Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2016, выпуск 9 » Статья стр. 1247
<<<>>>
К вопросу о внутренних оптических потерях и токовых утечках в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов AlGaInAs/InP
Веселов Д.А.1, Шашкин И.С.1, Бахвалов К.В.1, Лютецкий А.В.1, Пихтин Н.А.1, Растегаева М.Г.1, Слипченко С.О.1, Бечвай Е.А.1, Стрелец В.А.1, Шамахов В.В.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: dmitriy90@list.ru
Поступила в редакцию: 18 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2016 г.
PDF версия
Исследованы полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP гетероструктур раздельного ограничения, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии. Показано, что увеличение только ширины запрещенной зоны AlGaInAs-волноводов без дополнительных барьеров приводит к росту токовых утечек в эмиттерные слои. Установлено, что введение дополнительных барьерных слоев на границе волновод- эмиттер блокирует токовые утечки в эмиттер, но ведет к росту внутренних оптических потерь с ростом тока накачки. Экспериментально продемонстрировано, что введение блокирующих слоев позволяет достичь максимальных значений внутренней квантовой эффективности стимулированного излучения (92%) и оптической мощности (3.2 Вт) в непрерывном режиме генерации в полупроводниковых лазерах для безопасного для глаз диапазона длин волн (1400-1600 нм).
  1. Е.Г. Голикова, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, Г.А. Скрынников, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 34 (7), 886 (2000)
  2. Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, К.С. Борщев, И.Н. Арсентьев, И.С. Тарасов. ФТП, 41 (8), 1003 (2007)
  3. А.В Лютецкий, К.С. Борщев, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 42 (1), 106 (2008)
  4. Д.А. Веселов, К.Р. Аюшева, И.С. Шашкин, К.В. Бахвалов, В.В. Васильева, Л.С. Вавилова, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. Квант. электрон., 45 (10), 879 (2015)
  5. А.В. Лютецкий, К.С. Борщев, А.Д. Бондарев, Т.А. Налет, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, Н.В. Фетисова, М.А. Хомылев, А.А. Мармалюк, Ю.Л. Рябоштан, В.А. Симаков, И.С. Тарасов. ФТП, 41 (7), 883 (2007)
  6. S. Adachi. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors (John Wiley \& Sons, (2009)
  7. A. Mircea, A. Ougazzaden, G. Primot, C. Kazmierski. J. Cryst. Growth, 124, 737 (1992)
  8. Н.А. Гунько, А.С. Полковников, Г.Г. Зегря. ФТП, 34 (4), 462 (2000)
  9. M.I. Dyakonov, V.Y. Kachorovskii. Phys. Rev. B, 49 (24), 17 130 (1994)
  10. С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, Д.А. Винокуров, А.Д. Бондарев, В.А. Капитонов, Н.А. Пихтин, П.С. Копьев, И.С. Тарасов. ФТП, 47 (8), 1082 (2013)
  11. T. Garrod, D. Olson, M. Klaus, C. Zenner, C. Galstad, L. Mawst, D. Botez. Appl. Phys. Lett., 105, 071 101 (2014)
  12. R.F. Kazarinov, G.L. Belenky. IEEE J. Quant. Electron., 31 (3), 423 (1995)
  13. A.E. Zhukov, N.V. Kryzhanovskaya, F.I. Zubov, Y.M. Shernyakov, M.V. Maximov, E.S. Semenova, K. Yvind, L.V. Asryan. Appl. Phys. Lett., 100, 021 107 (2012)
  14. А.Е. Жуков, Н.В. Крыжановская, М.В. Максимов, А.Ю. Егоров, М.М. Павлов, Ф.И. Зубов, Л.В. Асрян. ФТП, 45 (4), 540 (2011)
  15. Д.А. Винокуров, В.П. Коняев, М.А. Ладугин, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, А.А. Падалица, А.Н. Петрунов, Н.А. Пихтин, В.А. Симаков, С.О. Слипченко, А.В. Сухарев, Н.В. Фетисова, В.В. Шамахов, И.С. Тарасов. ФТП, 44 (2), 251 (2010).
  16. И.С. Шашкин, Д.А. Винокуров, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, М.Г. Растегаева, З.Н. Соколова, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, Д.А. Веселов, А.Д. Бондарев, И.С. Тарасов. ФТП, 46 (9), 1230 (2012)
  17. С.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 38 (12), 1477 (2004)
  18. M.P.C.M. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6, 27 (1991)
  19. C.G. Van de Walle. Phys. Rev. B, 39, 1871 (1989)
  20. Л.В. Асрян. Квант. электрон., 35 (12), 1117 (2005)
  21. B.S. Ryvkin, E.A. Avrutin. Electron. Lett., 42 (22), 1283 (2006).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme