"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Синтез InGaN-наноструктур развитой морфологии на кремнии: влияние температуры подложки на морфологические и оптические свойства
Переводная версия: 10.1134/S1063782620090237
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, RFMEFI61619X0115
Резник Р.Р.1, Гридчин В.О.2, Котляр К.П.2, Крыжановская Н.В.2, Морозов С.В.3,4, Цырлин Г.Э.2,5
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: moment92@mail.ru
Поступила в редакцию: 15 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 21 апреля 2020 г.
Принята к печати: 21 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 11 июня 2020 г.

Исследована зависимость морфологических характеристик и оптических свойств InGaN-наноструктур разветвленной морфологии на поверхности Si(111) от температуры подложки при выращивании методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что при увеличении температуры подложки увеличивается высота наноколонн InGaN, формирующихся на начальном этапе роста. Увеличение температуры роста InGaN-наноструктур также приводит к увеличению интенсивности спектров фотолюминесценции от таких структур, причем зависимости интегральной интенсивности фотолюминесценции от плотности мощности возбуждения являются линейными. Эти факты указывают на перспективность структур для оптических приложений, в частности для создания белых светодиодов на основе единого материала. Ключевые слова: наноструктуры, InGaN, кремний, молекулярно-пучковая эпитаксия, полупроводники, оптоэлектроника.
  1. T.D. Moustakas, E. Iliopoulos, A.V. Sampath, H.M. Ng, D. Doppalapodi, M. Misra, D. Korakakis, R. Singh. J. Cryst. Growth, 227, 13 (2001)
  2. J. Li, J.Y. Lin, H.X. Jiang. Appl. Phys. Lett., 93 (16), 162107 (2008)
  3. F.K. Yam, Z. Hassan. Superlatt. Microstr., 43 (1), 23 (2008)
  4. I. Ho, G.B. Stringfellow. Appl. Phys. Lett., 69 (18), 2703 (1996)
  5. M. Lopez, M. Auf der Maur, A. Pecchia, F. Sacconi, G. Penazzi, A. Di Carlo. IEEE, 113 (2013)
  6. H.J. Xiang, W. Su-Huai, J.L.F. Da Silva, L. Jingo. Phys. Rev. B, 78 (19), 193301 (2008)
  7. V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov. Semiconductors, 43 (12), 1539 (2009)
  8. R.R. Reznik, K.P. Kotlyar, N.V. Kryzhanovskaya, S.V. Morozov, G.E. Cirlin. Tech. Phys. Lett., 45 (11), 1113 (2019)
  9. R.R. Reznik, K.P. Kotlyar, I.V. Il'kiv, I.P. Soshnikov, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, E.V. Nikitina, G.E. Cirlin. Phys. Solid State, 58 (10), 1952 (2016)
  10. F. Glas, J.-C. Harmand. Phys. Rev. B, 73 (15), 155320 (2006)
  11. N.V. Sibirev, I.P. Soshnikov, V.G. Dubrovskii, E. Arshansky. Tech. Phys. Lett., 32 (4), 292 (2006)
  12. A.R. Denton, N.W. Ashcroft. Phys. Rev. A, 43 (6), 3161 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.