"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Радиационная стойкость планарных диодов Ганна с delta-легированными слоями
Оболенская Е.С.1, Чурин А.Ю.1, Оболенский С.В.1, Мурель А.В.2, Шашкин В.И.2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.

Исследована радиационная стойкость планарных диодов Ганна. На основании результатов измерений импульсных вольт-амперных характеристик и компьютерного моделирования показано, что использование delta-слоев легирующей примеси способствует повышению уровня радиационной стойкости планарных диодов на порядок по сравнению с обычными "объемными" диодами. Результаты работы позволили сформулировать методические указания, позволяющие сократить объем расчетно-экспериментальных исследований, без существенного снижения их информативности.
  1. М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)
  2. A. Khalid, N.J. Pilgrim, G.M. Dunn. Electron Dev. Lett., 28 (10), 849 (2007)
  3. I. Danilov, J.P. deSouza, H. Boudinov, A.V. Murel, V.M. Daniltsev, V.I. Shashkin. Appl. Phys. Lett., 75 (13), 1917 (1999)
  4. А.В. Германенко, Г.М. Миньков, С.А. Негашев, О.Е. Рут, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин, В.М. Данильцев. В сб.: Матер. совещ. "Нанофотоника" (Нижний Новгород, 2000) c. 78
  5. В.М. Лукашин, А.Б. Пашковский, К.С. Журавлев, А.И. Торопов, В.Г. Лапин, Е.И. Голант, А.А. Капралова. В сб.: 23rd Int. Crimean Conf. "Microwave \& Telecommunication Technology" (Sevastopol CriMiCo'2013 Organizing Committee, CrSTC) c. 122. ISBN: 978-966-335-395-1, 2013)
  6. В.И. Шашкин, В.М. Данильцев, Е.В. Демидов, А.В. Мурель, И.Ю. Шулешова. Матер. 22-й Междунар. Крымской конф. "СВЧ-техника, телекоммуникационные технологии" CriMiCo'2012 (Севастополь, 2012) с. 733
  7. С.В. Оболенский. Изв. вузов. Электроника, 6, 31 (2003)
  8. Е.А. Ладыгин. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники (М., Сов. радио, 1980)
  9. Е.А. Тарасова, С.В. Оболенский, Д.И. Дюков, А.Г. Фефелов, Д.С. Демидова. ФТП, 46(12), 1587 (2012)
  10. Е.В. Волкова, С.В. Оболенский. Физика и химия обраб. материалов, 3, 29 (2005)
  11. С.В. Оболенский. Изв. вузов. Электроника, 4, 49 (2003)
  12. Н.В. Демарина, С.В. Оболенский. ЖТФ, 72 (1), 66 (2002)
  13. Р. Цулег. Радиационные эффекты в ИC на GaAs (М., Мир, 1988) с. 501
  14. S.V. Obolensky, A.V. Murel, N.V. Vostokov, V.I. Shashkin. IEEE Trans. Electron Dev., 58 (8), 2507 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.