Вышедшие номера
Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge
Филатов Д.О.1, Горшков А.П.2, Волкова Н.С.2, Гусейнов Д.В.2, Алябина Н.А.1, Иванова М.М.3, Чалков В.Ю.1, Денисов С.А.1, Шенгуров В.Г.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 20 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2015 г.

Исследована зависимость спектров фоточувствительности фотодиодов на основе Si p-i-n-структур с одно- и многослойными массивами самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001) в i-области, выращенных комбинированным методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge, от температуры, напряжения смещения на диоде и параметров наноостровков GeSi. Показано, что зависимость фоточувствительности диодов в спектральной области межзонного оптического поглощения наноостровков GeSi от температуры и напряжения смещения определяется соотношением скорости эмиссии фотовозбужденных дырок из наноостровков GeSi и скорости рекомбинации избыточных носителей в островках. Показана возможность определения рекомбинационного времени жизни дырок в наноостровках GeSi из температурных и полевых зависимостей фоточувствительности.