Показана возможность внутреннего усиления сигнала (~ в 100 раз) в детекторах короткопробежных ионов на основе карбида кремния. Детекторы создавались ростом эпитаксиальных слоев p-типа на 6H-SiC n⁺-подложках. Толщина пленок ~10 мкм, а уровень легирования составлял 2.8·10¹⁵ см^-3. Барьеры Шоттки формировались на пленках магнетронным распылением Ni. Детекторы имели структуру n-p-n⁺, их параметры исследовались в режиме "плавающей базы". Использовались alpha-частицы ²⁴⁴Cm с энергией 5.8 МэВ и исследовалось увеличение сигнала (E) с ростом приложенного напряжения (U). Облучаемые структуры эквивалентны фототриоду. Был обнаружен сверхлинейный рост E со значительным (десятки раз) усилением вводимого alpha-частицей неравновесного заряда.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.