"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Биосенсоры на основе регистрации матрицы проводимости мультиконтактных полупроводниковых наноструктур
Даниловский Э.Ю.1, Баграев Н.Т.1,2, Чернев А.Л.3, Гец Д.С.1, Клячкин Л.Е.1, Маляренко А.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 апреля 2014 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2014 г.

Метод регистрации матриц проводимости анализируется с целью изучения свойств кремниевых наноструктур, выполненных в рамках холловской геометрии на поверхности Si (100) n-типа и представляющих собой сверхузкие кремниевые квантовые ямы p-типа, ограниченные delta-барьерами, сильно легированными бором. В рамках предлагаемого подхода полный ток, протекающий через мультиконтактную кремниевую наноструктуру, записывается в матричной форме как I=G· V, где I и V --- столбцы токов и напряжений для каждого из N контактов, G --- матрица проводимости размерности Nx N, однозначно описывающая проводимость исследуемой структуры с учетом вклада сопротивления контактных площадок. Демонстрируется высокая чувствительность матричных элементов к изменению состояния поверхности кремниевой наноструктуры в условиях осаждения раствора ацетата натрия, содержащего одноцепочные синтетические олигонуклеотиды. Обсуждаются перспективы практического применения полученных результатов при разработке современных биосенсеров на основе регистрации матрицы проводимости мультиконтактных полупроводниковых наноструктур.
  • О.Н. Компанец. УФН, 174 (6), 684 (2004)
  • S.Q. Lud, M.G. Nikolaides, I. Haase, M. Fischer, A.R. Bausch. Chem. Phys. Chem., 7 (2), 379 (2006)
  • C.S. Lee, S.K. Kim, M. Kim. Sensors, 9, 7111 (2009)
  • Xudong Fan, Ian M. White, Siyka I. Shopova, Hongying Zhu, Jonathan D. Suter, Yuze Sun. Anal. Chimica Acta, 620, 8 (2008)
  • X.D. Hoa, A.G. Kirkb, M. Tabrizian. Biosensors Bioelectron., 23 (2), 151 (2007)
  • H.M. Hiep, T. Endo, K. Kerman, M. Chikae, D. Kim, S. Yamamura, Y. Takamura, E. Tamiya. Sci. Technol. Adv. Mater., 8, 331 (2007)
  • I. Lundstrom, M.S. Shlvaraman, C.S. Svenson, L. Lundkvlst. Appl. Phys. Lett., 26, 55 (1975)
  • C. Toumazou et al. Nat. Methods, 10, 641 (2013)
  • J.M. Rothberg et al. Nature, 475, 348 (2011)
  • Э.Ю. Даниловский, Н.Т. Баграев. ФТП (принята к печати) arXiv:1404.6051
  • Н.Т. Баграев, Е.В. Владимирская, В.Э. Гасумянц, В.И. Кайданов, В.В. Кведер, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, Е.И. Чайкина, А.И. Шалынин. ФТП, 29 (12), 2133 (1995)
  • Н.Т. Баграев, А.Д. Буравлев, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, В. Гельхофф, В.К. Иванов, И.А. Шелых. ФТП, 36 (4), 462 (2002)
  • N.T. Bagraev, N.G. Galkin, W. Gehlhoff, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko. J. Phys.: Condens. Matter, 20, 164 202 (2008)
  • G.S. Hwang, W.A. Goddard III. Appl. Phys. Lett., 83, 3501 (2003)
  • N.T. Bagraev, V.A. Mashkov, E.Yu. Danilovsky, W. Gehlhoff, D.S. Gets, L.E. Klyachkin, A.A. Kudryavtsev, R.V. Kuzmin, A.M. Malyarenko, V.V. Romanov. Appl. Magnetic Resonance, 39, 113 (2010)
  • N.T. Bagraev, N.G. Galkin, W. Gehlhoff, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko, I.A. Shelykh. J. Phys.: Condens. Matter, 18, L1 (2006)
  • Н.Т. Баграев, Э.Ю. Даниловский, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, В.А. Машков. ФТП, 46 (1), 77 (2012)
  • W. Frank, U. Gosele, H. Mehrer, A. Seeger. Diffusion in silicon and germanium (Dif. Crystlline Solids, Academic Press Inc., 1984) c. 63
  • Н.Т. Баграев, А.Д. Буравлев, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, С.А. Рыков. ФТП, 34 (6), 726 (2000)
  • Е.В. Кучис. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования (М., Радио и связь, 1990) с. 162, 86
  • П.П. Коноров, А.М. Яфясов. Физика поверхности полупроводниковых электродов (СПб., Изд-во СПбУ, 2003)
  • В.Ф. Киселев, С.Н. Козлов, А.В. Зотеев. Основы физики поверхности твердого тела (М., Изд-во Моск. ун-та, Физический факультет МГУ, 1999) с. 78
  • Ф.Ф. Волькенштейн. Электронная теория катализа на полупроводниках (М., Физматгиз, 1960)
  • И.Е. Тамм. ЖЭТФ, 3, 34 (1933)
  • W. Shokley. Phys. Rev., 59, 319 (1939)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.