Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Параметры зонной структуры тонких пленок Bi_1-xSb_x (0≤ x≤ 0.15) на подложках с различным температурным расширением

DOI: 10.21883/FTP.2019.05.47549.07

Переводная версия: 10.1134/S1063782619050269

РФФИ, 18-32-00430

Минобрнауки России, 3.4856.2017/8.9

Суслов А.В.¹, Грабов В.М.¹, Комаров В.А.¹, Демидов Е.В.¹, Сенкевич С.В.², Суслов М.В.¹

¹Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия Herzen State Pedagogical University of Russia, St. Petersburg, Russia

Herzen State Pedagogical University of Russia, St. Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: a.v_suslov@mail.ru

Поступила в редакцию: 20 декабря 2018 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2019 г.

PDF версия

В работе представлены результаты расчета концентрации носителей заряда в пленках висмут-сурьма в интервале концентраций от 0 до 15 ат% сурьмы на подложках с различным коэффициентом температурного расширения, выполненные на основе результатов экспериментальных исследований гальваномагнитных свойств пленок. Показано значительное увеличение концентрации при использовании подложек с большим температурным расширением. Приведены результаты расчета положения валентной зоны и зоны проводимости при 77 K в зависимости от коэффициента температурного расширения используемой подложки. Показано, что под действием плоскостной деформации тонких пленок, вызванной различием температурного расширения материалов пленки и подложки, положение зоны проводимости и валентной зоны пленок изменяется относительно их положения в монокристалле соответствующего состава.

В.А. Комаров. В сб.: Термоэлектрики и их применения. Докл. VIII Межгос. семинара (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, СПб., 2002) c. 237
В.М. Грабов, В.А. Комаров, Н.С. Каблукова. ФТТ, 58 (3), 605 (2016)
В.А. Комаров, А.В. Суслов, М.В. Суслов. ФТП, 51 (6), 736 (2017)
В.М. Грабов, В.А. Комаров, Е.В. Демидов, А.В. Суслов, М.В. Суслов. Письма ЖТФ, 44 (11), 71 (2018)
T. Hirahara, N. Fukui, T. Shirasawa, M. Yamada, M. Aitani, H. Miyazaki, M. Matsunami, S. Kimura, T. Takahashi, S. Hasegawa, K. Kobayashi. Phys. Rev. Lett., 109, 227401 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель