Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Парамагнитные дефекты в gamma-облученных кристаллах карбида кремния

Ильин И.В.¹, Мохов Е.Н.¹, Баранов П.Г.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 20 марта 2001 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты первых наблюдений парамагнитных дефектов в кристаллах SiC, подвергнутых gamma-облучению. В кристаллах 4H-SiC : Al и 6H-SiC : Al p-типа методом электронного парамагнитного резонанса обнаружено три типа дефектов, обозначенные как gamma1,gamma2 и gamma3. Все центры имеют близкие параметры спинового гамильтониана с S=1/2 и характеризуются значительной анизотропией g-факторов. Центры gamma1 почти аксиальны относительно локальной оси z, ориентированной примерно вдоль одного из направлений связи Si-C, не совпадающей с осью c. Центры gamma2 и gamma3 имеют более низкую симметрию, хотя направление вдоль указанных связей достаточно сильно выражено. Величина максимального g-фактора g_z уменьшается в ряду от gamma1 до gamma3. Сигнал gamma1 может наблюдаться при температурах 3.5-15 K; cигналы gamma2 и gamma3 - при температурах 10-35 и 18-50 K соответственно. Для некоторых ориентаций кристалла обнаружено сверхтонкое взаимодействие неспаренного электрона центра gamma1 с ядрами изотопа ²⁹Si. Центры gamma1,gamma2 и gamma3 разрушаются при температуре 160^oC, и сделан вывод, что сигналы ЭПР этих центров принадлежат дефектам, в подрешетке C. Предполагается, что центры gamma1,gamma2 и gamma3 имеют общую природу и принадлежат низкотемпературной (gamma1) и высокотемпературным (gamma2,gamma3) модификациям одного и того же центра. Обсуждаются модели дефекта в виде вакансии углерода или комплекса, включающего примесный атом Al и атом C, занимающий кремниевую или межузельную позицию.

G.D. Watkins. In: Deep Centers in Semiconductors, ed. by S.T. Pantelides (N.Y., Gordon and Breach, 1986) p. 147 and references therein
H. Itoh, A. Kawasuso, T. Ohshima, M. Yoshikava, I. Nashiyama, S. Tanigawa, S. Misawa, H. Okumura, S. Yoshida. Phys. St. Sol. (a), 162, 173 (1997)
L.A. de S. Balona. J.H. Loubser. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 3, 2344 (1970)
В.С. Вайнер, В.А. Ильин. ФТТ, 23, 3482 (1982); V.S. Vainer, V.A. Il'in. Sov. Phys. Sol. St., 23, 2125 (1982)
Н.М. Павлов, М.И. Иглицин, М.Г. Косаганова, В.Н. Соломатин. ФТП, 9, 1279 (1975); [N.M. Pavlov, M.I. Iglitsyn, M.G. Kosaganova, V.N. Solomatin. Sov. Phys. Semicond., 9, 845 (1975)]
N.T. Son, W.M. Chen, J.L. Lindstrom, B. Monemar, E. Janzen. Mater. Sci. Forum, 264--268, 599 (1998); N.T. Son, P.N. Hai, E. Janzen. Mater. Sci. Forum, 353--356, 499 (2001)
A. Zywietz, J. Furthmueller, F. Bechsted. Phys. Rev. B, 59, 15 166 (1999-I)
T. Wimbauer, B.K. Meyer, A. Hofstaetter, A. Scharmann, H. Overhof. Phys. Rev. B, 56, 7384 (1997)
H.J. von Bardeleben, J.L. Cantin, I. Vickridge, G. Battistig. Phys. Rev. B, 62, 10 126 (2000-I)
H.J. von Bardeleben, J.L. Cantin, L. Henry, M.F. Barthe, Phys. Rev. B, 62, 10 841 (200-II)
E. Sorman, N.T. Son, W.M. Chen, O. Kordina, C. Hallin, E. Janzen. Phys. Rev., B, 61, 2613 (2000)
E.N. Mokhov, Yu.A. Vodakov. Inst. Phys. Conf. Ser. No 155, Ch. 3, 177 (1997) and references therein
L.S. Dang, K.M. Lee, G.D. Watkins. Phys. Rev. Lett., 45 (5), 390 (1980)
P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Sol. St. Commun., 100, 371 (1996)
A.V. Duijn-Arnold, J. Mol, R. Verberk, J. Schmidt, E.N. Mokhov, P.G. Baranov. Phys. Rev. B, 60, 15 829 (1999-I) and references therein
I.V. Ilyin, E.N. Mokhov, P.G. Baranov. Mater. Sci. Forum, 353--356, 521 (2001)
B.K. Meyer, A. Hofstaetter, P.G. Baranov. Mater. Sci. Forum, 264--268, 591 (1998)
В.Г. Грачев. ЖЭТФ, 65, 1029 (1987); Sov. Phys. JETP, 65, 1029 (1987)
D. Volm, B.K. Meyer, E.N. Mokhov, P.G. Baranov. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 339, 705 (1994)
G.D. Watkins. Phys. Rev. B, 1, 1908 (1970)
G.D. Watkins. Phys. Rev. B, 13, 2511 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель