Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Радиационная стойкость планарных диодов Ганна с delta-легированными слоями
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.
Исследована радиационная стойкость планарных диодов Ганна. На основании результатов измерений импульсных вольт-амперных характеристик и компьютерного моделирования показано, что использование delta-слоев легирующей примеси способствует повышению уровня радиационной стойкости планарных диодов на порядок по сравнению с обычными "объемными" диодами. Результаты работы позволили сформулировать методические указания, позволяющие сократить объем расчетно-экспериментальных исследований, без существенного снижения их информативности.
- М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)
- A. Khalid, N.J. Pilgrim, G.M. Dunn. Electron Dev. Lett., 28 (10), 849 (2007)
- I. Danilov, J.P. deSouza, H. Boudinov, A.V. Murel, V.M. Daniltsev, V.I. Shashkin. Appl. Phys. Lett., 75 (13), 1917 (1999)
- А.В. Германенко, Г.М. Миньков, С.А. Негашев, О.Е. Рут, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин, В.М. Данильцев. В сб.: Матер. совещ. "Нанофотоника" (Нижний Новгород, 2000) c. 78
- В.М. Лукашин, А.Б. Пашковский, К.С. Журавлев, А.И. Торопов, В.Г. Лапин, Е.И. Голант, А.А. Капралова. В сб.: 23rd Int. Crimean Conf. "Microwave \& Telecommunication Technology" (Sevastopol CriMiCo'2013 Organizing Committee, CrSTC) c. 122. ISBN: 978-966-335-395-1, 2013)
- В.И. Шашкин, В.М. Данильцев, Е.В. Демидов, А.В. Мурель, И.Ю. Шулешова. Матер. 22-й Междунар. Крымской конф. "СВЧ-техника, телекоммуникационные технологии" CriMiCo'2012 (Севастополь, 2012) с. 733
- С.В. Оболенский. Изв. вузов. Электроника, 6, 31 (2003)
- Е.А. Ладыгин. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники (М., Сов. радио, 1980)
- Е.А. Тарасова, С.В. Оболенский, Д.И. Дюков, А.Г. Фефелов, Д.С. Демидова. ФТП, 46(12), 1587 (2012)
- Е.В. Волкова, С.В. Оболенский. Физика и химия обраб. материалов, 3, 29 (2005)
- С.В. Оболенский. Изв. вузов. Электроника, 4, 49 (2003)
- Н.В. Демарина, С.В. Оболенский. ЖТФ, 72 (1), 66 (2002)
- Р. Цулег. Радиационные эффекты в ИC на GaAs (М., Мир, 1988) с. 501
- S.V. Obolensky, A.V. Murel, N.V. Vostokov, V.I. Shashkin. IEEE Trans. Electron Dev., 58 (8), 2507 (2011)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
