Исследованы люминесцентные и фотоэлектрические свойства гетероструктур с глубокой квантовой ямой Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb, выращенных на подложках n-GaSb методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Наблюдалась интенсивная суперлинейная люминесценция и увеличение оптической мощности в зависимости от тока накачки в диапазоне энергий фотонов 0.6-0.8 эВ при температурах T=77 и 300 K. Детально изучены фотоэлектрические, вольт-амперные и емкостные характеристики исследуемых наноструктур. Фотоответ исследовался при работе фотодетектора в фотовольтаическом режиме в спектральном диапазоне 0.9-2.0 мкм. Максимум чувствительности при комнатной температуре наблюдался на длине волны 1.55 мкм. Проведены оценки квантовой эффективности, обнаружительной способности и быстродействия фотодетекторов. Квантовая эффективность и обнаружительная способность в максимуме спектра при комнатной температуре достигали величин eta=0.6-0.7 и D^*_lambdamax=(5-7)· 10¹⁰ см·Гц^1/2·Вт^-1 соответственно. Быстродействие фотодиода, определяемое по времени нарастания импульса фотоотклика на уровне 0.1-0.9, составляет величину 100-200 пс. Полоса пропускания фотодиодов достигает 2-3 ГГц. Фотодетекторы с глубокой квантовой ямой Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb, выращенные на подложках n-GaSb, перспективны для использования в системах гетеродинного приема и в информационных технологиях.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.