Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Синтез InGaN-наноструктур развитой морфологии на кремнии: влияние температуры подложки на морфологические и оптические свойства

DOI: 10.21883/FTP.2020.09.49826.18

Переводная версия: 10.1134/S1063782620090237

Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, RFMEFI61619X0115

Резник Р.Р.¹, Гридчин В.О.², Котляр К.П.², Крыжановская Н.В.², Морозов С.В.^3,4, Цырлин Г.Э.^2,5

¹Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

⁴Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

⁵Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

Email: moment92@mail.ru

Поступила в редакцию: 15 апреля 2020 г.

В окончательной редакции: 21 апреля 2020 г.

Принята к печати: 21 апреля 2020 г.

Выставление онлайн: 11 июня 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована зависимость морфологических характеристик и оптических свойств InGaN-наноструктур разветвленной морфологии на поверхности Si(111) от температуры подложки при выращивании методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что при увеличении температуры подложки увеличивается высота наноколонн InGaN, формирующихся на начальном этапе роста. Увеличение температуры роста InGaN-наноструктур также приводит к увеличению интенсивности спектров фотолюминесценции от таких структур, причем зависимости интегральной интенсивности фотолюминесценции от плотности мощности возбуждения являются линейными. Эти факты указывают на перспективность структур для оптических приложений, в частности для создания белых светодиодов на основе единого материала. Ключевые слова: наноструктуры, InGaN, кремний, молекулярно-пучковая эпитаксия, полупроводники, оптоэлектроника.

T.D. Moustakas, E. Iliopoulos, A.V. Sampath, H.M. Ng, D. Doppalapodi, M. Misra, D. Korakakis, R. Singh. J. Cryst. Growth, 227, 13 (2001)
J. Li, J.Y. Lin, H.X. Jiang. Appl. Phys. Lett., 93 (16), 162107 (2008)
F.K. Yam, Z. Hassan. Superlatt. Microstr., 43 (1), 23 (2008)
I. Ho, G.B. Stringfellow. Appl. Phys. Lett., 69 (18), 2703 (1996)
M. Lopez, M. Auf der Maur, A. Pecchia, F. Sacconi, G. Penazzi, A. Di Carlo. IEEE, 113 (2013)
H.J. Xiang, W. Su-Huai, J.L.F. Da Silva, L. Jingo. Phys. Rev. B, 78 (19), 193301 (2008)
V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov. Semiconductors, 43 (12), 1539 (2009)
R.R. Reznik, K.P. Kotlyar, N.V. Kryzhanovskaya, S.V. Morozov, G.E. Cirlin. Tech. Phys. Lett., 45 (11), 1113 (2019)
R.R. Reznik, K.P. Kotlyar, I.V. Il'kiv, I.P. Soshnikov, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, E.V. Nikitina, G.E. Cirlin. Phys. Solid State, 58 (10), 1952 (2016)
F. Glas, J.-C. Harmand. Phys. Rev. B, 73 (15), 155320 (2006)
N.V. Sibirev, I.P. Soshnikov, V.G. Dubrovskii, E. Arshansky. Tech. Phys. Lett., 32 (4), 292 (2006)
A.R. Denton, N.W. Ashcroft. Phys. Rev. A, 43 (6), 3161 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель