Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
GaAs в GaSb --- напряженные наноструктуры для оптоэлектроники среднего инфракрасного диапазона
1Физико-технический инстут им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Division on Information and Communication Sciences, Macquarie University, North Ryde, NSW, Australia
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Division on Information and Communication Sciences, Macquarie University, North Ryde, NSW, Australia
Поступила в редакцию: 11 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.
Впервые сообщается о получении методом молекулярно-пучковой эпитаксии нового типа гетероструктур GaAs/GaSb, содержащих ультратонкие (0.8-3 монослоя) слои GaAs в GaSb, и исследовании их методами рентгеновской дифрактометрии, просвечивающей электронной микроскопии и фотолюминесценции. В таких структурах, в отличие от изученных к настоящему времени структур с самоорганизующимися квантовыми точками, слой GaAs в GaSb находится под воздействием растягивающих упругих напряжений (рассогласование решеток 7%). В структурах GaAs/GaSb обнаружена интенсивная фотолюминесценция в области волн вблизи 2 мкм при низких температурах. Показано образование квантово-размерных островков при номинальной толщине слоя GaAs 1.5 монослоя и более. Установлено, что предложенные структуры имеют зонную диаграмму типа II.
- Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982)
- A. Madhukar, Q. Xie, P. Chen, A. Konkar. Appl. Phys. Lett., 64, 2727 (1994)
- F. Hatami, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, J. Bhrer, F. Heinrichsdorff, M. Beer, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gsele, J. Heydenreich, U. Richter, S.V. Ivanov, B.Ya. Meltser, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Appl. Phys. Lett., 67, 656 (1995)
- E.R. Glaser, B.R. Bennett, B.V. Shanabrook, R. Magno. Appl. Phys. Lett., 68, 3614 (1996)
- H. Marchand, P. Desjardins, S. Guillon, J.-E. Paultre, Z. Bougrioua, R.Y.-F. Yip, R.A. Masut. Appl. Phys. Lett., 71, 527 (1997)
- N. Carlsson, W. Seifert, A. Petersson, P. Castrillo, M.E. Pistol, L. Samuelson. Appl. Phys. Lett., 65, 3093 (1994)
- G.G. Zegrya, A.D. Andreev. Appl. Phys. Lett., 67, 2681 (1995)
- E.R. Glaser, T.A. Kennedy, B.R. Bennett, B.V. Shanabrook. Phys. Rev. B, 59, 2240 (1999)
- R.N. Kyutt, A.A. Toropov, S.V. Sorokin, T.V. Shubina, S.V. Ivanov, M. Karlsteen, M. Willander. Appl. Phys. Lett., 75, 373 (1999)
- R.N. Kyutt, A.A. Toropov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, S.V. Ivanov, M. Karlsteen, M. Willander. Appl. Surf. Sci., 166, 278 (2000)
- E. Bithnel, W. Stobbs. Phil. Mag. A, 60, 39 (1989)
- C.G. van der Walle. Phys. Rev. B, 39, 1871 (1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
