На кристаллах p-Bi₂Te₃, выращенных методом Чохральского, измерены температурные зависимости электропроводности, коэффициентов Холла, термоэдс и поперечного эффекта Нернста-Эттингсгаузена в интервале температур 77-450 K и спектр пропускания в диапазоне 400-5250 см^-1 при комнатной температуре. Показано, что для объяснения температурных зависимостей параметра рассеяния и отношения термоэдс к температуре необходимо учитывать сложное строение валентной зоны и вклад тяжелых дырок в явления переноса. Сделанные оценки зонных параметров в рамках двухзонной модели дают значения эффективной массы дырок порядка массы свободного электрона и энергетического зазора между неэквивалентными экстремумами порядка нескольких сотых эВ. На спектре поглощения, полученном из пропускания, в диапазоне частот ν≥1000 см^-1 наблюдается резкий подъем поглощения, обусловленный непрямыми межзонными переходами с запрещенной зоной E_g~0.14 эВ. Спектр поглощения, рассчитанный из данных по отражению с помощью соотношений Крамерса-Кронига, находится в согласии с измеренным.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.