Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Отрицательный отжиг в кремнии при высоковольтной имплантации натрия
Король В.М.
1, Заставной А.В.
1, Kudriavtsev Y.2, Asomoza R.2
1Научно-исследовательский институт физики, Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия 
2Department Ingenieria Electrica-SEES, Cinvestav-IPN, Mexico
2Department Ingenieria Electrica-SEES, Cinvestav-IPN, Mexico
Email: vkorol@ctsnet.ru, zast46@mail.ru
Поступила в редакцию: 1 ноября 2016 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2017 г.
Имплантация натрия (300 кэВ) проводилась в высокоомный p-Si. Отжиг дефектов при Tann=350-450oC и связанная с ним активация атомов, проходящая на "хвосте" их распределения, описывается реакцией первого порядка. При Tann=450-525oC независимо от дозы наблюдается отрицательный отжиг, сопровождаемый значительным ростом поверхностного сопротивления rhos. По оценкам энергия активации этого процесса составляет ~2 эВ. По мнению авторов, отжиг связан с преципитацией донорных атомов натрия, проходящей на глубине, в 2-3 раза большей пробега Rp. Отжиг дефектов при Tann=525-700oC, приводящий к дальнейшему уменьшению rhos, имеет энергию активации ~2.1 эВ. Проверялась гипотеза образования "хвоста" в измеренных вторичной ионной масс-спектрометрией (secondary ion mass spectroscopy, SIMS) профилях атомов натрия, состоящая в диффузии их со стенок кратера к его центру. Показано, что данный процесс не реализуется, поскольку измеренные при комнатной температуре и при -140oC профили атомов натрия не различаются. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44409.8446
- Х. Рассел, И. Рунге. Ионная имплантация, пер. с нем. под ред. М.И. Гусевой (М., Наука, 1983) гл. 3, с. 53 и гл. 6, с. 204
- S. Ruffer, P.J. Simpson, I.V. Mitchll. J. Appl. Phys., 98, 013713 (2005)
- В.М. Король, Ю. Кудрявцев, А.В. Заставной, С.А. Веденяпин. Поверхность, 4, 41 (2009). 2009. V. 3. N 2. C. 292
- В.М. Король, А.В. Заставной. Поверхность, 5, 74 (2001)
- V.M. Korol'. Phys. Stus Solidi A, 110, 9 (1988)
- G. Baccarani, P. Ostojia. Sol. St. Electron., 18, 579 (1975)
- Г.А. Беликов, В.М. Король, Л.К. Мамаев, В.С. Попов. Тр. VI Всес. совещ. по физике взаимодействия заряженных частиц с монокристаллами (М., Изд-во МГУ, 1975) с. 325
- J.F. Ziegler. SRIM-2013 soft ware package, http://www. srim.org/
- C. Bonafoce, A. Claverie, D Alquier, C. Bergaud, A. Martinez, L. La\^anab, D. Mathiot. Appl. Phys. Lett., 71 (3), 365 (1997)
- Y.M. Gueorgiev, R. Kogler, A. Peeva, D. Pankin, A. Mucklich, R.A. Yankov, W. Skorupa. Appl. Phys. Lett., 75 (22), 346 (1997)
- А.А. Калинин, В.М. Король, Н.А. Скакун, С.К. Максимов. Тез. докл. Всес. совещ. "Диагностика поверхности ионными пучками" (Донецк, 1980) с. 43
- L.C. Kimerling, P.J. Drevinsky, C.S. Chen. In: Radiation Damage and Defects in Semiconductors (Institute of Physics, London, 1973) p. 182
- Й. Бачо, Г. Калинка, Й. Келети и др. В сб.: Пути совершенствования полупроводниковых приборов (Киев, Препринт КИЯИ-81-24, 1981) с. 37
- Физическая химия. Кн. 2. Электрохимия. Химическая кинетика и катализ, под ред. К.С. Краснова (М., Высш. шк., 2001) с. 119
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
