Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 20 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2015 г.
Исследована зависимость спектров фоточувствительности фотодиодов на основе Si p-i-n-структур с одно- и многослойными массивами самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001) в i-области, выращенных комбинированным методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge, от температуры, напряжения смещения на диоде и параметров наноостровков GeSi. Показано, что зависимость фоточувствительности диодов в спектральной области межзонного оптического поглощения наноостровков GeSi от температуры и напряжения смещения определяется соотношением скорости эмиссии фотовозбужденных дырок из наноостровков GeSi и скорости рекомбинации избыточных носителей в островках. Показана возможность определения рекомбинационного времени жизни дырок в наноостровках GeSi из температурных и полевых зависимостей фоточувствительности.
- О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП, 34, 1281 (2000)
- I. Berbezier, A. Ronda. Surf. Sci. R, 64, 47 (2009)
- А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, С.В. Чайковский, С.А. Тийс. ФТП, 37, 1383 (2003)
- А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, В.В. Кириенко, Н.П. Степина, А.И. Никифоров, В.В. Ульянов, С.В. Чайковский, В.А. Володин, М.Д. Ефремов, М.С. Сексенбаев, Т.С. Шамирзаев, К.С. Журавлев. ФТП, 38, 1265 (2004)
- J. Wang, S. Lee. Sensors, 11, 696 (2011)
- L. Colace, G. Masini, G. Assanto, H.-C. Luan, K. Wada, L.C. Kimerling. Appl. Phys. Lett., 76, 1231 (2000)
- З.Ф. Красильник, К.Е. Кудрявцев, А.Н. Качемцев, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, С.В. Оболенский, Д.В. Шенгуров. ФТП, 45, 230 (2011)
- А.В. Новиков, А.Н. Яблонский, В.В. Платонов, С.В. Оболенский, Д.Н. Лобанов, З.Ф. Красильник. ФТП, 44, 346 (2010)
- Д.О. Филатов, М.В. Круглова, М.А. Исаков, С.В. Сипрова, M.О. Марычев, В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов. Изв. РАН. Сер. физ., 72, 267 (2008)
- Д.О. Филатов, М.В. Круглова, М.А. Исаков, С.В. Сипрова, M.О. Марычев, В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов. ФТП, 42, 1116 (2008)
- Т.В. Белоусова, Ю.Г. Садофьев. Электрон. промышленность, 10, 78 (1990)
- В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов, С.П. Светлов, Д.В. Шенгуров. Вакуумная техника и технология, 21, 45 (2011)
- D.O. Filatov, M.A. Isakov, V.G. Shengurov, M.O. Marychev, A.V. Nezdanov, A.I. Mashin. Photoluminescence: Applications, Types and Efficacy (N.Y., Nova Science, 2012)
- А.И. Машин, А.В. Нежданов, Д.О. Филатов, М.А. Исаков, В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов. ФТП, 44, 1552 (2010)
- X.Z. Liao, J. Zou, D.J.H. Cockayne, J. Qin, Z.M. Jiang, X. Wang, R. Leon. Phys. Rev. B, 60, 15 605 (1999)
- Г.А. Максимов, З.Ф. Красильник, Д.О. Филатов, М.В. Круглова, С.В. Морозов, Д.Ю. Ремизов, Д.Е. Николичев, В.Г. Шенгуров. ФТТ, 47, 26 (2005)
- Д.О. Филатов, М.В. Круглова, М.А. Исаков, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков. Поверхность: рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, вып. 2, 40 (2006)
- В.Я. Алешкин, Н.А. Бекин. ФТП, 31, 171 (1997)
- New Semiconductor Materials Database. http://www.matprop.ru/
- Д.О. Филатов, М.В. Круглова, М.А. Исаков, А.П. Горшков, В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов. Поверхность: рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, вып. 9, 58 (2009)
- M. El Kurdi, S. Sauvage, G. Fishman. Phys. Rev. B, 73, 195 327 (2006)
- J. Nelson, M. Paxman, K.W.J. Barnham, J.S. Roberts, C. Button. IEEE J. Quant. Electron., 29, 1460 (1993)
- R. Tsu, L. Esaki. Appl. Phys. Lett., 22, 562 (1973)
- А.А. Бухараев, Н.В. Бердунов, Д.В. Овчинников, К.М. Салихов. Микроэлектроника, 26, 163 (1997)
- B. Julsgaard, P. Balling, J. Lundsgaard Hansen, A. Svane, A. Nylandsted Larsen. Appl. Phys. Lett., 98, 093 101 (2011)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
