"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние потенциала рассеяния на радиационных дефектах на перенос носителей заряда в GaAs-структурах
Переводная версия: 10.1134/S1063782620090328
Министерство образования и науки Российской Федерации, Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы, RFMEFI62020X0003
Забавичев И.Ю. 1,2, Пузанов А.С. 1,2, Оболенский С.В. 1,2, Козлов В.А. 3
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Филиал "Российского федерального ядерного Всероссийского научно-исследовательского института экспериментальной физики" "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", Нижний Новгород, Россия
3Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: zabavichev.rf@gmail.com, aspuzanov@inbox.ru, obolensk@rf.unn.ru, kozlov@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 15 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 21 апреля 2020 г.
Принята к печати: 21 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 11 июня 2020 г.

Проведено численное моделирование изменения подвижности носителей заряда после радиационного воздействия в GaAs-структурах. Для каждого исследуемого потенциала рассеяния получены значения модельных параметров, при которых результаты расчета согласуются с экспериментальными данными. Впервые показано, что вид потенциала рассеяния на радиационных дефектах определяет временную и пространственную динамику всплеска скорости в коротких структурах. Ключевые слова: метод Монте-Карло, кластер радиационных дефектов, эффект всплеска скорости.
  1. International Roadmap for Devices and Systems. 2017 Edn, Copyright\@2018 IEEE
  2. М.А. Китаев, С.В. Оболенский, Н.В. Демарина, В.К. Киселев. Вестн. Нижегородского ун-та им. Н.И. Лобачевского. Сер.: физика твердого тела, 1, 137 (2000)
  3. К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, Е.В. Орехов, Л.М. Самбурский, А.П. Ятманов, А.В. Воеводин. Сб. тр. 5-й Всеросс. науч.-техн. конф. " Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем --- 2012" (М., 2012)
  4. Ю. Пожела. Физика быстродействующих транзисторов (Вильнюс, Мокслас, 1989)
  5. М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)
  6. В.П. Кладько, В.П. Пляцко. ФТП, 32 (3), 261 (1998)
  7. Е.В. Киселева, С.В. Оболенский. Вестн. Нижегородского ун-та им. Н.И. Лобачевского. Сер.: физика твердого тела, 1, 20 (2003)
  8. И.Ю. Забавичев, Е.С. Оболенская, А.А. Потехин, А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.А. Козлов. ФТП, 51 (11), 1489 (2017)
  9. А.С. Давыдов. Теория твердого тела (М., Наука, 1976)
  10. T.M. Flanagen. IEEE Trans. Nucl. Sci., 15 (6), 42 (1968)
  11. M. Bertolotti. J. Appl. Phys., 12, 2645 (1967)
  12. И.Ю. Забавичев, А.А. Потехин, А.С. Пузанов, C.В. Оболенский, В.А. Козлов. ФТП, 53 (9), 1279 (2019)
  13. B.R. Gossick. J. Appl. Phys., 30 (8), 1214 (1959)
  14. R.M. Fleming, C.H. Seager, D.V. Lang, E. Bielejec, J.M. Campbell. J. Appl. Phys., 102, 043711 (2007)
  15. Е.В. Киселева, С.В. Оболенский. Физика и химия обраб. материалов, 3, 29 (2005)
  16. И.Ю. Забавичев, А.А. Потехин, А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.А. Козлов. ФТП, 51 (11), 1520 (2017)
  17. В.К. Киселев, С.В. Оболенский, А.С. Пузанов, А.В. Скупов. Журн. радиоэлектроники, 17 (2), 10 (2014)
  18. Н.В. Демарина, С.В. Оболенский, В.К. Киселев. Вестн. Нижегородского ун-та им. Н.И. Лобачевского. Сер.: физика твердого тела, 1, 131 (2000)
  19. С. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977)
  20. А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.А. Козлов. Научно-технический сборник " Радиационная стойкость электронных систем --- Стойкость-2016" (М., НИЯУ МИФИ, 2016) с. 69
  21. А.С. Пузанов, С.В. Оболенский. Тез. докл. VI Всеросс. конф. (Нижний Новгород, 2016) с. 89
  22. Н.В. Демарина, С.В. Oболенский. ЖТФ, 72 (1), 66 (2002)
  23. Е.В. Киселева, С.В. Оболенский. Вопросы атомной науки и техники. Сер.: физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, 1, 46 (2004)
  24. Д. Ланг. Точечные дефекты в твердых телах (М., Мир, 1979)
  25. Б.А. Калин. Физическое материаловедение. Т. 4. Физические основы прочности. Радиационная физика твердого тела. Компьютерное моделирование (М., МИФИ, 2008)
  26. Р. Зулиг. В кн.: Арсенид галлия в микроэлектронике (М., Мир, 1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.