Создан инжекционный фотодиод на основе p-Si-n-CdS-n⁺-CdS-структуры, который имеет высокое значение коэффициента выпрямления (10⁵) при комнатной температуре. Показано, что световые и темновые вольт-амперные характеристики структуры имеют одинаковые закономерности. Установлено, что при плотностях тока I=10^-2-5·10^-4 A/см² в структуре реализуется режим "длинных" диодов и при этом величины интегральной (S_int) и спектральной (S_lambda) чувствительностей резко увеличиваются. Обнаружено, что S_int=2.8·10⁴ A/люм (3·10⁶A/Вт) для уровня освещенности E=0.1 люкс и S_lambda=2.3·10⁴ А/Вт при облучении лазером с lambda=625 нм и мощностью P=10 мкВт/см² при напряжении смещения V=20 В. Установлено, что механизм усиления фототока в основном связан с модуляцией амбиполярной подвижности носителей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.