"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Calculation of the Ga+ FIB ion dose distribution by SEM image
Полная версия: 10.1134/S1063782620120246
Mitrofanov M.I.1, Voznyuk G.V.1, Rodin S.N.1, Lundin W.V.1, Evtikhiev V.P.1, Tsatsulnikov A.F.2, Kaliteevski M.A.3
1Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
2E Center, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
3ITMO University, St. Petersburg, Russia
Email: maxi.mitrofanov@gmail.com
Поступила в редакцию: 23 июня 2020 г.
Выставление онлайн: 11 сентября 2020 г.

A new approach for calculating the ion dose spatial distribution of the focused ion beam is proposed. The approach is based on the analysis of the secondary electron microscopy image of the area irradiated by the focused ion beam. Keywords: FIB, focused ion beam distribution, ion beam lithography.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.