В работе представлены результаты расчета концентрации носителей заряда в пленках висмут-сурьма в интервале концентраций от 0 до 15 ат% сурьмы на подложках с различным коэффициентом температурного расширения, выполненные на основе результатов экспериментальных исследований гальваномагнитных свойств пленок. Показано значительное увеличение концентрации при использовании подложек с большим температурным расширением. Приведены результаты расчета положения валентной зоны и зоны проводимости при 77 K в зависимости от коэффициента температурного расширения используемой подложки. Показано, что под действием плоскостной деформации тонких пленок, вызванной различием температурного расширения материалов пленки и подложки, положение зоны проводимости и валентной зоны пленок изменяется относительно их положения в монокристалле соответствующего состава.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.