"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Инжекционный фотодиод на основе p-Si-n-CdS-n+-CdS-структуры
Мирсагатов Ш.А.1, Сапаев И.Б.1
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 20 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.

Создан инжекционный фотодиод на основе p-Si-n-CdS-n+-CdS-структуры, который имеет высокое значение коэффициента выпрямления (105) при комнатной температуре. Показано, что световые и темновые вольт-амперные характеристики структуры имеют одинаковые закономерности. Установлено, что при плотностях тока I=10-2-5·10-4 A/см2 в структуре реализуется режим "длинных" диодов и при этом величины интегральной (Sint) и спектральной (Slambda) чувствительностей резко увеличиваются. Обнаружено, что Sint=2.8·104 A/люм (3·106A/Вт) для уровня освещенности E=0.1 люкс и Slambda=2.3·104 А/Вт при облучении лазером с lambda=625 нм и мощностью P=10 мкВт/см2 при напряжении смещения V=20 В. Установлено, что механизм усиления фототока в основном связан с модуляцией амбиполярной подвижности носителей.
  1. И.М. Колдаев, В.В. Лосев, Б.М. Орлов. ФТП, 18, 1316 (1984)
  2. Ш.А. Мирсагатов, А.К. Утениязов. Письма в ЖТФ, 38 (1), 70 (2012)
  3. Ш.А. Мирсагатов, Р.Р. Кабулов, М.А. Махмудов. ФТП, 47 (6), 815 (2013)
  4. Ш.А. Мирсагатов, О.К. Атабоев, Б.Н. Заверюхин. ФТП, 11 (1), 4 (2013)
  5. А.С. Саидов, А.Ю. Лейдерман, Ш.Н. Усмонов, К.Т. Холиков. ФТП, 43 (4), 436 (2009)
  6. Э. Фриш. Оптические методы измерений (Л., Изд-во ЛГУ, 1976) ч. I, с. 126
  7. А. Амброзяк. Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов (М., Сов. радио, 1970) с. 392
  8. И.М. Викулин, Ш.Д. Курмашев, В.И. Стафеев. ФТП, 42 (1), 113. (2008)
  9. S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (A Wiley--Interscience Publication John Wiley and Sons, N. Y.--Chichester--Brisbane--Toronto--Singapore, 1981) т. 1, p. 386
  10. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов, под ред. докт. физ.-мат. наук Р.А. Суриса. (М., Мир, 1984) т. 1, с. 386
  11. В.Г. Георгиу. Вольт-фарадные измерения параметров полупроводников (Кишинев, Штиинца, 1987) с. 15
  12. П.Т. Орешкин. Физика полупроводников и диэлектриков (М., Высш. шк., 1977) с. 173
  13. И.М. Викулин, В.И. Стафеев. Физика полупроводниковых приборов (М., Сов. радио, 1980) с. 36
  14. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник, под ред. проф. В.С. Вавилова (М., Мир, 1975) с. 425
  15. W. Shockley. Bell Syst. Techn. J. 28, 4351 (1949)
  16. В.И. Cтафеев. ЖТФ, 28, 1631 (1958)
  17. В.И. Фистуль. Физика и химия твердого тела (М., Металлургия, 1995) т. I, II
  18. A.Yu. Leiderman, P.M. Karageorgy-Alkalaev. Sol. St. Commun., 25 (1), 781 (1978)
  19. Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Токи двойной инжекции в полупроводниках (М., Сов. радио, 1978), с. 126
  20. П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями (Ташкент, Фан, 1981) c. 200
  21. В.В. Осипов, В.И. Стафеев. ФПТ, 1, 1796 (1967)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.