"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоэлектрические и люминесцентные свойства наногетероструктур на основе GaSb с глубокой квантовой ямой Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
Михайлова М.П.1, Андреев И.А.1, Иванов Э.В.1, Коновалов Г.Г.1, Гребенщикова Е.А.1, Яковлев Ю.П.1, Hulicius E.2, Hospodkova A.2, Pangrac Y.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institute of Physics, Academy of Sciences of Czech Republic, v.v.i Prague, Czech Republic
Поступила в редакцию: 29 декабря 2012 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2013 г.

Исследованы люминесцентные и фотоэлектрические свойства гетероструктур с глубокой квантовой ямой Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb, выращенных на подложках n-GaSb методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Наблюдалась интенсивная суперлинейная люминесценция и увеличение оптической мощности в зависимости от тока накачки в диапазоне энергий фотонов 0.6-0.8 эВ при температурах T=77 и 300 K. Детально изучены фотоэлектрические, вольт-амперные и емкостные характеристики исследуемых наноструктур. Фотоответ исследовался при работе фотодетектора в фотовольтаическом режиме в спектральном диапазоне 0.9-2.0 мкм. Максимум чувствительности при комнатной температуре наблюдался на длине волны 1.55 мкм. Проведены оценки квантовой эффективности, обнаружительной способности и быстродействия фотодетекторов. Квантовая эффективность и обнаружительная способность в максимуме спектра при комнатной температуре достигали величин eta=0.6-0.7 и D*lambdamax=(5-7)· 1010 см·Гц1/2·Вт-1 соответственно. Быстродействие фотодиода, определяемое по времени нарастания импульса фотоотклика на уровне 0.1-0.9, составляет величину 100-200 пс. Полоса пропускания фотодиодов достигает 2-3 ГГц. Фотодетекторы с глубокой квантовой ямой Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb, выращенные на подложках n-GaSb, перспективны для использования в системах гетеродинного приема и в информационных технологиях.
  1. S. Haywood, M. Missons. In: Mid-Infrared Semiconductor Optoelectronics, ed. by A. Krier (Springer Series in Optical Sciences, 2006) p. 429
  2. B.E. Levine. J. Appl. Phys., 74, R1 (1996)
  3. E. Luna, A. Gusman, J. Sanches-Rocha et al. Infr. Phys. Technol., 44, 383 (2003)
  4. N. Georgiev, T. Dekorsy, F. Eichhorn, M. Helm, M.P. Semtsiv, W.T. Masselink. Appl. Phys. Lett., 83, 210 (2003)
  5. Y. Touv skova, E. Hulicius, J. Pangrac, T. v Simev cek, V. Yurka, P. Hubik, Y.Y. Marev s, Y. Kriv stofik. Appl. Phys. Lett., 95, 1811 (2004)
  6. М.П. Михайлова, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев, E. Hulicius, A. Hospodkova, J. Pangrac, T. v Simev cek. ФТП, 44 (2), 69 (2010)
  7. М.П. Михайлова, И.А. Андреев, К.Д. Моисеев, Э.В. Иванов, Г.Г. Коновалов, М.Ю. Михайлов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 45 (2), 251 (2011)
  8. K.D. Moiseev, E.V. Ivanov, G.G. Zegrya, M.P. Mikhailova, Yu.P. Yakovlev, E. Hulicius, A. Hospodkova, J. Pangrac, K. Melichar, T. v Simev cek. Appl. Phys. Lett., 88, 132 102 (2006)
  9. M.P. Mikhailova, E.V. Ivanov, L.V. Danilov, K.V. Kalinina, N.D. Stoyanov, G.G. Zegrya, Yu.P. Yakovlev, E. Hulicius, A. Hospodkova, J. Pangrac, M. Zikova. J. Appl. Phys., 112 (2), 023108 (2012)
  10. H. Kroemer. Physica E, 20 (3--4), 196 (2004)
  11. Л.В. Данилов, Г.Г. Зегря. ФТП, 42 (5), 566 (2008) [Semiconductors, 42, 550 (2008)]
  12. J.H. Smet, L.H. Peng, Y. Hirayama, G.G. Tonslad. Appl. Phys. Lett., 64, 986 (1994)
  13. Yu.P. Yakovlev, I.A. Andreev, S.S. Kizhaev, E.V. Kunitsyna, M.P. Mikhailova. Proc. SPIE, 6636, 66360D-1 (2000)
  14. M.P. Mikhailova, I.A. Andreev, K.D. Moiseev, E.V. Ivanov, N.D. Stoyanov, Yu.P. Yakovlev, E. Hulicius, A. Hospodkova, J. Pangrac, K. Melichar. Proc. SPIE, 7138, 713 813 (2008)
  15. Каталог фирмы Hamamatsu Photonics: http://hamamatsu.com

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.