"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Подавление волноводной рекомбинации за счет использования парных асимметричных барьеров в лазерных гетероструктурах
Переводная версия: 10.1134/S1063782618020240
Российский научный фонд, 14-42-00006-П
Зубов Ф.И. 1, Максимов М.В.1,2, Гордеев Н.Ю.2,1, Полубавкина Ю.С.1, Жуков А.Е.1
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: fedyazu@mail.ru
Поступила в редакцию: 3 июля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 января 2018 г.

Предложена конструкция полупроводникового лазера, в котором за счет использования парных асимметричных барьеров, прилегающих к активной области, подавляется паразитная волноводная рекомбинация. Парные асимметричные барьеры блокируют нежелательный транспорт носителей заряда одного типа, не препятствуя распространению носителей другого типа. Спейсер, разделяющий парные асимметричные барьеры, может служить для компенсации вносимых ими упругих напряжений, а также управления энергетическим спектром носителей заряда и соответственно коэффициентом пропускания. На примере лазера с волноводными слоями Al0.2Ga0.8As показано, что за счет использования конструкции парных асимметричных барьеров нежелательный транспорт электронов может быть подавлен в 4 раза в сравнении со случаем использования одиночного асимметричного барьера. DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45453.8675
  1. Н.А. Пихтин, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, В.В. Шамахов, И.С. Шашкин, А.Д. Бондарев, Л.С. Вавилова, И.С. Тарасов. ФТП, 48 (10), 1377 (2014)
  2. И.С. Шашкин, Д.А. Винокуров, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, М.Г. Растегаева, З.Н. Соколова, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, Д.А. Веселов, А.Д. Бондарев, И.С. Тарасов. ФТП, 46 (9), 1230 (2012)
  3. И.С. Шашкин, Д.А. Винокуров, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, Н.А. Рудова, З.Н. Соколова, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, Д.А. Веселов, К.В. Бахвалов, И.С. Тарасов. ФТП, 46 (9), 1234 (2012)
  4. Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, И.С. Шашкин, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, А.А. Подоскин, И.С. Тарасов. ФТП, 44 (10), 1411 (2010)
  5. Д.А. Веселов, И.С. Шашкин, К.В. Бахвалов, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, М.Г. Растегаева, С.О. Слипченко, Е.А. Бечвай, В.А. Стрелец, В.В. Шамахов, И.С. Тарасов. ФТП, 50 (9), 1247 (2016)
  6. H. Kurakake, T. Uchida, T. Yamamoto, T. Higashi, S. Ogita, M. Kobayashi. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 3 (2), 632 (1997)
  7. L.V. Asryan, S. Luryi. Sol. St. Electron., 47 (2), 205 (2003)
  8. L.V. Asryan, N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov. Semicond. Sci. Technol., 26 (5), 055025 (2011)
  9. А.Е. Жуков, Н.В. Крыжановская, М.В. Максимов, А.Ю. Егоров, М.М. Павлов, Ф.И. Зубов, Л.В. Асрян. ФТП, 45 (4), 540 (2011)
  10. L.V. Asryan, N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov, F.I. Zubov, A.E. Zhukov. J. Appl. Phys., 114, 143103 (2013)
  11. A.E. Zhukov, N.V. Kryzhanovskaya, F.I. Zubov, Y.M. Shernyakov, M.V. Maximov, E.S. Semenova, K. Yvind, L.V. Asryan. Appl. Phys. Lett., 100 (2), 021107 (2012)
  12. F.I. Zubov, M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, N.V. Kryzhanovskaya, E.S. Semenova, K. Yvind, L.V. Asryan, A.E. Zhukov. Electron. Lett., 51 (14), 1106 (2015)
  13. А.Е. Жуков, Л.В. Асрян, Е.С. Семенова, Ф.Е. Зубов, Н.В. Крыжановская, М.В. Максимов. ФТП, 49 (7), 956 (2015)
  14. Л.В. Асрян, Ф.И. Зубов, Н.В. Крыжановская, М.В. Максимов, А.Е. Жуков. ФТП, 50 (10), 1380 (2016)
  15. Ю.С. Полубавкина, Ф.И. Зубов, Э.И. Моисеев, Н.В. Крыжановская, М.В. Максимов, Е.С. Семенова, K. Yvind, Л.В. Асрян, А.Е. Жуков. ФТП, 51 (2), 263 (2017)
  16. R. Tsu, L. Esaki. Appl. Phys. Lett., 22 (11), 562 (1973)
  17. J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.