Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Отрицательный отжиг в кремнии при высоковольтной имплантации натрия

DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44409.8446

Король В.М.

¹, Заставной А.В.

¹, Kudriavtsev Y.², Asomoza R.²

¹Научно-исследовательский институт физики, Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия Southern Federal University, Research Institute of Physics, Rostov-on-Don, Russia

Southern Federal University, Research Institute of Physics, Rostov-on-Don, Russia

²Department Ingenieria Electrica-SEES, Cinvestav-IPN, Mexico

Email: vkorol@ctsnet.ru, zast46@mail.ru

Поступила в редакцию: 1 ноября 2016 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2017 г.

PDF версия

Имплантация натрия (300 кэВ) проводилась в высокоомный p-Si. Отжиг дефектов при T_ann=350-450^oC и связанная с ним активация атомов, проходящая на "хвосте" их распределения, описывается реакцией первого порядка. При T_ann=450-525^oC независимо от дозы наблюдается отрицательный отжиг, сопровождаемый значительным ростом поверхностного сопротивления rho_s. По оценкам энергия активации этого процесса составляет ~2 эВ. По мнению авторов, отжиг связан с преципитацией донорных атомов натрия, проходящей на глубине, в 2-3 раза большей пробега R_p. Отжиг дефектов при T_ann=525-700^oC, приводящий к дальнейшему уменьшению rho_s, имеет энергию активации ~2.1 эВ. Проверялась гипотеза образования "хвоста" в измеренных вторичной ионной масс-спектрометрией (secondary ion mass spectroscopy, SIMS) профилях атомов натрия, состоящая в диффузии их со стенок кратера к его центру. Показано, что данный процесс не реализуется, поскольку измеренные при комнатной температуре и при -140^oC профили атомов натрия не различаются. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44409.8446

Х. Рассел, И. Рунге. Ионная имплантация, пер. с нем. под ред. М.И. Гусевой (М., Наука, 1983) гл. 3, с. 53 и гл. 6, с. 204
S. Ruffer, P.J. Simpson, I.V. Mitchll. J. Appl. Phys., 98, 013713 (2005)
В.М. Король, Ю. Кудрявцев, А.В. Заставной, С.А. Веденяпин. Поверхность, 4, 41 (2009). 2009. V. 3. N 2. C. 292
В.М. Король, А.В. Заставной. Поверхность, 5, 74 (2001)
V.M. Korol'. Phys. Stus Solidi A, 110, 9 (1988)
G. Baccarani, P. Ostojia. Sol. St. Electron., 18, 579 (1975)
Г.А. Беликов, В.М. Король, Л.К. Мамаев, В.С. Попов. Тр. VI Всес. совещ. по физике взаимодействия заряженных частиц с монокристаллами (М., Изд-во МГУ, 1975) с. 325
J.F. Ziegler. SRIM-2013 soft ware package, http://www. srim.org/
C. Bonafoce, A. Claverie, D Alquier, C. Bergaud, A. Martinez, L. La\^anab, D. Mathiot. Appl. Phys. Lett., 71 (3), 365 (1997)
Y.M. Gueorgiev, R. Kogler, A. Peeva, D. Pankin, A. Mucklich, R.A. Yankov, W. Skorupa. Appl. Phys. Lett., 75 (22), 346 (1997)
А.А. Калинин, В.М. Король, Н.А. Скакун, С.К. Максимов. Тез. докл. Всес. совещ. "Диагностика поверхности ионными пучками" (Донецк, 1980) с. 43
L.C. Kimerling, P.J. Drevinsky, C.S. Chen. In: Radiation Damage and Defects in Semiconductors (Institute of Physics, London, 1973) p. 182
Й. Бачо, Г. Калинка, Й. Келети и др. В сб.: Пути совершенствования полупроводниковых приборов (Киев, Препринт КИЯИ-81-24, 1981) с. 37
Физическая химия. Кн. 2. Электрохимия. Химическая кинетика и катализ, под ред. К.С. Краснова (М., Высш. шк., 2001) с. 119

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель