Вышедшие номера
Фотолюминесценция с временным разрешением наноструктур InGaAs различной квантовой размерности
Переводная версия: 10.1134/S1063782619110150
Russian Science Foundation, 16-12-10269
Надточий А.М.1, Минтаиров С.А.2, Калюжный Н.А.2, Максимов М.В.1, Санников Д.А. 3,4, Ягафаров Т.Ф.3, Жуков А.Е.1
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Сколковский институт науки и технологий, Москва, Россия
4Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Email: d.sannikov@skoltech.ru, timur.yagafarov@skolkovotech.ru
Поступила в редакцию: 22 мая 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.

Методом время-коррелированного счета одиночных фотонов исследована фотолюминесценция с временным разрешением квантово-размерных гетероструктур InGaAs различной размерности, выращенных на подложках GaAs: квантовые точки, квантовые ямы и структуры переходной размерности - квантовые яма-точки. Обнаружено, что время спада фотолюминесценции образцов при комнатной температуре существенно зависит от их квантовой размерности: 6, 7 и более 20 нс для квантовых точек, яма-точек и ямы соответственно. Мы полагаем, что наличие центров локализации носителей заряда может приводить к наблюдаемому сокращению времени фотолюминесценции в гетероструктурах. Ключевые слова: фотолюминесценция, временное разрешение, квантово-размерные структуры.