Приведены результаты исследований структур кремний-сверхтонкий окисел (42 Angstrem)-поликремний, устойчивых к полевым повреждениям. Выяснилось, что происходящая с изменением полевого напряжения суммарная перезарядка сконцентрированных у границы раздела подложка-изолятор локализованных электронных состояний и неосновных носителей заряда близка к аналогичной характеристике структур с толщиной окисла 37 Angstrem. Ток через SiО₂ в состоянии обогащения полупроводника увеличивается с напряжением гораздо сильнее, чем в состоянии обеднения. Причем асимметрия вольт-амперных характеристик по отношению к полярности падающего на изоляторе напряжения у образцов с толщиной SiО₂ 42 Angstrem более резко выражена, чем у структур с окислом 37 Angstrem. Объяснение такой асимметрии возможно, если потенциальный рельеф в изоляторе имеет максимум, существенно смещенный к границе раздела окисел - поликремний, а потенциал на ветви со стороны полупроводника значительно спадает к контакту с подложкой. Ключевые слова: структуры металл-диэлектрик-полупроводник, сверхтонкий окисел, полевое повреждение, высокочастотные вольт-фарадные характеристики, вольт-амперные характеристики.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.