Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптические и транспортные свойства эпитаксиальных пленок Pb_0.74Sn_0.26Te(In) с модифицируемой поверхностью

DOI: 10.21883/FTP.2020.09.49828.20

Переводная версия: 10.1134/S1063782620090134

Иконников А.В.¹, Дудин В.C.¹, Артамкин А.И.¹, Акимов А.Н.², Климов А.Э.^2,3, Терещенко О.Е.^2,4, Рябова Л.И.¹, Хохлов Д.Р.^1,5

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

²Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

³Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State Technical University, Novosibirsk, Russia

⁴Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

⁵Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Email: antikon@physics.msu.ru

Поступила в редакцию: 15 апреля 2020 г.

В окончательной редакции: 21 апреля 2020 г.

Принята к печати: 21 апреля 2020 г.

Выставление онлайн: 11 июня 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследований оптических и транспортных свойств эпитаксиальных пленок Pb_0.74Sn_0.26Te(In) с различной обработкой поверхности. Сравнительный анализ полученных данных позволил установить, что характерные особенности спектров фотопроводимости определяются процессами в объеме пленки, а поверхностные состояния на спектры практически не влияют. При этом кинетика фотоотклика и скорость релаксационных процессов в существенной степени зависят от состояния поверхности. Характерные времена релаксации неравновесных носителей заряда (порядка нескольких мс) позволяют использовать методы стандартной фурье-спектроскопии для характеризации оптических переходов в объеме. Ключевые слова: фотопроводимость, кинетика релаксации, поверхностные состояния, PbSnTe.

Lead Chalcogenides: Physics \& Applications, ed. by D. Khokhlov (N.Y., Taylor \& Francis, 2003)
A. Rogalski. Opto-Electron. Rev., 20, 279 (2012)
G. Bauer, H. Burkhard. J. Appl. Phys., 47, 1721 (1976)
В.И. Кайданов, Ю.И. Равич. УФН, 145, 51 (1985)
Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. УФН, 172, 875 (2002)
Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. Письма ЖЭТФ, 80, 143 (2004)
D.R. Khokhlov, I.I. Ivanchik, S.N. Raines. Appl. Phys. Lett., 76, 2835 (2000)
Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. УФН, 184, 1033 (2014)
B.A. Akimov, V.A. Bogoyavlenskiy, L.I. Ryabova, V.N. Vasil'kovd, S.P. Zimin. Semicond. Sci. Technol., 19, 679 (1999)
S. de Castro, D.A.W. Soares, M.L. Peres, P.H.O. Rappl, E. Abramof. Appl. Phys. Lett., 105, 162105 (2014)
M.A.B. Tavares, M.J. da Silva, M.L. Peres, S. de Castro, D.A.W. Soares, A.K. Okazaki, C.I. Fornari, P.H.O. Rappl, E. Abramof. Appl. Phys. Lett., 110, 042102 (2017)
И.И. Засавицкий, А.В. Матвеенко, Б.Н. Мацонашвили, В.Т. Трофимов. ФТП, 20, 214 (1986)
А.В. Иконников, В.И. Черничкин, Д.А. Акопян, В.С. Дудин, Д.Е. Долженко, А.В. Никорич, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. Физика низких температур, 45, 165 (2019)
B.A. Akimov, D.R. Khokhlov. Semicond. Sci. Technol., 8, S349 (1993)
А.Н. Акимов, А.Э. Климов, С.В. Морозов, С.П. Супрун, В.С. Эпов, А.В. Иконников, М.А. Фадеев, В.В. Румянцев. ФТП, 50, 1713 (2016)
А.Н. Акимов, А.Э. Климов, Н.С. Пащин, А.С. Ярошевич, М.Л. Савченко, В.С. Эпов, Е.В. Федосеенко. ФТП, 51, 1574 (2017)
А.В. Иконников, В.И. Черничкин, В.C. Дудин, Д.А. Акопян, А.Н. Акимов, А.Э. Климов, О.Е. Терещенко, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. ФТП, 53, 1303 (2019)
А.Э. Климов, В.Н. Шумский. Матричные фотоприемные устройства (Новосибирск, Наука, 2001)
O.E. Tereshenko, S.I. Chikicev, A.S. Terekhov. J. Vac. Sci. Technol. A, 17, 2655 (1999)
W. Anderson. IEEE J. Quant. Electron., 13, 532 (1977)
А.С. Тарасов, Д.В. Ищенко, А.Н. Акимов, И.О. Ахундов, В.А. Голяшов, А.Э. Климов, Н.С. Пащин, С.П. Супрун, Е.В. Федосенко, В.Н. Шерстякова, О.Е. Терещенко. ЖТФ, 89, 1795 (2019)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель