Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

MOS solar cells with oxides deposited by sol-gel spin-coating techniques

Huang Chia-Hong¹, Chang Chung-Cheng², Tsai Jung-Hui¹

¹Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University, Kaohsiung, Taiwan
²Department of Electrical Engineering, National Taiwan Ocean University, Keelung, Taiwan

Поступила в редакцию: 23 августа 2012 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

The metal-oxide-semiconductor (MOS) solar cells with sol-gel derived silicon dioxides (SiO₂) deposited by spin coating are proposed in this study. The sol-gel derived SiO₂ layer is prepared at low temperature of 450^oC. Such processes are simple and low-cost. These techniques are, therefore, useful for large-scale and large-amount manufacturing in MOS solar cells. It is observed that the short-circuit current density (I_sc) of 2.48 mA, the open-circuit voltage (V_os) of 0.44 V, the fill factor (FF) of 0.46 and the conversion efficiency (eta%) of 2.01% were obtained by means of the current-voltage (I-V) measurements under AM 1.5 (100 mW/cm²) irradiance at 25^oC in the MOS solar cell with sol-gel derived SiO₂.

A.G. Aberle, B. Kuhlmann, R. Meyer, A. Hubner, C. Hampe, R. Hezel. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 4 (3), 193 (1996)
C.Y. Wabng, J.C. Hwu. J. Electrochem. Soc., 156 (3), H181 (2009)
C.-C. Wu, F.-H. Ko, W.-L. Yang, H.-C. You, F.-K. Liu, C.-C. Yeh, P.-L. Liu, C.-K. Tung, C.-H. Cheng. IEEE Electron. Dev. Lett., 31 (7), 746 (2010)
E.S.P. Leong, M.K. Chong, S.F. Yu, K. Pita. IEEE Phot. Techn. Lett., 16 (11), 2418 (2004)
G.M. Ali, P. Chakrabarti. Appl. Phys. Lett., 97 (3), 031 116 (2010)
A.K.K. Kyaw, X.W. Sun, C.Y. Jiang, G.O. Lo, D.W. Zhao, D.L. Kwong. Appl. Phys. Lett., 93 (22), 211 107 (2008)
S.V. Nitta, V. Pisupatti, A. Jain, P.C. Wayner, W.N. Gill, J.L. Plawsky. J. Vac. Tech. B, 17 (1), 205 (1999)
C. McDonagh, F. Sheridan, T. Butler, B.D. MacGraith. J. of Non-Cryst. Sol., 194 (1--2), 72 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель