"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Моделирование параметров бетавольтаического элемента на основе тритида титана
Переводная версия: 10.1134/S1063782619010214
Министерство образования и науки Российской Федерации, госзадание, 007-00220-18-00
Министерство образования и науки Российской Федерации, госзадание, 16.7443.2017/БЧ
Свинцов А.А.1, Якимов Е.Б.1,2, Дорохин М.В.3, Демина П.Б.3, Кузнецов Ю.М.3
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
3Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: dorokhin@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 10 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.

Проведено моделирование beta-вольтаических элементов питания, представляющих собой объединенные источник и преобразователь beta-частиц. В качестве источника использовано соединение TiT2, содержащее радиоактивный изотоп трития. В качестве преобразователя рассмотрены структуры на основе полупроводниковых материалов, наиболее часто использующихся при разработке элементов питания на beta-вольтаическом эффекте: Si, SiC, GaAs. С применением метода Монте-Карло рассчитаны основные параметры источников, в частности, выполнены оценки предельно достижимого значения тока короткого замыкания.
  • L.C. Olsen, P. Cabauy, B.J. Elkind. Physics Today, 65 (12), 35 (2012)
  • Ю.С. Нагорнов. Современные аспекты применения бетавольтаического эффекта (Ульяновск, УлГПУ, 2012)
  • M.A. Prelas, C.L. Weaver, M.L. Watermann, E.D. Lukosi, R.J. Schott, D.A. Wisniewski. Prog. Nucl. Energy, 23, 117 (2014)
  • S.T. Revankar, T.E. Adams. J. Energy Power Sources, 1, 321 (2014)
  • T.R. Alam, M.A. Pierson. J. Energy Power Sources, 3, 11 (2016)
  • H. Li, Y. Liu, R. Hu, Y. Yang, G. Wang, Z. Zhong, S. Luo. Appl. Radiat. Isotopes, 70, 2559 (2012)
  • C. Thomas, S. Portnoff, M.G. Spencer. Appl. Phys. Lett., 108, 013505 (2016)
  • E.B. Yakimov. Appl. Radiat. Isotopes, 112, 98 (2016)
  • В.Н. Павлов, В.Я. Панченко, М.А. Поликарпов, А.А. Свинцов, Е.Б. Якимов. Поверхность, 9, 46 (2013)
  • С.И. Зайцев, В.Н. Павлов, В.Я. Панченко, М.А. Поликарпов, А.А. Свинцов, Е.Б. Якимов. Поверхность, 9, 9 (2014)
  • H. San, S. Yao, X. Wang, Z. Cheng, X. Chen. Appl. Radiat. Isotopes, 80, 17 (2013)
  • C.E. Munson IV, M. Arif, J. Streque, S. Belahsene, A. Martinez, A. Ramdane, Y. El Gmili, J.-P. Salvestrini, P.L. Voss, A. Ougazzaden. J. Appl. Phys., 118, 105101 (2015)
  • Ю.С. Нагорнов, В.Н. Мурашев. ФТП, 50, 17 (2016)
  • А.А. Горбацевич, А.Б. Данилин, В.И. Корнеев, Э.П. Магомедбеков, А.А. Молин. ЖТФ, 86 (7), 94 (2016)
  • С.В. Булярский, А.В. Лакалин, И.Е. Абанин, В.В. Амеличев, В.В. Светухин. ФТП, 51 (1), 68 (2017)
  • L. Reimer. Scanning Electron Microscopy, 45, 57 (1998)
  • М. Борн. Атомная физика (М., Наука, 1965)
  • T. Kobayashi. Appl. Phys. Lett., 21, 150 (1972)
  • R.C. Alig, S. Bloom. Phys. Rev. Lett., 35, 1522 (1975)
  • А.А. Лебедев, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. ФТП, 38, 129 (2004)
  • C. Donolato. Appl. Phys. Lett., 46, 270 (1985)
  • Е.Б. Якимов. Завод. лаб., 68, 63 (2002)
  • E.B. Yakimov. J. Alloys Comp., 627, 344 (2015)
  • E.B. Yakimov. Jpn. J. Appl. Phys., 55, 05FH04 (2016)
  • Е.Б. Якимов. Поверхность, 3, 65 (2004)
  • B. Liu, K.P. Chen, N.P. Kherani, S. Zukotynski. Appl. Phys. Lett., 95, 233112 (2009)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.