"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Рост твердых растворов InAsxSb1-x на отклоненных подложках GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Переводная версия: 10.1134/S1063782619040092
РФФИ, 16-32-60087
РФФИ, 18-32-00125
Стипендия Президента Российской Федерации молодым ученым и аспирантам, СП-749.2016.1
Госзадание ФАНО, 0306-2016-0011
Госзадание ФАНО, 0306-2018-0011
Емельянов Е.А. 1, Васев А.В. 1, Семягин Б.Р. 1, Есин М.Ю. 1, Лошкарев И.Д.1, Василенко А.П.1, Путято М.А.1, Петрушков М.О.1, Преображенский В.В. 1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: e2a@isp.nsc.ru, vasev@isp.nsc.ru, sbr@isp.nsc.ru, yesinm@isp.nsc.ru , pvv@isp.nsc.ru
Выставление онлайн: 20 марта 2019 г.

Исследовано влияние степени отклонения подложки от сингулярной грани на состав и морфологию слоев при молекулярно-лучевой эпитаксии твердых растворов InAsxSb1-x на поверхности GaAs. В качестве подложек использованы пластины GaAs с ориентацией (100), отклоненные в направлении [110] на 0, 1, 2 и 5o. Рост гетероструктур выполнен для температур 310 и 380oС. Изучено влияние молекулярной формы мышьяка (As2 либо As4) на состав слоев. Исследования состава и структурных свойств осуществлены методами рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения и атомно-силовой микроскопии. Установлено, что в ряду отклонений 0 5o доля мышьяка x последовательно увеличивается как при использовании потока молекул As2, так и As4. При использовании потока молекул As2 доля x с увеличением степени отклонения возрастает незначительно (в 1.05 раза), а при использовании молекул As4 наблюдается ее возрастание в 1.75 раза. Повышение температуры роста приводит к увеличению доли мышьяка в твердом растворе. Морфология поверхности улучшается при увеличении степени отклонения при низкой температуре роста и ухудшается при высокой.
  1. E.A. Emel'yanov, A.V. Vasev, B.R. Semyagin, A.P. Vasilenko, A.A. Komanov, A.K. Gutakovskii, M.A. Putyato, V.V. Preobrazhenskii. J. Phys.: Conf. Ser., 643, 012006 (2015)
  2. A. Rogalski. Progr. Quant. Electron., 13, 191 (1989)
  3. C.G. Bethea, M.Y. Yen, B.F. Levine, K.K. Choi, A.Y. Cho. Appl. Phys. Lett., 51, 1431 (1987)
  4. W. Dobbelaere, J. De Boeck, P. Heremans, R. Mertens, G. Borghs, W. Luyten, J. Van Landuyt. Appl. Phys. Lett., 60, 3256 (1992)
  5. C. Besikci, S. Ozer, C. Van Hoof, L. Zimmermann, J. John, P. Merken. Semicond. Sci. Techn., 16, 992 (2001)
  6. Y.Z. Gao, X.Y. Gong, W.Z. Fang, G.H. Wu, Y.B. Feng. Jpn. J. Appl. Phys., 48, 080202 (2009)
  7. H. Gao, W. Wang, Z. Jiang, L. Liu, J. Zhou, H. Chen. J. Cryst. Growth, 308, 406 (2007)
  8. Y.M. Lin, C.H. Chen, J.S. Wu, C.P. Lee. J. Cryst. Growth, 402, 151 (2014)
  9. I. Yonenaga, K. Sumino. J. Cryst. Growth, 126, 19 (1993)
  10. C. Lavoie, T. Pinnington, E. Nodwell, T. Tiedje, R.S. Goldman, K.L. Kavanagh, J.L. Hutter. Appl. Phys. Lett., 67, 3744 (1995)
  11. H. Suzuki, T. Sasaki, A. Sai, Y. Ohshita, I. Kamiya, M. Yamaguchi, M. Takahasi, S. Fujikawa. Appl. Phys. Lett., 97, 041906 (2010)
  12. S. Lohr, S. Mendach, T. Vonau, C. Heyn, W. Hansen. Phys. Rev. B, 67, 045309 (2003)
  13. I. Tangring, S. Wang, M. Sadeghi, A. Larsson. Electron. Lett., 42 (12), 691 (2006)
  14. Y. Sun, K. Li, J. Dong, X. Zeng, S. Yu, Y. Zhao, C. Zhao, H. Yang. J. Alloys Comp., 597, 45 (2014)
  15. P. Werner, N.D. Zakharov, Y. Chen, Z. Liliental-Weber, J. Washburn, J.F. Klem, J.Y. Tsao. Appl. Phys. Lett., 62, 2798 (1993)
  16. S.Z. Yu, J.R. Dong, Y.R. Sun, K.L. Li, X.L. Zeng, Y.M. Zhao, H. Yang. Chin. Phys. B, 25 (3), 038101 (2016)
  17. Е.А. Емельянов, Д.Ф. Феклин, А.В. Васев, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, А.П. Василенко, О.П. Пчеляков, В.В. Преображенский. Автометрия, 47 (5), 43 (2011)
  18. K. Mochizuki, T. Nishinaga. Jpn. J. Appl. Phys., 27, 1585 (1988)
  19. T. Nishinaga, T. Shitara, K. Mochizuki, K.I. Cho. J. Cryst. Growth, 99, 482 (1990)
  20. A.N. Semenov, V.S. Sorokin, V.A. Solovyev, B.Ya. Meltser, S.V. Ivanov. Semiconductors, 38, 266 (2004)
  21. V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, O.P. Pchelyakov, B.R. Semyagin. J. Cryst. Growth, 201, 170 (1999)
  22. V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, O.P. Pchelyakov, B.R. Semyagin. J. Cryst. Growth, 201, 166 (1999)
  23. В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 36 (8), 897 (2002)
  24. J.R. Waterman, B.V. Shanabrook, R.J. Wagner. J. Vac. Sci. Techn. B, 10, 895 (1992)
  25. А.В. Васев, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.А. Селезнев, В.В. Преображенский. Изв. вузов. Сер. физ., 9, 5 (2008)
  26. P.F. Fewster. X-ray scattering from semiconductorsl. 2nd edn (London, Imperial College Press, 2001
  27. H. Nagai. J. Appl. Phys., 45, 3789 (1974)
  28. А.В. Колесников, А.С. Ильин, Е.М. Труханов, А.П. Василенко, И.Д. Лошкарев, А.С. Дерябин. Изв. РАН. Сер. физ., 75 (5), 652 (2011)
  29. И.Д. Лошкарев, А.П. Василенко, Е.М. Труханов, А.В. Колесников, М.А. Путято, М.Ю. Есин, М.О. Петрушков. Письма ЖТФ, 43 (4), 64 (2017)
  30. E. Selvig, B. Fimland, T. Skauli, R. Haakenaasen. J. Cryst. Growth, 227-228, 562 (2001)
  31. M. Losurdo, P. Capezzuto, G. Bruno, A. Brown, T. Brown, G. May. J. Appl. Phys., 100, 013531 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.