 2 сентября 2020 г.
Принята к печати: 2 сентября 2020 г.
Выставление онлайн: 12 октября 2020 г.

Приведены результаты исследований структур кремний-сверхтонкий окисел (42 Angstrem)-поликремний, устойчивых к полевым повреждениям. Выяснилось, что происходящая с изменением полевого напряжения суммарная перезарядка сконцентрированных у границы раздела подложка-изолятор локализованных электронных состояний и неосновных носителей заряда близка к аналогичной характеристике структур с толщиной окисла 37 Angstrem. Ток через SiО2 в состоянии обогащения полупроводника увеличивается с напряжением гораздо сильнее, чем в состоянии обеднения. Причем асимметрия вольт-амперных характеристик по отношению к полярности падающего на изоляторе напряжения у образцов с толщиной SiО2 42 Angstrem более резко выражена, чем у структур с окислом 37 Angstrem. Объяснение такой асимметрии возможно, если потенциальный рельеф в изоляторе имеет максимум, существенно смещенный к границе раздела окисел - поликремний, а потенциал на ветви со стороны полупроводника значительно спадает к контакту с подложкой. Ключевые слова: структуры металл-диэлектрик-полупроводник, сверхтонкий окисел, полевое повреждение, высокочастотные вольт-фарадные характеристики, вольт-амперные характеристики.
  1. J.S. Suehle. In: Defects in Microelectronic Materials and Devices, ed. by D.M. Fleetwood, S.T. Pantelides, R.D. Schrimpf (Boca Raton, CRC Press, 2008) chap. 15, p. 437
  2. J. Sune, Ern. Y. Wu. In: Defects in Microelectronic Materials and Devices, ed. by D.M. Fleetwood, S.T. Pantelides, R.D. Schrimpf (Boca Raton, CRC Press, 2008) chap. 16, p. 465
  3. Е.И. Гольдман, Н.Ф. Кухарская, В.Г. Нарышкина, Г.В. Чучева. ФТП, 45 (7), 974 (2011)
  4. Е.И. Гольдман, А.И. Левашова, С.А. Левашов, Г.В. Чучева. ФТП, 49 (4), 483 (2015)
  5. Е.И. Гольдман, С.А. Левашов, В.Г. Нарышкина, Г.В. Чучева. ФТП, 51 (9), 1185 (2017)
  6. Е.И. Гольдман, С.А. Левашов, Г.В. Чучева. ФТП, 53 (4), 481 (2019)
  7. Е.И. Гольдман, Н.Ф. Кухарская, С.А. Левашов, Г.В. Чучева. ФТП, 53 (1), 46 (2019)
  8. Е.И. Гольдман, Ю.В. Гуляев, Г.В. Чучева. Радиотехника, 8, 58 (2015)
  9. А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев на кремнии (Л., Изд-во ЛГУ, 1988)
  10. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Н.Ф. Кухарская, М.В. Черняев. ФТП, 42 (1), 94 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.