"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Применение SiC-триодных структур как детекторов ядерных частиц
Строкан Н.Б.1, Иванов А.М.1, Савкина Н.С.1, Давыдов Д.В.1, Богданова Е.В.1, Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 августа 2001 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2002 г.

Показана возможность внутреннего усиления сигнала (~ в 100 раз) в детекторах короткопробежных ионов на основе карбида кремния. Детекторы создавались ростом эпитаксиальных слоев p-типа на 6H-SiC n+-подложках. Толщина пленок ~10 мкм, а уровень легирования составлял 2.8·1015 см-3. Барьеры Шоттки формировались на пленках магнетронным распылением Ni. Детекторы имели структуру n-p-n+, их параметры исследовались в режиме "плавающей базы". Использовались alpha-частицы 244Cm с энергией 5.8 МэВ и исследовалось увеличение сигнала (E) с ростом приложенного напряжения (U). Облучаемые структуры эквивалентны фототриоду. Был обнаружен сверхлинейный рост E со значительным (десятки раз) усилением вводимого alpha-частицей неравновесного заряда.
  1. А.А. Лебедев, Н.С. Савкина, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан, Д.В. Давыдов. ФТП, 34, 249 (2000)
  2. F. Nava, P. Vanni, G. Verzellesi, A. Castaldini, A. Cavallini, L.Polenta, R. Nipoti, C.Donolato. Mater. Sci. Forum, 353-356, 757 (2001)
  3. G. Violina, P. Shkreby, E. Kalinina, G. Kholujanov, V. Kossov, R. Yafaev, A. Hallen, A. Konstantinov. Abctracts III Int. Seminar on Silicon Carbide and Related Materials, May 24--26 (Novgorod, Russia, 2000) p. 125
  4. N.S. Savkina, A.A. Lebedev, D.V. Davydov, A.M. Strel'chuk, A.S. Tregubova, M.A. Yagovkina. Mater. Sci. Eng. B61-62, 165 (1999)
  5. С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз. 1963)
  6. А.А. Гринберг. ФТТ, 1, 31 (1959)
  7. A.A. Lebedev, N.B. Strokan, A.M. Ivanov, D.V. Davydov, V.V. Kozlovskii. Mater. Sci. Forum, 353-356, 763 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.