Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Инжекционный фотодиод на основе p-Si-n-CdS-n+-CdS-структуры
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан 
Поступила в редакцию: 20 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.
Создан инжекционный фотодиод на основе p-Si-n-CdS-n+-CdS-структуры, который имеет высокое значение коэффициента выпрямления (105) при комнатной температуре. Показано, что световые и темновые вольт-амперные характеристики структуры имеют одинаковые закономерности. Установлено, что при плотностях тока I=10-2-5·10-4 A/см2 в структуре реализуется режим "длинных" диодов и при этом величины интегральной (Sint) и спектральной (Slambda) чувствительностей резко увеличиваются. Обнаружено, что Sint=2.8·104 A/люм (3·106A/Вт) для уровня освещенности E=0.1 люкс и Slambda=2.3·104 А/Вт при облучении лазером с lambda=625 нм и мощностью P=10 мкВт/см2 при напряжении смещения V=20 В. Установлено, что механизм усиления фототока в основном связан с модуляцией амбиполярной подвижности носителей.
- И.М. Колдаев, В.В. Лосев, Б.М. Орлов. ФТП, 18, 1316 (1984)
- Ш.А. Мирсагатов, А.К. Утениязов. Письма в ЖТФ, 38 (1), 70 (2012)
- Ш.А. Мирсагатов, Р.Р. Кабулов, М.А. Махмудов. ФТП, 47 (6), 815 (2013)
- Ш.А. Мирсагатов, О.К. Атабоев, Б.Н. Заверюхин. ФТП, 11 (1), 4 (2013)
- А.С. Саидов, А.Ю. Лейдерман, Ш.Н. Усмонов, К.Т. Холиков. ФТП, 43 (4), 436 (2009)
- Э. Фриш. Оптические методы измерений (Л., Изд-во ЛГУ, 1976) ч. I, с. 126
- А. Амброзяк. Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов (М., Сов. радио, 1970) с. 392
- И.М. Викулин, Ш.Д. Курмашев, В.И. Стафеев. ФТП, 42 (1), 113. (2008)
- S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (A Wiley--Interscience Publication John Wiley and Sons, N. Y.--Chichester--Brisbane--Toronto--Singapore, 1981) т. 1, p. 386
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов, под ред. докт. физ.-мат. наук Р.А. Суриса. (М., Мир, 1984) т. 1, с. 386
- В.Г. Георгиу. Вольт-фарадные измерения параметров полупроводников (Кишинев, Штиинца, 1987) с. 15
- П.Т. Орешкин. Физика полупроводников и диэлектриков (М., Высш. шк., 1977) с. 173
- И.М. Викулин, В.И. Стафеев. Физика полупроводниковых приборов (М., Сов. радио, 1980) с. 36
- А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник, под ред. проф. В.С. Вавилова (М., Мир, 1975) с. 425
- W. Shockley. Bell Syst. Techn. J. 28, 4351 (1949)
- В.И. Cтафеев. ЖТФ, 28, 1631 (1958)
- В.И. Фистуль. Физика и химия твердого тела (М., Металлургия, 1995) т. I, II
- A.Yu. Leiderman, P.M. Karageorgy-Alkalaev. Sol. St. Commun., 25 (1), 781 (1978)
- Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Токи двойной инжекции в полупроводниках (М., Сов. радио, 1978), с. 126
- П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями (Ташкент, Фан, 1981) c. 200
- В.В. Осипов, В.И. Стафеев. ФПТ, 1, 1796 (1967)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
