На основе анализа результатов экспериментальных исследований показано, что в ряде кристаллов Bi₂Te_3-Sb₂Te₃, в которых величина электропроводности при 4.2 K превышает 1.5·10⁶ См/м, интенсифицируется определенный процесс, обеспечивающий рост электропроводности в диапазоне от 4.2 до 15 K. Последующее уменьшение величины электропроводности с ростом температуры от 15 K и до начала доминирования собственной проводимости, сопровождающееся аномальным увеличением коэффициента Холла, может быть частично обусловлено снижением интенсивности указанного процесса. Сформулировано предположение о том, что в условиях сближения энергии плазмона и ширины запрещенной зоны влияние плазмон-фонон-поляритонов способно обеспечить обратное воздействие поляризации, составляющее основу этого процесса. Ключевые слова: полупроводники, электропроводность, коэффициент Холла, плазма свободных носителей заряда, плазмон-фонон-поляритоны, ширина запрещенной зоны.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.