"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Biexciton binding energy in spherical quantum dots with Gamma8 valence band
Переводная версия: 10.1134/S106378261805010X
Golovatenko A.A.1, Semina M.A.1, Rodina A.V.1, Shubina T.V.1
1Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
Email: sasha.pti@mail.ioffe.ru
Выставление онлайн: 19 апреля 2018 г.

The biexciton binding energy in spherical CdSe/ZnSe quantum dots is calculated variationally in the framework of kp-perturbation theory. Smooth and abrupt confining potentials with the same localization area of carriers are compared for two limiting cases of light hole to heavy hole mass ratio beta=mlh/mhh: beta=1 and beta= 0. Accounting for correlations between carriers results in their polarized configuration and significantly increases the biexciton binding energy in comparison with the first order perturbation theory. For beta= 0 in smooth confining potentials there are three nearby biexciton states separated by small energy gap between 1S3/2 and 1P3/2 hole states. Acknowledgement The work was supported by Russian Science Foundation (Project number 14-22-00107).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.