Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
К вопросу о внутренних оптических потерях и токовых утечках в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов AlGaInAs/InP
Веселов Д.А.1, Шашкин И.С.1, Бахвалов К.В.1, Лютецкий А.В.1, Пихтин Н.А.1, Растегаева М.Г.1, Слипченко С.О.1, Бечвай Е.А.1, Стрелец В.А.1, Шамахов В.В.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: dmitriy90@list.ru
Поступила в редакцию: 18 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2016 г.
Исследованы полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP гетероструктур раздельного ограничения, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии. Показано, что увеличение только ширины запрещенной зоны AlGaInAs-волноводов без дополнительных барьеров приводит к росту токовых утечек в эмиттерные слои. Установлено, что введение дополнительных барьерных слоев на границе волновод- эмиттер блокирует токовые утечки в эмиттер, но ведет к росту внутренних оптических потерь с ростом тока накачки. Экспериментально продемонстрировано, что введение блокирующих слоев позволяет достичь максимальных значений внутренней квантовой эффективности стимулированного излучения (92%) и оптической мощности (3.2 Вт) в непрерывном режиме генерации в полупроводниковых лазерах для безопасного для глаз диапазона длин волн (1400-1600 нм).
- Е.Г. Голикова, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, Г.А. Скрынников, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 34 (7), 886 (2000)
- Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, К.С. Борщев, И.Н. Арсентьев, И.С. Тарасов. ФТП, 41 (8), 1003 (2007)
- А.В Лютецкий, К.С. Борщев, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 42 (1), 106 (2008)
- Д.А. Веселов, К.Р. Аюшева, И.С. Шашкин, К.В. Бахвалов, В.В. Васильева, Л.С. Вавилова, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. Квант. электрон., 45 (10), 879 (2015)
- А.В. Лютецкий, К.С. Борщев, А.Д. Бондарев, Т.А. Налет, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, Н.В. Фетисова, М.А. Хомылев, А.А. Мармалюк, Ю.Л. Рябоштан, В.А. Симаков, И.С. Тарасов. ФТП, 41 (7), 883 (2007)
- S. Adachi. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors (John Wiley \& Sons, (2009)
- A. Mircea, A. Ougazzaden, G. Primot, C. Kazmierski. J. Cryst. Growth, 124, 737 (1992)
- Н.А. Гунько, А.С. Полковников, Г.Г. Зегря. ФТП, 34 (4), 462 (2000)
- M.I. Dyakonov, V.Y. Kachorovskii. Phys. Rev. B, 49 (24), 17 130 (1994)
- С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, Д.А. Винокуров, А.Д. Бондарев, В.А. Капитонов, Н.А. Пихтин, П.С. Копьев, И.С. Тарасов. ФТП, 47 (8), 1082 (2013)
- T. Garrod, D. Olson, M. Klaus, C. Zenner, C. Galstad, L. Mawst, D. Botez. Appl. Phys. Lett., 105, 071 101 (2014)
- R.F. Kazarinov, G.L. Belenky. IEEE J. Quant. Electron., 31 (3), 423 (1995)
- A.E. Zhukov, N.V. Kryzhanovskaya, F.I. Zubov, Y.M. Shernyakov, M.V. Maximov, E.S. Semenova, K. Yvind, L.V. Asryan. Appl. Phys. Lett., 100, 021 107 (2012)
- А.Е. Жуков, Н.В. Крыжановская, М.В. Максимов, А.Ю. Егоров, М.М. Павлов, Ф.И. Зубов, Л.В. Асрян. ФТП, 45 (4), 540 (2011)
- Д.А. Винокуров, В.П. Коняев, М.А. Ладугин, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, А.А. Падалица, А.Н. Петрунов, Н.А. Пихтин, В.А. Симаков, С.О. Слипченко, А.В. Сухарев, Н.В. Фетисова, В.В. Шамахов, И.С. Тарасов. ФТП, 44 (2), 251 (2010).
- И.С. Шашкин, Д.А. Винокуров, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, М.Г. Растегаева, З.Н. Соколова, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, Д.А. Веселов, А.Д. Бондарев, И.С. Тарасов. ФТП, 46 (9), 1230 (2012)
- С.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 38 (12), 1477 (2004)
- M.P.C.M. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6, 27 (1991)
- C.G. Van de Walle. Phys. Rev. B, 39, 1871 (1989)
- Л.В. Асрян. Квант. электрон., 35 (12), 1117 (2005)
- B.S. Ryvkin, E.A. Avrutin. Electron. Lett., 42 (22), 1283 (2006).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
