Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Моделирование параметров бетавольтаического элемента на основе тритида титана

DOI: 10.21883/FTP.2019.01.46995.8884

Переводная версия: 10.1134/S1063782619010214

Министерство образования и науки Российской Федерации, госзадание, 007-00220-18-00

Министерство образования и науки Российской Федерации, госзадание, 16.7443.2017/БЧ

Свинцов А.А.¹, Якимов Е.Б.^1,2, Дорохин М.В.³, Демина П.Б.³, Кузнецов Ю.М.³

¹Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

²Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия National University of Science and Technology MISiS, Moscow, Russia

National University of Science and Technology MISiS, Moscow, Russia

³Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Email: dorokhin@nifti.unn.ru

Поступила в редакцию: 10 апреля 2018 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено моделирование beta-вольтаических элементов питания, представляющих собой объединенные источник и преобразователь beta-частиц. В качестве источника использовано соединение TiT₂, содержащее радиоактивный изотоп трития. В качестве преобразователя рассмотрены структуры на основе полупроводниковых материалов, наиболее часто использующихся при разработке элементов питания на beta-вольтаическом эффекте: Si, SiC, GaAs. С применением метода Монте-Карло рассчитаны основные параметры источников, в частности, выполнены оценки предельно достижимого значения тока короткого замыкания.

L.C. Olsen, P. Cabauy, B.J. Elkind. Physics Today, 65 (12), 35 (2012)
Ю.С. Нагорнов. Современные аспекты применения бетавольтаического эффекта (Ульяновск, УлГПУ, 2012)
M.A. Prelas, C.L. Weaver, M.L. Watermann, E.D. Lukosi, R.J. Schott, D.A. Wisniewski. Prog. Nucl. Energy, 23, 117 (2014)
S.T. Revankar, T.E. Adams. J. Energy Power Sources, 1, 321 (2014)
T.R. Alam, M.A. Pierson. J. Energy Power Sources, 3, 11 (2016)
H. Li, Y. Liu, R. Hu, Y. Yang, G. Wang, Z. Zhong, S. Luo. Appl. Radiat. Isotopes, 70, 2559 (2012)
C. Thomas, S. Portnoff, M.G. Spencer. Appl. Phys. Lett., 108, 013505 (2016)
E.B. Yakimov. Appl. Radiat. Isotopes, 112, 98 (2016)
В.Н. Павлов, В.Я. Панченко, М.А. Поликарпов, А.А. Свинцов, Е.Б. Якимов. Поверхность, 9, 46 (2013)
С.И. Зайцев, В.Н. Павлов, В.Я. Панченко, М.А. Поликарпов, А.А. Свинцов, Е.Б. Якимов. Поверхность, 9, 9 (2014)
H. San, S. Yao, X. Wang, Z. Cheng, X. Chen. Appl. Radiat. Isotopes, 80, 17 (2013)
C.E. Munson IV, M. Arif, J. Streque, S. Belahsene, A. Martinez, A. Ramdane, Y. El Gmili, J.-P. Salvestrini, P.L. Voss, A. Ougazzaden. J. Appl. Phys., 118, 105101 (2015)
Ю.С. Нагорнов, В.Н. Мурашев. ФТП, 50, 17 (2016)
А.А. Горбацевич, А.Б. Данилин, В.И. Корнеев, Э.П. Магомедбеков, А.А. Молин. ЖТФ, 86 (7), 94 (2016)
С.В. Булярский, А.В. Лакалин, И.Е. Абанин, В.В. Амеличев, В.В. Светухин. ФТП, 51 (1), 68 (2017)
L. Reimer. Scanning Electron Microscopy, 45, 57 (1998)
М. Борн. Атомная физика (М., Наука, 1965)
T. Kobayashi. Appl. Phys. Lett., 21, 150 (1972)
R.C. Alig, S. Bloom. Phys. Rev. Lett., 35, 1522 (1975)
А.А. Лебедев, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. ФТП, 38, 129 (2004)
C. Donolato. Appl. Phys. Lett., 46, 270 (1985)
Е.Б. Якимов. Завод. лаб., 68, 63 (2002)
E.B. Yakimov. J. Alloys Comp., 627, 344 (2015)
E.B. Yakimov. Jpn. J. Appl. Phys., 55, 05FH04 (2016)
Е.Б. Якимов. Поверхность, 3, 65 (2004)
B. Liu, K.P. Chen, N.P. Kherani, S. Zukotynski. Appl. Phys. Lett., 95, 233112 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель