"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge
Филатов Д.О.1, Горшков А.П.2, Волкова Н.С.2, Гусейнов Д.В.2, Алябина Н.А.1, Иванова М.М.3, Чалков В.Ю.1, Денисов С.А.1, Шенгуров В.Г.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 20 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2015 г.

Исследована зависимость спектров фоточувствительности фотодиодов на основе Si p-i-n-структур с одно- и многослойными массивами самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001) в i-области, выращенных комбинированным методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge, от температуры, напряжения смещения на диоде и параметров наноостровков GeSi. Показано, что зависимость фоточувствительности диодов в спектральной области межзонного оптического поглощения наноостровков GeSi от температуры и напряжения смещения определяется соотношением скорости эмиссии фотовозбужденных дырок из наноостровков GeSi и скорости рекомбинации избыточных носителей в островках. Показана возможность определения рекомбинационного времени жизни дырок в наноостровках GeSi из температурных и полевых зависимостей фоточувствительности.
  1. О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП, 34, 1281 (2000)
  2. I. Berbezier, A. Ronda. Surf. Sci. R, 64, 47 (2009)
  3. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, С.В. Чайковский, С.А. Тийс. ФТП, 37, 1383 (2003)
  4. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, В.В. Кириенко, Н.П. Степина, А.И. Никифоров, В.В. Ульянов, С.В. Чайковский, В.А. Володин, М.Д. Ефремов, М.С. Сексенбаев, Т.С. Шамирзаев, К.С. Журавлев. ФТП, 38, 1265 (2004)
  5. J. Wang, S. Lee. Sensors, 11, 696 (2011)
  6. L. Colace, G. Masini, G. Assanto, H.-C. Luan, K. Wada, L.C. Kimerling. Appl. Phys. Lett., 76, 1231 (2000)
  7. З.Ф. Красильник, К.Е. Кудрявцев, А.Н. Качемцев, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, С.В. Оболенский, Д.В. Шенгуров. ФТП, 45, 230 (2011)
  8. А.В. Новиков, А.Н. Яблонский, В.В. Платонов, С.В. Оболенский, Д.Н. Лобанов, З.Ф. Красильник. ФТП, 44, 346 (2010)
  9. Д.О. Филатов, М.В. Круглова, М.А. Исаков, С.В. Сипрова, M.О. Марычев, В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов. Изв. РАН. Сер. физ., 72, 267 (2008)
  10. Д.О. Филатов, М.В. Круглова, М.А. Исаков, С.В. Сипрова, M.О. Марычев, В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов. ФТП, 42, 1116 (2008)
  11. Т.В. Белоусова, Ю.Г. Садофьев. Электрон. промышленность, 10, 78 (1990)
  12. В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов, С.П. Светлов, Д.В. Шенгуров. Вакуумная техника и технология, 21, 45 (2011)
  13. D.O. Filatov, M.A. Isakov, V.G. Shengurov, M.O. Marychev, A.V. Nezdanov, A.I. Mashin. Photoluminescence: Applications, Types and Efficacy (N.Y., Nova Science, 2012)
  14. А.И. Машин, А.В. Нежданов, Д.О. Филатов, М.А. Исаков, В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов. ФТП, 44, 1552 (2010)
  15. X.Z. Liao, J. Zou, D.J.H. Cockayne, J. Qin, Z.M. Jiang, X. Wang, R. Leon. Phys. Rev. B, 60, 15 605 (1999)
  16. Г.А. Максимов, З.Ф. Красильник, Д.О. Филатов, М.В. Круглова, С.В. Морозов, Д.Ю. Ремизов, Д.Е. Николичев, В.Г. Шенгуров. ФТТ, 47, 26 (2005)
  17. Д.О. Филатов, М.В. Круглова, М.А. Исаков, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков. Поверхность: рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, вып. 2, 40 (2006)
  18. В.Я. Алешкин, Н.А. Бекин. ФТП, 31, 171 (1997)
  19. New Semiconductor Materials Database. http://www.matprop.ru/
  20. Д.О. Филатов, М.В. Круглова, М.А. Исаков, А.П. Горшков, В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов. Поверхность: рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, вып. 9, 58 (2009)
  21. M. El Kurdi, S. Sauvage, G. Fishman. Phys. Rev. B, 73, 195 327 (2006)
  22. J. Nelson, M. Paxman, K.W.J. Barnham, J.S. Roberts, C. Button. IEEE J. Quant. Electron., 29, 1460 (1993)
  23. R. Tsu, L. Esaki. Appl. Phys. Lett., 22, 562 (1973)
  24. А.А. Бухараев, Н.В. Бердунов, Д.В. Овчинников, К.М. Салихов. Микроэлектроника, 26, 163 (1997)
  25. B. Julsgaard, P. Balling, J. Lundsgaard Hansen, A. Svane, A. Nylandsted Larsen. Appl. Phys. Lett., 98, 093 101 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.