Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электронографическое исследование стадий формирования графеновой пленки при термодеструкции 6H-SiC (000\=1) в вакууме
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: koti@mail.ioffe.ru, shura.lebe@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.
Проведено электронографическое исследование структуры графеновых слоев, полученных сублимацией на поверхности подложки 6H-SiC (000=1), в зависимости от температуры сублимации и способа предобработки поверхности подложки. Установлено, что применение полирующего сублимационного травления подложки перед термодеструкцией при температуре 1350oC на поверхности подложки приводит к образованию доменов монокристаллического графена с разворотом его кристаллической решетки на 30o относительно решетки SiC и небольшой доли доменов с аморфной структурой. Повышение температуры до 1500oC приводит к частичному образованию в пленке поликристаллической фазы графена с турбостратной структурой при сохранении преимущественной ориентации кристаллитов графена, как при 1350oC. Применение предростового отжига перед термодеструкцией позволяет вырастить графеновую пленку с более упорядоченной и однородной структурой без включений в нее аморфной и поликристаллической составляющих. Преимущественная ориентация доменов графена в пленке остается неизменной.
- З.Г. Пинскер. Дифракция электронов (М., АН СССР, 1949)
- Л.А. Жукова, М.А. Гуревич. Электронография поверхностных слоев и пленок полупроводниковых материалов (М., Металлургия, 1971)
- А.А. Лебедев, И.С. Котоусова, А.А. Лаврентьев, С.П. Лебедев, И.В. Макаренко, В.Н. Петров, А.Н. Титков. ФТТ, 51, 783 (2009)
- S.P. Lebedev, V.N. Petrov, A.A. Lavrent'ev, P.A. Dement'ev, A.A. Lebedev, А.Н. Titkov. Mater. Sci. Forum, 679, 437 (2011)
- А.А. Лебедев, Н.В. Агринская, С.П. Лебедев, М.Г. Мынбаева, В.Н. Петров, А.Н. Смирнов, А.М. Стрельчук, А.Н. Титков, Д.В. Шамшур. ФТП, 45, 634 (2011)
- C.C. Mathieu, N. Barrett, J. Rault, Y.Y. Mi, B. Zhang, W.A. De Heer, C. Berger, E.H. Conrad, O. Renault. Phys. Rev. B, 83, 235 436 (2011)
- P. Avouris, C. Dimitrakopoulos. Materials Today, 15, 86 (2012)
- N. Srivastava, G. He, R.M. Feenstra, P.J. Fisher. Phys. Rev. B, 82, 235 406 (2010)
- R.E. Franklin. Acta Crystallogr., 4, 253 (1951)
- А.В. Курдюмов, А.Н. Пилянкевич. Фазовые превращения в углероде и нитриде бора (Киев, Наук. думка, 1979)
- J. Hass, F. Varchon, J.E. Millan-Otoya, M. Sprinkle, N. Sharma, W.A. de Heer, C. Berger, P.N. First, L. Magaud, E.H. Conrad. Phys. Rev. Lett., 100, 125 504 (2008)
- T.G. Mendes-de-Sa, A.M.B. Goncalves, M.J.S. Matos, P.M. Coelho, R. Magalhaes-Paniago, R.G. Lacerda. Nanotechnology, 23, 475 602 (2012)
- A.A. Lebedev, N.V. Agrinskaya, V.A. Beresovets, V.I. Kozub, S.P. Lebedev, A.A. Sitnikova. arXiv preprint arXiv:1212.4272 (2012)
- J. Borysiuk, J. So tys, J. Piechota. J. Appl. Phys., 109, 093 523 (2011)
- M. Sprinkle, J. Hicks, A. Tejeda, A. Taleb-Ibrahimi, P. Le Fevre, F. Bertran, H. Tinkey, M.C. Clark, P. Soukiassian, D. Martinotti, J. Hass, E.H. Conrad. J. Physics D: Appl. Phys., 43, 374 006 (2010)
- A. Tejeda, A. Taleb-Ibrahimi, W. De Heer, C. Berger, E.H. Conrad. New J. Physics, 14, 125 007 (2012)
- J. Kuroki, W. Norimatsu, M. Kusunoki. e-Journal Surf. Sci. Nanotechnol., 10, 396 (2012)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
