Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
XIX симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г. Высокочастотное детектирование процессов формирования и стабилизации кластера радиационных дефектов в полупроводниковых структурах
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2015 г.
Проведен анализ процессов формирования и стабилизации кластера радиационных дефектов при попадании быстрого нейтрона в область пространственного заряда полупроводникового диода. Рассчитан импульс тока, формируемый вторичными электронами, и определен спектр сигнала, генерируемого диодом (детектором) при воздействии потока мгновенных нейтронов спектра деления. Обсуждается возможность экспериментального детектирования радиационно-индуцированных переходных процессов пикосекундной длительности.
- В.С. Вавилов. Действие излучений на полупроводники (М., Физматгиз, 1963)
- С.В. Оболенский. Изв. вузов. Электроника, 4, 49 (2003)
- С.В. Оболенский. Микроэлектроника, 33 (6), 153 (2004)
- Е.В. Волкова, С.В. Оболенский. Вестн. ННГУ. Сер.: Радиофизика, 4, 64 (2013)
- Р.Ф. Коноплева, В.Н. Остроумов. Взаимодействие заряженных частиц высоких энергий с германием и кремнием (М., Атомиздат, 1975)
- В.Л. Винецкий, Г.А. Холодарь. Радиационная физика полупроводников (Киев, Наук. думка, 1979)
- Д. Ланг. Радиационные дефекты в соединениях AIIIBV (М., Мир, 1979)
- Л.С. Смирнов. Физические процессы в облученных полупроводниках (Новосибирск, Наука, 1977)
- М. Томсон. Дефекты и радиационные повреждения в металлах (М., Мир, 1971)
- M. Bertolotti. J. Appl. Phys., 12, 2645 (1967)
- E.W. Mitchell, C.J. Norris. Phys. Soc. Simp. (Japan, 1966) p. 2992
- G. Dlubek, A. Dlubek, R. Krause, O. Brummer. Phys. Status Solidi, 1, 111 (1988)
- Е.В. Киселева, С.В. Оболенский. Вопросы атомной науки и техники. Сер.: физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, 1--2, 46 (2004)
- В.П. Кладько, В.П. Пляцко. ФТП, 32, 261 (1998)
- В.С. Вавилов, Н.А. Ухин. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах (М., Атомиздат, 1969)
- Е.Р. Аствацатурьян, Д.В. Громов, В.М. Ломако. Радиационные эффекты в приборах и интегральных схемах на арсениде галлия (Минск, Университетское, 1992)
- А.И. Болоздыня, И.М. Ободовский. Детекторы ионизирующих частиц и излучений. Принципы и применения (Долгопрудный, Изд. дом Интеллект", 2012)
- С.В. Оболенский. Изв. вузов. Электроника, 6, 31 (2002)
- М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)
- Р.Ф. Казаринов, Р.А. Сурис. ФТП, 5, 797 (1971)
- J. Faist, F. Capasso, D.L. Sivco et al. Science, 264, 553 (1964)
- L. Li, L. Chen, J. Zhu et al. Electron. Lett., 50, 309 (2014)
- Д.Г. Павельев, Ю.И. Кошуринов, А.С. Иванов, А.Н. Панин, В.Л. Вакс, В.И. Гавриленко, А.В. Антонов, В.М. Устинов, А.Е. Жуков. ФТП, 46, 125 (2012)
- A.M. Belyantsev, V.A. Kozlov, V.I. Piskaryov. Infr. Phys., 21, 79 (1981)
- А.Н. Агалаков, Н.Ф. Асмолова, Д.В. Букин и др. IX Межотраслевая конф. по радиационной стойкости (Снежинск, 2010) т. 2, с. 83
- А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.А. Козлов. ФТП, 49, 71 (2015)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
