Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Излучательная рекомбинация и туннелирование носителей заряда в гетероструктурах SiGe/Si с двойными квантовыми ямами
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: yablonsk@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.
В эпитаксиальных структурах SiGe/Si(001) с двумя неэквивалентными SiGe квантовыми ямами, разделенными тонким Si-барьером, исследованы спектральные и временные характеристики межзонной фотолюминесценции, соответствующей излучательной рекомбинации экситонов в квантовых ямах. Для серии структур с двумя SiGe-квантовыми ямами различной толщины определены зависимости характерного времени туннелирования носителей заряда (дырок) из узкой квантовой ямы, характеризуемой большей энергией рекомбинации экситона, в широкую квантовую яму от толщины Si-барьера. Показано, что время туннелирования дырок между слоями Si0.85Ge0.15 толщиной 3 и 9 нм монотонно спадает от ~500 нс до < 5 нс при уменьшении толщины Si-барьера от 16 до 8 нм. При промежуточных толщинах Si-барьера обнаружено нарастание сигнала фотолюминесценции широкой квантовой ямы с характерным временем, совпадающим по порядку величины с временем спада люминесценции узкой квантовой ямы, что подтверждает наблюдение эффекта туннелирования дырок из узкой квантовой ямы в широкую. Обнаружена существенная зависимость времени туннелирования дырок от содержания Ge в слоях SiGe при фиксированной толщине Si-барьера между квантовыми ямами, что связывается с увеличением эффективной высоты Si-барьера.
- G. Dehlinger, L. Diehl, U. Gennser, H. Sigg, J. Faist, K. Ensslin, D. Grutzmacher, E. Muller. Science, 290, 2277 (2000)
- S.A. Lynch, R. Bates, D.J. Paul, D.J. Norris, A.G. Cullis, Z. Ikonic, R.W. Kelsall, P. Harrison, D.D. Arnone, C.R. Pidgeon. Appl. Phys. Lett., 81, 1543 (2002)
- K. Driscoll, R. Paiella. Appl. Phys. Lett., 89, 191 110 (2006)
- A. Valavanis, L. Lever, C.A. Evans, Z. Ikonic, R.W. Kelsall. Phys. Rev. B, 78, 035 420 (2008)
- G. Sun, H.H. Cheng, J. Menendez, J.B. Khurgin, R.A. Soref. Appl. Phys. Lett., 90, 251 105 (2007)
- C. Gmachl, F. Capasso, D.L. Sivco, A.Y. Cho. Rep. Progr. Phys. 64, 1533 (2001)
- Н.А. Бекин, В.Н. Шастин. ФТП, 42, 622 (2008)
- L.C. Lenchyshyn, M.L.W. Thewalt, J.C. Sturm, X. Xiao. Phys. Rev. B, 47, 16 659 (1993)
- P.J. Dean, J.R. Haynes, W.F. Flood. Phys. Rev., 161, 711 (1967)
- G. Davies. Physics Reports (Review Section of Physics Letters), 176, 83 (1989)
- J.C. Sturm, H. Manoharan, L.C. Lenchyshyn, M.L.W. Thewalt, N.L. Rowell, J.-P. Noel, D.C. Houghton. Phys. Rev. Lett., 66, 1362 (1991)
- V.S. Bagaev, V.S. Krivobok, S.N. Nikolaev, A.V. Novikov, E.E. Onishchenko, M.L. Skorikov. Phys. Rev. B, 82, 115 313 (2010)
- V.S. Bagaev, V.S. Krivobok, S.N. Nikolaev, A.V. Novikov, E.E. Onishchenko, A.A. Pruchkina. J. Appl. Phys., 117, 185 705 (2015)
- J. Weber, M.I. Alonso. Phys. Rev. B, 40, 5683 (1989)
- А.Н. Яблонский, Н.А. Байдакова, А.В. Новиков, Д.Н. Лобанов. ФТП, 47, 1509 (2013)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
