"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Отрицательный отжиг в кремнии при высоковольтной имплантации натрия
Король В.М. 1, Заставной А.В. 1, Kudriavtsev Y.2, Asomoza R.2
1Южный федеральный университет, НИИ физики, Ростов-на-Дону, Россия
2Department Ingenieria Electrica-SEES, Cinvestav-IPN, Mexico
Email: vkorol@ctsnet.ru, zast46@mail.ru
Поступила в редакцию: 1 ноября 2016 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2017 г.

Имплантация натрия (300 кэВ) проводилась в высокоомный p-Si. Отжиг дефектов при Tann=350-450oC и связанная с ним активация атомов, проходящая на "хвосте" их распределения, описывается реакцией первого порядка. При Tann=450-525oC независимо от дозы наблюдается отрицательный отжиг, сопровождаемый значительным ростом поверхностного сопротивления rhos. По оценкам энергия активации этого процесса составляет ~2 эВ. По мнению авторов, отжиг связан с преципитацией донорных атомов натрия, проходящей на глубине, в 2-3 раза большей пробега Rp. Отжиг дефектов при Tann=525-700oC, приводящий к дальнейшему уменьшению rhos, имеет энергию активации ~2.1 эВ. Проверялась гипотеза образования "хвоста" в измеренных вторичной ионной масс-спектрометрией (secondary ion mass spectroscopy, SIMS) профилях атомов натрия, состоящая в диффузии их со стенок кратера к его центру. Показано, что данный процесс не реализуется, поскольку измеренные при комнатной температуре и при -140oC профили атомов натрия не различаются. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44409.8446
  1. Х. Рассел, И. Рунге. Ионная имплантация, пер. с нем. под ред. М.И. Гусевой (М., Наука, 1983) гл. 3, с. 53 и гл. 6, с. 204
  2. S. Ruffer, P.J. Simpson, I.V. Mitchll. J. Appl. Phys., 98, 013713 (2005)
  3. В.М. Король, Ю. Кудрявцев, А.В. Заставной, С.А. Веденяпин. Поверхность, 4, 41 (2009). 2009. V. 3. N 2. C. 292
  4. В.М. Король, А.В. Заставной. Поверхность, 5, 74 (2001)
  5. V.M. Korol'. Phys. Stus Solidi A, 110, 9 (1988)
  6. G. Baccarani, P. Ostojia. Sol. St. Electron., 18, 579 (1975)
  7. Г.А. Беликов, В.М. Король, Л.К. Мамаев, В.С. Попов. Тр. VI Всес. совещ. по физике взаимодействия заряженных частиц с монокристаллами (М., Изд-во МГУ, 1975) с. 325
  8. J.F. Ziegler. SRIM-2013 soft ware package, http://www. srim.org/
  9. C. Bonafoce, A. Claverie, D Alquier, C. Bergaud, A. Martinez, L. La\^anab, D. Mathiot. Appl. Phys. Lett., 71 (3), 365 (1997)
  10. Y.M. Gueorgiev, R. Kogler, A. Peeva, D. Pankin, A. Mucklich, R.A. Yankov, W. Skorupa. Appl. Phys. Lett., 75 (22), 346 (1997)
  11. А.А. Калинин, В.М. Король, Н.А. Скакун, С.К. Максимов. Тез. докл. Всес. совещ. "Диагностика поверхности ионными пучками" (Донецк, 1980) с. 43
  12. L.C. Kimerling, P.J. Drevinsky, C.S. Chen. In: Radiation Damage and Defects in Semiconductors (Institute of Physics, London, 1973) p. 182
  13. Й. Бачо, Г. Калинка, Й. Келети и др. В сб.: Пути совершенствования полупроводниковых приборов (Киев, Препринт КИЯИ-81-24, 1981) с. 37
  14. Физическая химия. Кн. 2. Электрохимия. Химическая кинетика и катализ, под ред. К.С. Краснова (М., Высш. шк., 2001) с. 119

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.