Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2016, выпуск 7 » Статья стр. 941
<<<>>>
Исследования глубоких уровней GaAs p-i-n-структур
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), 16-08-00954-а
Соболев М.М.1, Солдатенков Ф.Ю.1,2, Козлов В.А.1,2,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО Силовые полупроводники", Санкт-Петербург, Россия
3ЗАО НПО ФИД--Технология", Санкт-Петербург, Россия
Email: m.sobolev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 22 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.
PDF версия
Представлены результаты экспериментальных исследований вольт-фарадных характеристик, спектров нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) p+-p0-i-n0-структур на основе нелегированного GaAs, выращенных методом жидкофазной эпитаксии при двух температурах начала кристаллизации 950 и 850oC, без света и при оптической подсветке. Показано, что для эпитаксиальных p0-, i- и n0-слоев структур характерно наличие дефектов с глубокими уровнями донорного и акцепторного типа с концентрациями, сравнимыми с концентрациями мелких доноров и акцепторов. Обнаружено наличие интерфейсных состояний, которые проявляются для вольт-фарадных характеристик при различных температурах измерения и оптической подсветке и являются аддитивной постоянной. Выявлена сильная температурная зависимость стационарной емкости структур. Обнаружено, что инжекция неосновных носителей заряда при приложенном положительном импульсе заполнения и оптическая перезарядка приводят к модификации структуры и соответственно DLTS-спектров p+-p0-i-n0-структур. Выявлено, что для p+-p0-i-n0-структур GaAs, выращенных при Tb=850oC, отсутствуют интерфейсные состояния и перезарядка глубоких ловушек акцепторного типа при оптической подсветке не приводит к изменению вольт-фарадных характеристик. В DLTS-спектрах, измеренных обычным способом, обнаружено наличие двух дырочных ловушек: HL5 и HL2, характерных для слоев GaAs.
  1. N. Kimato, J.A. Cooper. Fundamentals of Silicon Carbide Technology, Growth, Characterization, Devices and Applications (Singapore, Wiley, 2014)
  2. I.V. Grekhov, P.A. Ivanov, D.V. Khristyuk, A.O. Konstantinov, S.V. Korotkov, T.P. Samsonova. Sol. St. Electron., 47, 1769 (2003)
  3. П.А. Иванов, И.В. Грехов. ФТП, 46 (4), 544 (2012)
  4. Ж.И. Алферов, В.И. Корольков, В.Г. Никитин, М.Н. Степанова, Д.Н. Третьяков. Письма ЖТФ, 2 (2), 201 (1976)
  5. Ф.Ю. Солдатенков, В.Г. Данильченко, В.И. Корольков. ФТП, 41 (2), 217 (2007)
  6. В.Г. Данильченко, В.И. Корольков, Ф.Ю. Солдатенков. ФТП, 43 (8), 1093 (2009)
  7. В.Е. Войтович, А.И. Гордеев, А.Н. Думаневич. Силовая электроника, 2, 16 (2010)
  8. В.Е. Войтович, А.И. Гордеев, А.Н. Думаневич. Силовая электроника, 5, 4 (2010)
  9. В.И. Брылевский, А.В. Рожков, И.А. Смирнова, П.Б. Родин, И.В. Грехов. Письма ЖТФ, 41 (7), 1 (2015)
  10. М.М. Соболев, П.Р. Брунков, С.Г. Конников, М.Н. Степанова, В.Г. Никитин, В.П. Улин, А.Ш. Долбая, Т.Д. Камушадзе, Р. Майсурадзе. ФТП, 25 (6), 1058 (1989)
  11. П.Н. Брунков, С. Гайбуллаев, С.Г. Конников, В.Г. Никитин, М.И. Папенцев, М.М. Соболев. ФТП, 25 (1), 338 (1991)
  12. D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45 (7), 3023 (1974)
  13. G.M. Martin, A. Mitonneau, A. Mircea. Electron. Lett., 13 (22), 666 (1977)
  14. E.R. Weber, H. Ennen, U. Kaufmann, J. Windscheif, J. Schneider, T. Wosinski. J. Appl.Phys., 53 (9), 6140 (1982)
  15. K. Krambrock, J.-M. Spaeth, C. Delerue, G. Allan, M. Lannoo. Phys. Rev. B, 45 (3), 1481 (1992)
  16. J. Lagowski, D.G. Lin, T.-P. Chen, M. Skowronski, H.C. Gatos. Appl. Phys. Lett., 47 (9), 929 (1985)
  17. E.S. Yang. J. Appl. Phys., 45 (9), 3801 (1974)
  18. J.P. Donnelly, A.G. Milnes. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-14 (2), 63 (1967)
  19. М.М. Соболев, А.В. Гитцович, М.И. Папенцев, И.В. Кочнев, Б.С. Явич. ФТП, 26 ,(10), 1760 (1992)
  20. Д.В. Давыдов, А.Л. Закгейм, Ф.М. Снегов, М.М. Соболев, А.Е. Черняков, А.С. Усиков, Н.М. Шмидт. Письма ЖТФ, 33 (4), 11 (2007)
  21. М.М. Соболев, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, Ю.Г. Мусихин. ФТП, 33 (2), 184 (1999)
  22. M.M. Sobolev, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, Yu.G. Musikhin. J. Electron. Mater., 28, 491 (1999)
  23. S.K. Brierley. J. Appl. Phys., 61 (2), 567 (1987)
  24. E. Meijer, L.A. Ledebo, Z.-G. Wang. Sol. St. Commun., 46, 255 (1983)
  25. X.D. Chen, Y. Huang, S. Fung, C.D. Beling, C.C. Ling, J.K. Sheu, M.L. Lee, G.C. Chi, S.J. Chang. Appl. Phys. Lett., 82, 3671 (2003)
  26. S. Loualiche, A. Nouailhat, G. Guillto, M. Gavand, A. Lauger. J. Appl. Phys., 53 (12), 8691 (1982)
  27. D. Stievenard, J.C. Bourgoin, D. Pons. Physica B + C, 116B, 394 (1983)
  28. D.V. Lang. Inst. Phys. Conf. Ser., 31 (1), 70 (1977).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme