"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Моделирование параметров бетавольтаического элемента на основе тритида титана
Переводная версия: 10.1134/S1063782619010214
Министерство образования и науки Российской Федерации, госзадание, 007-00220-18-00
Министерство образования и науки Российской Федерации, госзадание, 16.7443.2017/БЧ
Свинцов А.А.1, Якимов Е.Б.1,2, Дорохин М.В.3, Демина П.Б.3, Кузнецов Ю.М.3
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
3Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: dorokhin@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 10 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.

Проведено моделирование beta-вольтаических элементов питания, представляющих собой объединенные источник и преобразователь beta-частиц. В качестве источника использовано соединение TiT2, содержащее радиоактивный изотоп трития. В качестве преобразователя рассмотрены структуры на основе полупроводниковых материалов, наиболее часто использующихся при разработке элементов питания на beta-вольтаическом эффекте: Si, SiC, GaAs. С применением метода Монте-Карло рассчитаны основные параметры источников, в частности, выполнены оценки предельно достижимого значения тока короткого замыкания.
  1. L.C. Olsen, P. Cabauy, B.J. Elkind. Physics Today, 65 (12), 35 (2012)
  2. Ю.С. Нагорнов. Современные аспекты применения бетавольтаического эффекта (Ульяновск, УлГПУ, 2012)
  3. M.A. Prelas, C.L. Weaver, M.L. Watermann, E.D. Lukosi, R.J. Schott, D.A. Wisniewski. Prog. Nucl. Energy, 23, 117 (2014)
  4. S.T. Revankar, T.E. Adams. J. Energy Power Sources, 1, 321 (2014)
  5. T.R. Alam, M.A. Pierson. J. Energy Power Sources, 3, 11 (2016)
  6. H. Li, Y. Liu, R. Hu, Y. Yang, G. Wang, Z. Zhong, S. Luo. Appl. Radiat. Isotopes, 70, 2559 (2012)
  7. C. Thomas, S. Portnoff, M.G. Spencer. Appl. Phys. Lett., 108, 013505 (2016)
  8. E.B. Yakimov. Appl. Radiat. Isotopes, 112, 98 (2016)
  9. В.Н. Павлов, В.Я. Панченко, М.А. Поликарпов, А.А. Свинцов, Е.Б. Якимов. Поверхность, 9, 46 (2013)
  10. С.И. Зайцев, В.Н. Павлов, В.Я. Панченко, М.А. Поликарпов, А.А. Свинцов, Е.Б. Якимов. Поверхность, 9, 9 (2014)
  11. H. San, S. Yao, X. Wang, Z. Cheng, X. Chen. Appl. Radiat. Isotopes, 80, 17 (2013)
  12. C.E. Munson IV, M. Arif, J. Streque, S. Belahsene, A. Martinez, A. Ramdane, Y. El Gmili, J.-P. Salvestrini, P.L. Voss, A. Ougazzaden. J. Appl. Phys., 118, 105101 (2015)
  13. Ю.С. Нагорнов, В.Н. Мурашев. ФТП, 50, 17 (2016)
  14. А.А. Горбацевич, А.Б. Данилин, В.И. Корнеев, Э.П. Магомедбеков, А.А. Молин. ЖТФ, 86 (7), 94 (2016)
  15. С.В. Булярский, А.В. Лакалин, И.Е. Абанин, В.В. Амеличев, В.В. Светухин. ФТП, 51 (1), 68 (2017)
  16. L. Reimer. Scanning Electron Microscopy, 45, 57 (1998)
  17. М. Борн. Атомная физика (М., Наука, 1965)
  18. T. Kobayashi. Appl. Phys. Lett., 21, 150 (1972)
  19. R.C. Alig, S. Bloom. Phys. Rev. Lett., 35, 1522 (1975)
  20. А.А. Лебедев, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. ФТП, 38, 129 (2004)
  21. C. Donolato. Appl. Phys. Lett., 46, 270 (1985)
  22. Е.Б. Якимов. Завод. лаб., 68, 63 (2002)
  23. E.B. Yakimov. J. Alloys Comp., 627, 344 (2015)
  24. E.B. Yakimov. Jpn. J. Appl. Phys., 55, 05FH04 (2016)
  25. Е.Б. Якимов. Поверхность, 3, 65 (2004)
  26. B. Liu, K.P. Chen, N.P. Kherani, S. Zukotynski. Appl. Phys. Lett., 95, 233112 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.